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1653 名强迫症患者的白质扩散估计值：ENIGMA 强迫症工作组的机器学习发现
Bo-Gyeom Kim 1,148，Gakyung Kim 2,148，Yoshinari Abe 3，Pino Alonso 4,5,6，Stephanie Ameis 7,8,9，Alan Anticevic 10，Paul D. Arnold 11,12，Srinivas Balachander 13，Srinivas Balachander 13，14 Barrachander 14 Barrace，Nuaj Clolo，17，17，八点，17，16。 Ertolín5,21，Jan Carl Beucke 22,23,24，Irene Bollettini 20，Silvia Brem 25,26，Brian P. Brennan 27,28，Jan K. Buite，Calla 23，233，Rosa Calla，33 Ciullo 14，Ana Coelho 40,41,42，Beatriz Couto 40,41,42，Sara Dallaspe 4，Fernia Fernia 4，Sóniaaremin 4 40,41,42。 Hansen 48,49，Gregory L. Hanna 50，Yoshiyuki Hiran，Höxter，39，Höxöter，Marcelo 17。 1，诺伯特·卡特曼222，金曼·米纳（Kimmann Minah），622，凯瑟琳·科赫（Kathrin Koch）64,65，格尔德·克瓦尔（Gerd Kvale）48,66，66,67,68，路易莎·拉扎罗（Luisa Lazaro），5,31,32,33 Martínez，45 73，Yoshitada Masuda 74，Koji Matsumoto 74，Maria Paula Maziero 75,76，JoseM.M.Menchón4,5,6，Luciano Minuzzi 77,78，Pedro Silva Moreira 40,41,79 OTA 38,39，Jose C. Pariente 16，Chris Perriello 81，MariaPicó-Pérez40,41,82，Christopher Pittenger 10,83,84,85，Sara Poletti，20，10，10，10，Reddy Jan and Reddy Jan和van Rooij 86，Yuki Sakai Sakai 80.87，Jouny satso san.87 ITT 90，Zonglin Shen 37，Eiji Shimizu 38.39.91，Venkataram Shivakumar 92，Noam Soreni，男性，94 -95 95，Nuno Sousa 40,41,42 99,100，Philip R. Szeszko 1011，Thia Thia 2013，Thia I. Los 56，Daniela Vecchio 14，Ganesan Venkatasubramanian 13 110，Mojtaba Zarei 111，Qing Zhao 105，Xi Zhu 112,113和Enigma-Ocd工作组*，Paul M. Thompson 56，Willem B. Bruin 104,114，Guido A. Van Wingen 104,11，Pirica，Pirica，Pirica，Pirica，Pirica，Pirica，J.Faras 144，MARM MARN HEUS 144。 SH 45和Jook Cha 1,2✉
Constantinides 等人 SZ 中的大脑老化 (ENIGMA)
constantinos君士坦丁字，MSC 1，Laura KM Han，PhD 2-4，Clara Arsoza，PhD 5,6，Linda Antonucci，Phd 7,8，Celso Arango，MD，MD，PhD 5,6，Rosa Ayesa-Ariola，Phd 9,6，Nerisa Banaj，Phd 10，Alsy bellon，PHD 9,6 ，13，杰森·布鲁格曼（Jason Bruggemann），博士14-17，MD 18，Oleg Bykhovski 19,20，MD 16,21,17，Stanley Catts，MBBS 22，Young-Chul Chul Chung，MD，MD 23-25 ，博士5,6， Gary Donohoe, PhD 27 , Stefan Du Plessis, PhD 28 , Jesse Edmond 29 , Stefan Ehrlich, MD, PhD 30 , Robin Emsley, MBChB, DSc 28 , Lisa T Eyler, PhD 31,32 , Paola Fuentes-Claramonte, PhD 33,6 , Foivos Georgiadis 34 , Melissa Green, PhD 16,17 , Amalia Guerrero-Pedraza, MD 35,33 , Minji Ha, MSc 36 , Tim Hahn, PhD 37 , Frans A Henskens, PhD 38,39 , Laurena Holleran, PhD 27 , Stephanie Homan, PhD 40,41 , Philipp Homan, MD, PhD 40 , Neda Jahanshad, PhD 42 , Joost Janssen, PhD 5,6 , Ellen Ji, PhD 40 ，Stefan Kaiser，MD 34，Vasily Kaleda 44，Minah Kim，MD 45,46，Woo-Sung Kim 23,25，Matthias Kirschner，MD 33，Peter Kochunov，Peter Kochunov，Peter Kochunov，PhD 47 ，49，Patricia Mitchie，博士50,51，Stijn Michielse，PhD 52，David Mothersill，PhD 53,27，Bryan Mowry，MD 54,55，VíctorOrtiz-Garcíadela fo oz 9,6，Christos Pantelis，Christos Pantelis，M.D56,57，Perio Perdio perd phd ra，Phd phd， Edith Pomarol-Clotet, MD, PhD 33.6 , Adrian Preda, MD 58 , Yann Quidé, PhD 16.17 , Paul E Rasser, MSc 59.51 , Kelly Rootes-Murdy, MSc 29 , Raymond Salvador, PhD 33.6 , Marina Sangiuliano, MD 11 , Salvador Sarró, MD, PhD 33.4 , Ulrich Schall, MD, PhD 59.51 , André Schmidt, PhD 12 , Rodney J Scott, PhD 60 , Pierluigi Selvaggi, MD 61.62 , Kang Sim, MD 63.64 , Antonin Skoch MD, PhD 65.66 , Gianfranco Spalletta, MD, PhD 10.67 , Filip Spaniel, MD, PhD 65.68 , Sophia I. Thomopoulos, BA 69 , David Tomecek，MSC 65,70，Alexander S Tomyshev，MSC 44，Diana Tordesillas-Gutiérrez，PhD 71，Therese Van Amelsvoort，MD，博士，JavierVázquez-Bourgon，MD，MD，MD，MD，MD 9，Phd 9，Phd 9，Daniela Vecchio，Daniela Vecchio，PHD 10，PHD 10，phd vo. ERT，博士学位72,16,17，Thomas Weickert，博士学位72,16,17，Paul M Thompson，Paul M Thompson，Phd 69，Lianne Schmaal，Lianne Schmaal，Phd 2,3，Theo GM Van Erp，Phd 58,76，Jessica Turner **
超凡设计：弥合空间系统工程与参与式设计实践之间的差距
[1] Harald Köpping Athanasopoulos。2019 年。《月球村和太空 4.0：‘开放概念’是开展太空活动的新方式吗？》太空政策 49（2019 年），101323。[2] Edward Bachelder、David H Klyde、Noah Brickman、Sofia Apreleva 和 Bruce Cogan。2013 年。融合现实以增强飞行测试能力。在 AIAA 大气飞行力学 (AFM) 会议上。5162。[3] Leonie Becker、Tommy Nilsson、Paul Demedeiros 和 Flavie Rometsch。2023 年。增强现实服务于人类在月球上的操作：来自虚拟试验台的见解。在 2023 年 CHI 计算系统人为因素会议的扩展摘要中。1-8。 [4] Loredana Bessone、Francesco Sauro、Matthias Maurer 和 Matthias Piens。2018 年。月球及以外地区实地地质探索的测试技术和操作概念：欧空局 PANGAEA-X 活动。载于欧洲地球物理联合会大会摘要。4013 年。[5] D Budzyń、H Stevenin、Matthias Maurer、F Sauro 和 L Bessone。2018 年。欧空局为月球太空行走模拟制作月球表面地质采样工具原型。载于第 69 届国际宇航大会 (IAC)，德国不来梅。[6] Andrea EM Casini、Petra Mittler、Aidan Cowley、Lukas Schlüter、Marthe Faber、Beate Fischer、Melanie von der Wiesche 和 Matthias Maurer。2020 年。欧空局的月球模拟设施开发：LUNA 项目。空间安全工程杂志 7, 4 (2020)，510–518。[7] David Coan。2022 年。NEEMO 22 EVA 概述与汇报。技术报告。[8] Brian E Crucian、M Feuerecker、AP Salam、A Rybka、RP Stowe、M Morrels、SK Mehta、H Quiriarte、Roel Quintens、U Thieme 等人。2011 年。ESA-NASA“CHOICE”研究：在南极内陆康科迪亚站过冬，作为太空飞行相关免疫失调的类似物。在第 18 届 IAA 人类进入太空研讨会上。[9] Enrico De Martino、David A Green、Daniel Ciampi de Andrade、Tobias Weber 和 Nolan Herssens。 2023. 模拟低重力环境下的人体运动——弥合太空研究与地面康复之间的差距。神经病学前沿 14 (2023)，1062349。[10] Gil Denis、Didier Alary、Xavier Pasco、Nathalie Pisot、Delphine Texier 和 Sandrine Toulza。2020. 从新太空到大太空：商业太空梦想如何变成现实。宇航学报 166 (2020)，431–443。[11] Dean B Eppler。1991. 月球表面作业的照明限制。 NASA STI/Recon 技术报告 N 91（1991），23014。[12] Barbara Imhof、Waltraut Hoheneder、Stephen Ransom、René Waclavicek、Bob Davenport、Peter Weiss、Bernard Gardette、Virginie Taillebot、Thibaud Gobert、Diego Urbina 等人。2015 年。月球行走与人机协作任务场景与模拟。在 AIAA SPACE 2015 会议和博览会上。4531。[13] Curtis Iwata、Samantha Infeld、Jennifer M Bracken、Melissa McGuire、Christina McQuirck、Aron Kisdi、Jonathan Murphy、Bjorn Cole 和 Pezhman Zarifian。2015 年。并行工程中心基于模型的系统工程。在 AIAA SPACE 2015 会议和博览会上。4437。[14] Juniper C Jairala、Robert Durkin、Ralph J Marak、Stepahnie A Sipila、Zane A Ney、Scott E Parazynski 和 Arthur H Thomason。2012 年。在 NASA 中性浮力实验室进行 EVA 开发和验证测试。第 42 届国际环境系统会议 (ICES)。[15] Hyeong Yeop Kang、Geonsun Lee、Dae Seok Kang、Ohung Kwon、Jun Yeup Cho、Ho-Jung Choi 和 Jung Hyun Han。2019 年。跳得更远：在失重沉浸式虚拟环境中向前跳跃。2019 年 IEEE 虚拟现实与 3D 用户界面 (VR) 会议。699–707。https://doi.org/10.1109/VR.2019.8798251 [16] Lin-gun Liu。 2022. 火星和月球上的水。陆地、大气和海洋科学 33, 1 (2022), 3。[17] Erin Mahoney。2022. 美国宇航局将在亚利桑那州沙漠进行阿尔特弥斯月球漫步练习。https://www.nasa.gov/feature/nasa-to-practice-artemis- moonwalking-roving-operations-in-arizona-desert
作者校正：跨哺乳动物组织的通用DNA甲基化年龄
A. Lu，A。A。Hahani，R。Robeck A. Zoller，C。Z。Z. N. C. Blumstein。 Clarke，L。N. Cooper，M。L. Cossette，J。 Day，J。Derocco，C。Dold，E。Ehmke，C。C. Emmons，St.Erbay，C。Farery，Erbay，C。Faulkes，St.H。L. Gerber，V。N. N. Gladyshev，V。Glob，R。G. Goya，M。J. Grant，C。B. 绿色，呃。 N. A. A. A. Mattison，M。McClure，J.M.Meudt，G.A。Montano，K。Mozhui，J。Munshi-South，A。Naderi，M。Nagy，P。Odom，D。T。T. T. T. T. T. T. T. T. G. Ophir，A。G。Ophir，St。Osborn，EA。 A. Odder，K。M。Parsons，K。Paul，M。Pellegrini，K。JPeters，A。 B.A. Lu，A。A。Hahani，R。RobeckA. Zoller，C。Z。Z. N. C. Blumstein。 Clarke，L。N. Cooper，M。L. Cossette，J。Day，J。Derocco，C。Dold，E。Ehmke，C。C. Emmons，St.Erbay，C。Farery，Erbay，C。Faulkes，St.H。L. Gerber，V。N. N. Gladyshev，V。Glob，R。G. Goya，M。J.Grant，C。B.绿色，呃。 N.A. A. A. Mattison，M。McClure，J.M.Meudt，G.A。Montano，K。Mozhui，J。Munshi-South，A。Naderi，M。Nagy，P。Odom，D。T。T. T. T. T. T. T. T. T. G. Ophir，A。G。Ophir，St。Osborn，EA。 A. Odder，K。M。Parsons，K。Paul，M。Pellegrini，K。JPeters，A。B.B. Pedersen，J。L. Petersen，D。W. Pieters，G。M. Pinho，J。Plassais，J。R. Pogank，N。A. Prado，P。Reddy，B。R. R. R. R. R. Ribbins，J。Ryguez，A。A.B. Salman，A。Sanghavi，K。M. Schtschneider，D。Schmiter，T。Schmitt，L。Schomacher，L。B. Schook，K。E. Sears，A。W. Seifert，A。SeluanovA. Shanmugatayam，A。V。Shindyapina，M。Singh，K。Singh，I。Sinha，J。Slone，R。G。Slonell，E。Soltanmaohahammadi，M。C。Sp。 T. Stewart，V。J. Sugrue，B。Szladovits，J。S. Takahashi，M。Takasugi，E。C. Teeling，M。J. Thompson，B。van Bonn，S。C. Vernes，D。Villar，H。V. Venters，M。C. Wallingford，N。Wang，R。K. Wayne，G。S. Wilkinson，C。K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. K. Williams，R。W. Yang，B。Zhao，B。
互联网游戏障碍：
1。King，D。L.，Delfabbro，P。H.，Wu，A.M.S.，Doh，Y.Y.，Kuss，D.J.，Pallesen，S.，Mentzoni，R.，Carragher，N。，＆Sakuma，＆Sakuma，H。（2017）。 互联网游戏障碍的处理：国际系统评估和配偶评估。 临床心理学评论，54，123-133。 https://doi.org/10.1016/j.cpr.2017.04.002 2。 Stevens，M。W. R.，King，D。L.，Dorstyn，D。和Delfabbro，P。H.（2019）。 互联网游戏障碍的认知行为疗法：系统评价和荟萃分析。 临床心理学与心理治疗，26，191-203。 https://doi.org/10.1002/cpp.2341 3。 Han，D。H.，Lee，Y。S.，Yang，K。C.，Kim，E。Y.，Lyoo，I。K.，＆Renshaw，P。F.（2007）。 多巴胺基因和过度互联网视频游戏的青少年的奖励依赖性。 成瘾医学杂志，1（3），133-138。 https://doi.org/10.1097/adm.0b013e31803e68a3 4。 Petry，N。M.，Zajac，K。，＆Ginley，M。K.（2018）。 行为成瘾作为精神障碍：是还是不是？ 临床心理学年度评论，第14卷，第399-423页。 https://doi.org/10.1146/annurev-clinpsy-032816-045120 5。 Grüsser，S.M.，Wölfling，K.，Düffert，S。等。 （2007）。 成瘾评估评估（QDAA）的问卷。 Göttingen：Hogrefe。 6。 Han，D。H.，Hwang，J。W.，＆Renshaw，P。F.（2010）。 bupropion持续的释放治疗减少了对视频游戏的渴望，并且在互联网视频游戏成瘾患者中，对视频游戏和提示引起的大脑活动。 实验和临床心理药理学，18（4），297–304。 （2016）。 12。King，D。L.，Delfabbro，P。H.，Wu，A.M.S.，Doh，Y.Y.，Kuss，D.J.，Pallesen，S.，Mentzoni，R.，Carragher，N。，＆Sakuma，＆Sakuma，H。（2017）。互联网游戏障碍的处理：国际系统评估和配偶评估。临床心理学评论，54，123-133。 https://doi.org/10.1016/j.cpr.2017.04.002 2。Stevens，M。W. 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R.，King，D。L.，Dorstyn，D。和Delfabbro，P。H.（2019）。互联网游戏障碍的认知行为疗法：系统评价和荟萃分析。临床心理学与心理治疗，26，191-203。 https://doi.org/10.1002/cpp.2341系统综述着重于认知 - 行为疗法（CBT）在治疗互联网游戏障碍中的有效性，强调其对减少成瘾性行为的影响。li，W.，Mills，D。和Nower，L。（2019）。战利品盒购买与问题视频游戏和问题赌博的关系。上瘾行为，97，27-34。 https://doi.org/10.1016/j.addbeh.2019.04.009本研究研究了战利品盒购买与游戏成瘾之间的关系，这表明某些游戏内特征可能会加剧成瘾性倾向，从而使其成为目标干预的关键领域。Pfund，R。A.和Ginley，M。K.（2019）。赌博行为的评估和处理。卫生服务心理学杂志，45，81-89。 https://doi.org/10.1007/s42843-019-00015--W虽然专注于赌博，但本文讨论了与视频游戏成瘾治疗有关的重叠治疗方式，例如CBT和激励性访谈。娱乐软件协会。（2024）。有关计算机和视频游戏行业的基本事实。摘自https://www.theesa.com/wp-content/uploads/2024/05/esential-facts-exts-2024-final.pdf
确定 BRATS Ch 中脑肿瘤分割、进展评估和总体生存预测的最佳机器学习算法
Spyridon Bakas 1 , 2 , 3 , † , ‡ , ∗ , Mauricio Reyes 4 , † , Andras Jakab 5 , † , ‡ , Stefan Bauer 4 , 6 , 169 , † , Markus Remp , 19 , † , Alessandro Crimi 7 , † , Russell Takeshi Shinohara 1 , 8 , † , Christoph Berger 9 , † , Sung Min Ha 1 , 2 , † , Martin Rozycki 1 , 2 , † , Marcel Prastawa 10 , Alberts , 19 , 6 7 , † , Jana Lipkova 9 , 65 , 127 , † , John Freymann 11 , 12 , ‡ , Michel Bilello 1 , 12 , ‡ , Hassan M. Wishal-Shallah , 13 . 4 , 6 , ‡ , Jan Kirschke 126 , ‡ , Benedikt Wiestler 126 , ‡ , Rivka Colen 14 , ‡ , Aikaterini Kotrotsou 14 , ‡ , Pamela Lamontagne 15 , ‡ , Michael 17 , Michael il Milchenko 16 , 17 , ‡ , Arash Nazeri 17 , ‡ , Marc-Andr Weber 18 , ‡ , Abhishek Mahajan 19 , ‡ , Ujjwal Baid 20 , ‡ , Elizabeth Gerstner , 12 , 12 , Dong Jin 2 , † , Gagan Acharya 107 , Manu Agarwal 109 , Mahbubul Alam 33 , Alberto Albiol 34 , Antonio Albiol 34 , Francisco J. Albiol 35 , Varghese Alex 107 , Nigel Allinson 143 , Pedro 15 , Amharim HA 107 , Amharic 197 07 , Simon Andermatt 152 , Tal Arbel 92 , Pablo Arbelaez 134 , Aaron Avery 60 , Muneeza Azmat 62 , Pranjal B. 107 , Wenjia Bai 128 , Subhashis Banerjee 36 , 37 , Bill Barth 2 , Thomas Batchelman , 83 , Enzo Battistella 42 , 43 , Andrew Beers 123 , 124 , Mikhail Belyaev 137 , Martin Bendszus 23 , Eze Benson 38 , Jose Bernal 40 , Halandur Nagaraja Bharath 141 , George Biros 62 das , Sotirios Maria Cabe 123 , James Cabe 123 zas 40 , Shilei Cao 67 , Jorge M. Cardoso 76 , Eric N Carver 41 , Adri Casamitjana 138 , Laura Silvana Castillo 134 , Marcel Cat 138 , Philippe Cattin 152 , Albert C´erigues 40 , Vini Chagas , 49 , Siddha Yidd . u Chang 45 , Shiyu Chang 156 , Ken Chang 123 , 124 , Joseph Chazalon 29 , Shengcong Chen 25 , Wei Chen 46 , Jefferson W Chen 80 , Zhaolin Chen 130 , Kun Cheng 120 , Ahana Roy Roy 47 , Albert Church 40 , Steven Colleman 141 , Ramiro German Rodriguez Colmeiro 149 , 150 , 151 , Marc Combalia 138 , Anthony Costa 122 , Xiaomeng Cui 115 , Zhenzhen Dai 41 , Lutao Dai 50 , Laura Alexandra 43 , Eric Dingschang 25 , Chao Dong 65 , Shidu Dong 155 , Wojciech Dudzik 71 , 72 , Zach Eaton-Rosen 76 , Gary Egan 130 , Guilherme Escudero 159 , Tho Estienne 42 , 43 , Richard Everson , Fanat 27 , Jonathan , 29 , Longwei Fang 54 , 55 , Xue Feng 27 , Enzo Ferrante 128 , Lucas Fidon 42 , Martin Fischer 95 , Andrew P. French 38 , 39 , Naomi Fridman 57 , Huan Fu 90 , David Fuentes 58 , Yao Evan Gates , 68 , 68 Amir Gholami 61 , Willi Gierke 95 , Ben Glocker 128 , Mingming Gong 88 , 89 , Sandra Gonzlez-Vill 40 , T. Grosges 151 , Yuanfang Guan 108 , Sheng Guo 64 , Sudeep Gupta 19 , Wong Han Song 63 , Konstantin Harmuth 95 , Huiguang He 54 , 55 , 56 , Aura Hernndez-Sabat 100 , Evelyn Herrmann 102 , Naveen Himthani 62 ,Winston Hsu 111 , Cheyu Hsu 111 , Xiaojun Hu 64 , Xiaobin Hu 65 , Yan Hu 66 , Yifan Hu 117 , Rui Hua 68 , 69 , Teng-Yi Huang 45 , Weilin Huang Huve 64 H V014 Van , Khan M. Iftekharuddin 33 , Fabian Isensee 22 , Mobarakol Islam 81 , 82 , Aaron S. Jackson 38 , Sachin R. Jambawalikar 48 , Andrew Jesson 92 , Weijian Jian 119 , June Kan Marian 37 , V z 128 , Konstantinos Kamnitsas 128 , Po-Yu Kao 79 , Ayush Karnawat 129 , Thomas Kellermeier 95 , Adel Kermi 74 , Kurt Keutzer 61 , Mohamed Tarek Khadir 75 , Mahendra Kheneder 06 Philipp 107 , , Haley Knapp 60 , Urspeter Knecht 4 , Lisa Kohli 60 , Deren Kong 64 , Simon Koppers 32 , Avinash Kori 107 , Ganapathy Krishnamurthi 107 , Kushibar 13 Karivov 4 Dmitrii Lachinov 84 , 85 , Tryphon Lambrou 143 , Joon Lee 41 , Chengen Lee 111 , Yuehchou Lee 111 , Matthew Chung Hai Lee 128 , Szidonia Lefkovits 96 , Laszlo Lef7 6 iHongwet 9 65 , Wenqi Li 76 , 77 , Hongyang Li 108 , Xiaochuan Li 110 , Yuexiang Li 133 , Heng Li 51 , Zhenye Li 146 , Xiaoyu Li 67 , Zeju Li 158 , XiaoGang Li 158 , XiaoGang Li 45 , Fengming Lin 115 , Pietro Lio 153 , Chang Liu 41 , Boqiang Liu 46 , Xiang Liu 67 , Mingyuan Liu 114 , Ju Liu 115 , 116 , Luyan Liu 112 , Maro 4 Llad
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电气溶胶喷射印刷封装：A
海报 ID 标题 口头报告轨道 作者 组织（第一作者） 国家 1252 光电子气溶胶喷射印刷封装：线形态研究 先进的光电子学和 MEMS 封装 Siah, Kok Siong (1); Basu, Robin (2); Distler, Andreas (2); Häußler, Felix (1); Franke, Jörg (1); Brabec, Christoph J. (2,3,4); Egelhaaf, Hans-Joachim (2,3,4) 埃尔朗根-纽伦堡弗里德里希-亚历山大大学 德国 1341 量子级联激光器与中红外光子集成电路集成用于各种传感应用 先进的光电子学和 MEMS 封装 Kannojia, Harindra Kumar (1); Zhai, Tingting (1); Maulini, Richard (2); Gachet, David (2); Kuyken, Bart (1); Van Steenberge, Geert (1) Imec BE 1328 使用 SnAg 焊料在光子集成电路上进行 III-V 激光二极管倒装芯片键合 先进的光电子学和 MEMS 封装 Chi, Ting Ta (1); Ser Choong, Chong (1); Lee, Wen (1); Yuan, Xiaojun (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1154 MEMS 腔体封装的芯片粘接材料选择 先进的光电子学和 MEMS 封装 Shaw, Mark; Simoncini, Daniele; Duca, Roseanne; Falorni, Luca; Carulli, Paola; Fedeli, Patrick; Brignoli, Davide STMicroelectronics IT 1262 使用高分辨率感光聚合物进行 500nm RDL 的双大马士革工艺 先进封装 1 Gerets, Carine Helena; Pinho, Nelson; Tseng, Wen Hung; Paulus, Tinneke; Labyedh, Nouha; Beyer, Gerald; Miller, Andy; Beyne, Eric Imec BE 1342 基于 ECC 的助焊剂清洁监控以提高先进封装产品的可靠性 先进封装 1 Wang, Yusheng; Huang, Baron; Lin, Wen-Yi; Zou, Zhihua; Kuo, Chien-Li TSMC TW 1256 先进封装中的助焊剂清洗：关键工艺考虑因素和解决方案 先进封装 1 Parthasarathy, Ravi ZESTRON Americas US 1357 根据 ICP 溅射蚀刻条件和关键设计尺寸调查 UBM/RDL 接触电阻 先进封装 2 Carazzetti, Patrik (1); Drechsel, Carl (1); Haertl, Nico (1); Weichart, Jürgen (1); Viehweger, Kay (2); Strolz, Ewald (1) Evatec AG CH 1389 使用薄蚀刻停止层在法布里-珀罗滤波器中实现精确的波长控制 先进封装 2 Babu Shylaja, Tina; Tack, Klaas; Sabuncuoglu Tezcan, Deniz Imec BE 1348 模块中亚太赫兹天线的封装技术 先进封装 2 Murayama, Kei (1); Taneda, Hiroshi (1); Tsukahara, Makoto (1); Hasaba, Ryosuke (2); Morishita, Yohei (2); Nakabayashi, Yoko (1) Shinko Electric Industries Co.,Ltd. JP 1230 55nm 代码低 k 晶圆组装和制造技术的多光束激光开槽工艺和芯片强度研究 1 Xia, Mingyue; Wang, Jianhong; Xu, Sean; Li, guangming; Liu, haiyan; Zhu, lingyan NXP Semiconductor CN 1215 批量微波等离子体对超宽引线框架尺寸的优化研究，以实现与分层组装和制造技术的稳健结果 1 LOO, Shei Meng; LEONE, Federico; CAICEDO,Nohora STMicroelectronics SG 1351 解决超薄芯片封装制造中的关键问题 组装与制造技术 1 Talledo, Jefferson; Tabiera, Michael; Graycochea Jr, Edwin STMicroelectronics PH 1175 系统级封装模块组装与制造技术中的成型空洞问题调查 2 Yang, Chaoran; Tang, Oscar; Song, Fubin Amazon CN 1172 利用倒装芯片铜柱高密度互连组装与制造技术增强 Cu OSP 表面粘性助焊剂的 DI 水清洁性 2 Lip Huei, Yam; Risson Olakkankal, Edrina; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1326 通过组件设计改进薄膜辅助成型性能 装配和制造技术 2 Law, Hong Cheng;Lim, Fui Yee;Low, Boon Yew;Pang, Zi Jian;Bharatham, Logendran;Yusof, Azaharudin;Ismail, Rima Syafida;Lim, Denyse Shyn Yee;Lim, Shea Hu NXP 半导体 MY 1224 对不同引线框架材料进行等离子清洗以研究超大引线框架上氧化与分层的影响 装配和制造技术 2 CHUA, Yeechong; CHUA, Boowei; LEONE, Federico; LOO, Shei Meng STMicroelectronics SG 1185 在低温系统中为射频传输线寻找最佳材料选择 装配和制造技术 3 Lau, Daniel (1); Bhaskar, Vignesh Shanmugam (1); Ng, Yong Chyn (1); Zhang, Yiyu (2); Goh, Kuan Eng Johnson (2); Li, Hongyu (1) 新加坡微电子研究院 (IME) SG 1346 探索直接激光回流技术以在半导体基板上形成稳定可靠的焊料凸点界面 装配与制造技术 3 Fisch, Anne; PacTech US 1366 通过改进工艺和工具设计消除陶瓷 MEMS 封装上的受损引线键合 装配与制造技术 3 Bamba, Behra Esposo；Tabiera, Michael Tabiera；Gomez, Frederick Ray Gomez STMicroelectronics PH 1255 原位表征等离子体种类以优化和改进工艺 装配与制造技术 3 Capellaro, Laurence; STMicroelectronics PH 1234 高度集成的 AiP 设计，适用于 6G 应用 汽车和功率器件封装 WU, PO-I；Kuo, Hung-Chun；Jhong, Ming-Fong；Wang, Chen-Chao 日月光集团 TW 1298 用于自动导引车的高分辨率 MIMO 雷达模块开发的封装协同设计 汽车和功率器件封装 Tschoban, Christian；Pötter, Harald Fraunhofer IZM DE 1306 下一代汽车微控制器倒装芯片铜柱技术的稳健性方法 汽车和功率器件封装 Tan, Aik Chong；Bauer, Robert；Rau, Ingolf；Doering, Inga 英飞凌科技 SG 1387 在烧结工艺改进下商业和定制铜烧结膏的键合强度比较 汽车和功率器件封装 Meyer, Meyer；Gierth, Karl Felix Wendelin；Meier, Karsten；Bock,德累斯顿卡尔海因茨工业大学 DE 1380 用于红外激光脱粘的高温稳定临时粘接粘合剂使薄晶圆的新型工艺集成成为可能 键合与脱粘工艺 Koch, Matthew (1); kumar, Amit (1); Brandl, Elisabeth (2); Bravin, Julian (2); Urban, Peter (2); Geier, Roman (3); Siegert, Joerg (3) Brewer Science UK 1250 临时键合晶圆的分层：综合研究 键合与脱粘工艺 JEDIDI, NADER Imec BE 1192 芯片堆叠应用中临时键合和脱粘工艺相关的表面质量挑战 键合与脱粘工艺 Chaki Roy, Sangita; Vasarla, Nagendra Sekhar; Venkataraman, Nandini 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1108 针对 UCIe 和 BOW 应用的 2.5D 基板技术上密集线通道的信号完整性分析 电气模拟和特性 1 Rotaru, Mihai Dragos 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1161 用于无线电信应用的自互补缝隙地下结构覆盖层的设计 电气模拟和特性 1 Rong, Zihao (1); Yi, Yuantong (1); Tateishi, Eiichi (2); Kumagae, Takaya (2); Kai, Nobuhiro (2); Yamaguchi, Tatsuya (3); Kanaya, Haruichi (1) 九州大学 JP 1167 基于近场扫描的芯片等效电磁辐射模型，用于陶瓷 SiP 中的 EMI 分析 电气模拟和特性 1 liang, yaya;杜平安 电子科技大学 CN 1280 三维集成系统中高速互连传输结构设计与优化 电气仿真与特性分析 2 李存龙；李振松；苗敏 北京信息科技大学 CN 1355 基于通用 Chiplet 互连快递（UCIe）的 2.5D 先进封装互连信号完整性仿真与分析 电气仿真与特性分析 2 范宇轩（1,2）；甘汉臣（1,2）；周云燕（1）；雷波（1）；宋刚（1）；王启东（1） 中国科学院微电子研究所 CN 1109 具有 5 层正面铜金属和 2 层背面铜 RDL 的硅通孔中介层（TSI）电气特性与可靠性研究 电气仿真与特性分析 2 曾雅菁；刘丹尼尔；蔡鸿明；李宏宇 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1241 利用多层基板集成同轴线开发紧凑型宽带巴伦 电气仿真和特性 2 Sato, Takumi (1); Kanaya, Haruichi (1); Ichirizuka, Takashi (2); Yamada, Shusaku (2) 九州大学 JP 1200 一种降低 IC 封装中高速通道阻抗不连续性的新方法 电气仿真和特性 3 Luo, Jiahu (1); zheng, Boyu (1,2); Song, Xiaoyuan (1); Jiang, Bo (1); Lee, SooLim (1) 长沙安木泉智能科技有限公司Ltd CN 1201 去耦电容位置对 fcBGA 封装中 PDN 阻抗的影响 电气仿真与特性 3 宋小元 (1); 郑博宇 (1,2); 罗家虎 (1); 魏平 (1); 刘磊 (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1162 有机基板中 Tera-Hz 电气特性探讨 电气仿真与特性 3 林和川; 赖家柱; 施天妮; 康安乐; 王宇珀 SPIL TW 1202 采用嵌入式硅扇出型 (eSiFO®) 技术的双 MOSFET 开关电路集成模块 嵌入式与扇出型封装 强文斌; 张先鸥; 孙祥宇; 邓帅荣;杨振中 中国工程物理研究院 中国成都 CN 1131 FOStrip® 技术 - 一种用于基板封装上条带级扇出的低成本解决方案 嵌入式和扇出型封装 林义雄 (1); 施孟凯 (2); 丁博瑞 (2); 楼百耀 (1); 倪汤姆 (1) 科雷半导体有限公司，鸿海科技集团 TW 1268 扇出型面板级封装（FOPLP）中铝焊盘的腐蚀行为 嵌入式和扇出型封装 余延燮 (1); 朴世允 (2); 金美阳 (2); 文泰浩 (1) 三星电子 KR 1253 全加成制造灯泡的可行性和性能 新兴技术 Ankenbrand, Markus; Piechulek, Niklas; Franke, Jörg Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg DE 1377 航空用激光直接结构化机电一体化设备的创新和挑战：材料开发、组件设计和新兴技术 Piechulek, Niklas；安肯布兰德，马库斯；徐雷；弗罗利希，扬；阮香江； Franke, Jörg Lehrstuhl für Fertigungsautomatisierung und Produktionssyste DE 1128 使用深度神经网络新兴技术从芯片到自由空间耦合生成光束轮廓 Lim, Yu Dian (1)； Tan, Chuan Seng (1,2) 南洋理工大学 SG 1195 SiCN 混合键合应用的 CMP 后清洁优化 混合和熔融键合 1 JI, Hongmiao (1);LEE, Chaeeun (1);TEE, Soon Fong (1);TEO, Wei Jie (1);TAN, Gee Oon (1);Venkataraman, Nandini (1);Lianto, Prayudi (2);TAN, Avery (2);LIE, Jo新加坡微电子研究所 (IME) SG 1187 混合键合中模糊对准标记的改进边缘检测算法 混合和熔融键合 1 Sugiura, Takamasa (1);Nagatomo, Daisuke (1);Kajinami, Masato (1);Ueyama, Shinji (1);Tokumiya, Takahiro (1);Oh, Seungyeol (2);Ahn, Sungmin (2);Choi, Euisun ( 三星日本公司 JP 1313 芯片到晶圆混合和熔融键合以实现先进封装应用混合和熔融键合 1 Papanu, James Stephen (2,5);Ryan, Kevin (2);Noda, Takahiro (1);Mine, Yousuke (1);Ishii, Takayuki (1);Michinaka, Satoshi (1);Yonezawa, Syuhei (4);Aoyagi,Chika Tokyo Electron Limited 美国 1283 细间距混合键合中结构参数和错位对键合强度影响的有限元分析 混合与熔融键合 1 石敬宇(1); 谭林(1); 胡杨(1); 蔡健(1,2); 王倩(1,2); 石敬宇(1) 清华大学 CN 1211 下一代热压键合设备 混合与熔融键合 2 Abdilla, Jonathan Besi NL 1316 聚对二甲苯作为晶圆和芯片键合以及晶圆级封装应用的粘合剂 混合与熔融键合 2 Selbmann, Franz (1,2); Kühn, Martin (1,2); Roscher, Frank (1); Wiemer, Maik (1); Kuhn, Harald (1,3); Joseph, Yvonne (2) 弗劳恩霍夫电子纳米系统研究所 ENAS DE 1368 芯片到晶圆混合键合与聚合物钝化混合和熔融键合的工艺开发 2 Xie, Ling 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1221 使用经验和数值方法研究焊料凸点和接头间隙高度分布 互连技术 1 Wang, Yifan; Yeo, Alfred; CHAN, Kai Chong JCET SG 1134 焊球合金对板级可靠性的影响 热循环和振动测试增强 互连技术 1 Chen, Fa-Chuan (1); Yu, Kevin (1); Lin, Shih-Chin (1); Chu, Che-Kuan (2); Lin, Tai-Yin (2); Lin, Chien-Min (2) 联发科 TW 1295 SAC305/SnBi 混合焊料界面分析及焊料硬度与剪切力关系比较 互连技术 1 Sung, Minjae (1); Kim, Seahwan (2); Go, Yeonju (3); Jung, Seung-boo (1,2) 成均馆大学 KR 1146 使用夹子作为互连的多设备功率封装组装 互连技术 2 Wai, Leong Ching; Yeo, Yi Xuan; Soh, Jacob Jordan; Tang, Gongyue 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1129 存储器封装上再生金键合线的特性 互连技术 2 Chen, Yi-jing; Zou, Yung-Sheng; Chung, Min-Hua;颜崇良 Micron TW 1126 不同条件下焊料凸块电迁移行为调查 互连技术 2 罗毅基 Owen (1); 范海波 (1); 钟晨超 Nick (1); 石宇宁 (2) Nexperia HK 1168 SnBi 焊料与 ENEPIG 基板关系中 NiSn4 形成的研究 互连技术 2 王毅文; 蔡正廷; 林子仪 淡江大学 TW 1159 用于 3D 晶圆级封装中电感器和平衡不平衡变压器的感光水性碱性显影磁性材料 材料与加工 1 增田诚也; 出井弘彰; 宫田哲史; 大井翔太; Suzuki, Hiroyuki FUJIFILM Corporation JP 1118 新型芯片粘接粘合剂满足汽车 MCU 封装材料和加工的严苛性能、可靠性和成本目标 1 Kang, Jaeik; Hong, Xuan; Zhuo, Qizhuo; Yun, Howard; Shim, Kail; Rathnayake, Lahiru; Surendran, Rejoy; Trichur,Ram Henkel Corporation 美国 1173 通过在铜引线框架上进行无压烧结提高器件性能 材料与加工 1 Danila, Bayaras, Abito; Balasubramanian, Senthil KUmar Heraeous SG 1137 用于功率分立器件的新型无残留高铅焊膏 材料与加工 2 Bai, Jinjin; Li, Yanfang; Liu, Xinfang; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司 CN 1220 用于系统级封装（SiP）应用的低助焊剂残留免清洗焊膏 材料与加工 2 Liu, Xinfang; Bai, Jinjin; Chen, Fen; Liu, Yan 铟泰公司（苏州）有限公司 CN 1176 不同熔点焊料的基本性质及键合性质分析 材料与加工 2 Kim, Hui Joong; Lee, Jace; Lee, Seul Gi; Son, Jae Yeol; Won, Jong Min; Park, Ji Won; Kim, Byung Woo; Shin, Jong Jin; Lee, Tae Kyu MKE KR 1124 一种用于表征 WLCSP 封装材料和加工中 PBO 附着力的新方法 2 CHEN, Yong; CHANG, Jason; GANI, David; LUAN, Jing-en; CATTARINUZZI, Emanuele STMicroelectronics SG 1247 磁控溅射制备银及银铟固溶体薄膜微结构与力学性能研究 材料与工艺 3 赵爽 (1);林鹏荣 (2,3);张东林 (1);王泰宇 (1);刘思晨 (1);谢晓晨 (2);徐诗萌 (2);曲志波 (2);王勇 (2);赵秀 北京理工大学 CN 1206 多功能感光聚合物在与纳米晶 Cu 材料低温混合键合中的应用及工艺 3 陈忠安 (1);李嘉欣 (1);李欧翔 (2);邱伟兰 (2);张祥鸿 (2); Yu, Shih-cheng (2) Brewer Science TW 1308 闪光灯退火（FLA）方法对热处理 Cu 薄膜和低介电树脂膜的适用性材料与加工 3 NOH, JOO-HYONG (1,2); Yi, DONG-JAE (1,2); SHISHIDO, YUI (1,2); PARK, JONG-YOUNG (2,3); HONMA, HIDEO (2) 关东学院大学 JP 1286 使用无有机溶胶的 Ag 纳米多孔片在 145°C 和 175°C 下对 Au 成品 Cu 基材进行低温 Ag 烧结和驱动力材料与加工 3 Kim, YehRi (1,2); Yu, Hayoung (1); Noh, Seungjun (3); Kim, Dongjin (1) 韩国工业技术研究院 KR 1279 用于 MEMS 应用的 AlN/Mo/AlN/多晶硅堆栈中的应力补偿效应 材料与加工 4 sharma, jaibir; Qing Xin, Zhang 新加坡微电子研究所（IME） SG 1254 热循环下 RDL 聚酰亚胺与底部填充材料之间相互作用对倒装芯片互连可靠性的影响研究 材料与加工 4 Chang, Hongda (1); Soriano, Catherine (1); Chen, WenHsuan (1); Yang, HungChun (2); Lai, WeiHong (2); Chaware, Raghunandan (1) 莱迪思半导体公司 TW 1281 使用低 α 粒子焊料消除沟槽 MOSFET 中的参数偏移 材料与加工 4 Gajda, Mark A. (1); de Leon, Charles Daniel T. (2); A/P Ramalingam, Vegneswary (3);桑蒂坎，Haima (3) Nexperia UK 1218 Sn–5Ag 无铅焊料中 Bi 含量对 IMC 机械性能和形态的影响 材料与加工 4 Liu, Kuan Cheng; Li, Chuan Shun; Teng, Wen Yu; Hung, Liang Yih; Wang, Yu-Po SPIL TW 1198 流速和电流密度对通孔铜沉积的影响 材料与加工 5 Zeng, Barry; Ye, Rick; Pai, Yu-Cheng; Wang, Yu-Po SPIL TW 1156 用于 MEMS 器件的可布线可润湿侧翼 材料与加工 5 Shaw, Mark; Gritti, Alex; Ratti, Andrea; Wong, Kim-Sing; Loh, Hung-meng; Casati, Alessandra; Antilano Jr, Ernesto; Soreda, Alvin STMicroelectronics IT 1294 ENEPIG 中 Pd 层厚度对焊点形貌和可靠性的影响 材料与加工 5 Yoon, JaeJun (1); Kim, SeaHwan (1); Jin, HyeRin (1); Lee, Minji (1); Shin, Taek Soo (1,2); Jung, Seung-Boo (1) 成均馆大学 KR 1228 无翘曲扇出型封装 材料与加工 6 Schindler, Markus; Ringelstetter, Severin; Bues, Martin; Kreul, Kilian; Chian, Lim See; Königer, Tobias Delo DE 1179 用于先进 BGA 组装的创新无助焊剂焊球附着技术（FLAT） 材料与加工 6 Kim, Dongjin (1); Han, Seonghui (1,3); Han, Sang Eun (1,4); Choi, Dong-Gyu (1,5); Chung, Kwansik (2); Kim, Eunchae (2); Yoo, Sehoon (1) 韩国工业技术研究院 KR 1375 用于电子封装材料与加工的超薄 ta-C 气密封接 6 Phua, Eric Jian Rong; Lim, Song Kiat Jacob; Tan, Yik Kai; Shi, Xu 纳米膜技术 SG 1246 用于高性能汽车 BGA 封装材料与加工的掺杂 SAC 焊球合金比较 6 Capellaro, Laurence (1); STMicroelectronics FR 1324 铜平衡和晶圆级翘曲控制以及封装应力和板级温度循环焊点可靠性的影响 机械模拟与特性 1 Mandal, Rathin 微电子研究所（IME），新加坡 SG 1340 扇出型封装翘曲的材料敏感性 - 模拟与实验验证 机械模拟与特性 1 Tippabhotla, Sasi Kumar； Soon Wee, David Ho 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1147 用于汽车存储器应用的 SACQ 焊料可靠性评估的高级预测模型 机械模拟与特性 1 Pan, Ling (1); Che, Faxing (1); Ong, Yeow Chon (1); Yu, Wei (1); Ng, Hong wan (1); Kumar, Gokul (2); Fan, Richard (3); Hsu, Pony (3) 美光半导体亚洲 SG 1245 扇出型有机 RDL 结构的低翘曲解决方案 机械模拟与特性 2 Liu, Wei Wei; Sun, Jalex; Hsu, Zander; Hsu, Brian; Wu, Jeff; Chen, YH; Chen, Jimmy; Weng, Berdy; Yeh, CK 日月光集团 TW 1205 结构参数对采用铟热界面材料的 fcBGA 封装翘曲的影响 机械模拟与特性 2 Liu, Zhen (1); Dai, Qiaobo (1);聂林杰 (1);徐兰英 (1);滕晓东 (1);郑，博宇 (1,2) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1141 三点弯曲试验条件下封装翘曲对封装强度评估的影响 机械模拟与表征 2 车发星 (1); Ong, Yeow Chon (1); 余伟 (1); 潘玲 (1); Ng, Hong Wan (1); Kumar, Gokul (2); Takiar, Hem (2) 美光半导体亚洲 SG 1181 回流焊过程中 PCB 基板影响下微导孔热机械疲劳寿命评估 机械模拟与表征 2 Syed, Mujahid Abbas; 余强 横滨国立大学 JP 1121 单调四点弯曲试验设计的分析 K 因子模型 机械模拟与表征 3 Kelly, Brian (1); Tarnovetchi, Marius (2); Newman, Keith (1) 高级微设备公司 美国 1135 增强带有嵌入式细间距互连芯片的大型先进封装的机械稳健性和完整性 机械仿真与表征 3 Ji, Lin; Chai, Tai Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1116 通过实验和模拟研究基板铜垫裂纹 机械仿真与表征 3 Yu, Wei; Che, Fa Xing; Ong, Yeow Chon; Pan, Ling; Cheong, Wee Gee 美光半导体亚洲 SG 1130 不同晶圆预薄厚度的隐形切割工艺预测数值建模 机械模拟与表征 3 Lim, Dao Kun (1,2);Vempaty, Venkata Rama Satya Pradeep (2);Shah, Ankur Harish (2);Sim, Wen How (2);Singh, Harjashan Veer (2);Lim, Yeow Kheng (1) 美光半导体亚洲 SG 1235 扇出型基板上芯片平台的细线 RDL 结构分析 机械模拟与表征 4 Lai, Chung-Hung 日月光集团 TW 1197 极高应变率下板级封装结构中互连的动态响应 机械模拟与表征 4 Long, Xu (1); Hu, Yuntao (2); Shi, Hongbin (3);苏玉泰 (2) 西北工业大学 CN 1393 用于电动汽车应用的氮化硼基功率模块基板：一种使用有限元分析机械模拟和表征的设计优化方法 4 Zainudin，Muhammad Ashraf； onsemi MY 1345 面向 AI 辅助热管理策略设计 AI 应用的封装设计和特性 REFAI-AHMED, GAMAL (1);Islam, MD Malekkul (1);Shahsavan, Martia (1);Do, Hoa (1);Kabana, Hardik (2);Davenport, John L (2);Kocheemoolayil, Joseph G (2);HAdvanced Micro Devices US 1320 用于深度学习硬件加速器的双 2 芯片堆叠模块的工艺开发 AI 应用的封装设计和特性 Ser Choong Chong 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1398 用于表征 AI 芯片热性能的热测试载体 AI 应用的封装设计和特性 Shangguan, Dongkai (1); Yang, Cheng (2); Hang,Yin (3) 美国热工程协会 US 1164 使用 B 型扫描声学显微镜 (B-SAM) 对高性能计算设备的 TIM 中的空洞进行无损分析 质量、可靠性和故障分析 1 Song, Mei Hui; Tang, Wai Kit; Tan, Li Yi 超威半导体 SG 1361 通过环上的纳米压痕评估芯片级断裂韧性的方法 质量、可靠性和故障分析 1 Zhu, Xintong; Rajoo, Ranjan; Nistala, Ramesh Rao; Mo, Zhi Qiang 格芯 新加坡 SG 1140 移动带电物体在不同类型电子设备盒中产生的静电感应电压 质量、可靠性和故障分析 1 Ichikawa, Norimitsu 日本工学院大学 JP 1350 使用 NanoSIMS 对半导体器件的掺杂剂和杂质进行高空间分辨率成像 质量、可靠性和故障分析 1 Sameshima, Junichiro; Nakata, Yoshihiko; Akahori, Seishi; Hashimoto, Hideki; Yoshikawa, Masanobu 东丽研究中心，公司 JP 1184 铌上铝线键合的优化用于低温封装质量、可靠性和故障分析 2 Norhanani Jaafar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1182 基于超声波兰姆波静态分量的层压芯片连接中的原位微裂纹定位和成像质量、可靠性和故障分析 2 Long, Xu (1); Li, Yaxi (2); Wang, Jishuo (3); Zhao, Liang (3);袁伟锋 (3) 西北工业大学 CN 1122 采用 OSP/Cu 焊盘表面处理的 FCCSP 封装的 BLR 跌落试验研究 质量、可靠性和故障分析 2 刘金梅 NXP CN 1236 材料成分对铜铝线键合可靠性的影响 质量、可靠性和故障分析 2 Caglio, Carolina (1); STMicroelectronics IT 1362 通过 HALT 测试建立多层陶瓷电容器的寿命建模策略 质量、可靠性和故障分析 3 杨永波; 雍埃里克; 邱文 Advanced Micro Devices SG 1407 使用实验和数值方法研究铜柱凸块的电迁移 质量、可靠性和故障分析 3 赵发成; 朱丽萍; Yeo, Alfred JCET SG 1370 使用 NIR 无模型 TSOM 进行嵌入式缺陷深度估计 质量、可靠性和故障分析 3 Lee, Jun Ho (1); Joo, Ji Yong (1); Lee, Jun Sung (1); Kim, Se Jeong (1); Kwon, Oh-Hyung (2) 公州国立大学KR 1207 自适应焊盘堆栈使嵌入式扇出型中介层中的桥接芯片位置公差提高了数量级 硅中介层和加工 Sandstrom, Clifford Paul (1);Talain, John Erickson Apelado (1);San Jose, Benedict Arcena (1);Fang, Jen-Kuang (2);Yang, Ping-Feng (2);Huang, Sheng-Feng (2);Sh Deca Technologies US 1119 硅中介层用于毫米波 Ka 和 V 波段卫星应用的异构集成平台 硅中介层和加工 Sun, Mei;Ong, Javier Jun Wei;Wu, Jia Qi;Lim, Sharon Pei Siang;Ye, Yong Liang;Umralkar, Ratan Bhimrao;Lau,Boon Long;Lim, Teck Guan;Chai, Kevin Tshun Chua新加坡微电子研究所 (IME) SG 1138 大型 RDL 中介层封装的开发：RDL 优先 FOWLP 和 2.5D FO 中介层硅中介层和加工 Ho, Soon Wee David; Soh, Siew Boon; Lau, Boon Long; Hsiao, Hsiang-Yao; Lim, Pei Siang; Rao, Vempati Srinivasa 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1209 硅集成多端深沟槽电容器技术的建模和制造硅中介层和加工 Lin, Weida (1); Song, Changming (2); Shao, Ziyuan (3); Ma, Haiyan (2); Cai, Jian (2,4); Gao, Yuan (1);王倩 (2,4) 清华大学 CN 1309 探索半导体缺陷检测的扩散模型 智能制造、设备和工具协同设计 陆康康；蔡礼乐；徐迅；帕瓦拉曼普里特；王杰；张理查德；符传胜 新加坡科技研究局信息通信研究所 (I2R) SG 1287 用于 HBM 3D 视觉检查的端到端快速分割框架 智能制造、设备和工具协同设计 王杰 (1)；张理查德 (1)；林明强 (2)；张斯忠 (2)；杨旭蕾 (1)； Pahwa, Ramanpreet Singh (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1327 半导体芯片和封装协同设计和组装，用于倒装芯片和引线键合 BGA 封装智能制造、设备和工具协同设计 rongrong.jiang@nxp.com, trent.uehling@nxp.com, bihua.he@nxp.com, tingdong.zhou@nxp.com, meijiang.song@nxp.com, azham.mohdsukemi@nxp.com, taki.fan NXP CN 1113 评估带盖高性能微处理器上铟热界面材料 (TIM) 横截面方法热界面材料 Neo, Shao Ming; Song, Mei Hui; Tan, Kevin Bo Lin; Lee, Xi Wen; Oh, Zi Ying; Foo, Fang Jie 美国超微半导体公司 SG 1125 铟银合金热界面材料可靠性和覆盖率下降机制分析 热界面材料 Park, Donghyeon 安靠科技 韩国 KR 1225 金属 TIM 热界面材料的免清洗助焊剂选择 Li, Dai-Fei; Teng, Wen-Yu; Hung, Liang-Yih; Kang, Andrew; Wang, Yu-Po SPIL TW 1136 倒装芯片 GaN-on-SiC HEMT 的热设计和分析 热管理和特性 1 Feng, Huicheng; Zhou, Lin; Tang, Gongyue; Wai, Eva Leong Ching; Lim, Teck Guan 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1163 用于高性能计算的硅基微流体冷却器封装集成 热管理和特性 1 Han, Yong; Tang, Gongyue; Lau, Boon Long 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1103 电源管理 IC 器件效率和热研究 热管理和特性 1 Ge, Garry; Xu, LQ; Zhang, Bruce; Zeng, Dennis NXP 半导体 CN 1274 实时评估重新分布层 (RDL) 有效热导率分布 热管理和特性 2 Liu, Jun; Li, Yangfan; Cao, Shuai; Sridhar, N.新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1282 POD-ANN 热建模框架，用于 2.5D 芯片设计的快速热分析 热管理和特性 2 李扬帆；刘军；曹帅；Sridhar, Narayanaswamy 新加坡科技研究局高性能计算研究所 SG 1171 接触特性对无油脂均匀接触表面热接触阻的影响 热管理和特性 2 Aoki, Hirotoshi (1); Fushinobu, Kazuyoshi (2); Tomimura, Toshio (3) KOA corporation JP 1259 从封装热测量到材料特性：远程荧光粉老化测试 热管理和特性 3 Hegedüs, János; Takács, Dalma; Hantos, Gusztáv; Poppe, András 布达佩斯技术与经济大学 HU 1343 使用强化学习优化热感知异构 2.5D 系统中的芯片放置 热管理和特性 3 Kundu, Partha Pratim (1); Furen, Zhuang (1); Sezin, Ata Kircali (1); Yubo, Hou (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技城信息通信研究所 (I2R) SG 1354 使用贝叶斯优化进行高效的热感知平面规划：一种高效模拟方法 热管理和特性 3 Zhuang, Furen (1); Pratim Kundu, Partha (1); Kircali Sezin, Ata (1); Hou, Yubo (1); Dutta, Rahul (2); James, Ashish (1) 新加坡科技研究局 (A*STAR) 信息通信研究所 (I2R) SG 1258 大面积覆盖波长转换荧光粉的 LED 封装的热特性 热管理和特性 4 Hantos, Gusztáv；Hegedüs, János；Lipák, Gyula；Németh, Márton；Poppe, András 布达佩斯理工经济大学 HU 1199 多芯片功率 µModules 热性能增强研究 热管理和特性 4 Dai, Qiaobo (1); Liu, Zhen (1); Liao, Linjie (2); Zheng, Boyu (1,3); Liu, Zheng (1); Yuan, Sheng (1) 长沙安木泉智能科技有限公司 CN 1269 用于电源逆变器应用中直接冷却的大面积银微孔连接的耐热可靠性 热管理和特性 4 Yu, HaYoung；Kim, Seoah； Kim, Dongjin 韩国工业技术研究院 KR 1289 基于 PCM 的散热器的数值优化用于高功率密度电子产品热管理 热管理和特性 4 HU, RAN (1,2); Du, Jianyu (2); Shi, Shangyang (1,2); Lv, Peijue (1,2); Cao, Huiquan (2); Jin, Yufeng (1,2); Zhang, Chi (2,3,4); Wang, Wei (2,3,4) 北京大学 CN 1344 通过机器学习 TSV 和晶圆级封装加速细间距晶圆间混合键合中的套刻误差优化 1 James, Ashish (1); Venkataraman, Nandini (2); Miao, Ji Hong (2); Singh, Navab (2);李晓莉 (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1373 300mm 晶圆级 TSV 工艺中钌种子层直接镀铜研究 TSV 和晶圆级封装 1 Tran,Van Nhat Anh；Venkataraman, Nandini；Tseng, Ya-Ching；陈智贤 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1227 利用小型数据库上的集成学习预测晶圆级封装的可靠性寿命 TSV 和晶圆级封装 1 苏清华 (1)；袁卡德摩斯 (2)；蒋国宁 (1) 国立清华大学 TW 1396 数字光刻在利用新型 PI 电介质进行 UHD FoWLP 图案化中的优势 TSV 和晶圆级封装 2 Varga, Ksenija EV Group AT 1193 芯片到晶圆和晶圆到晶圆密度估计和设计规则物理验证。TSV 和晶圆级封装 2 Mani, Raju；Dutta, Rahul；Cheemalamarri, Hemanth Kumar； Vasarla Nagendra，Sekhar 微电子研究所 (IME)，新加坡 SG 1374 面板级精细图案化 RDL 中介层封装 TSV 和晶圆级封装 2 Park, Jieun；Kim, Dahee；Choi, Jaeyoung；Park, Wooseok；Choi, Younchan；Lee, Jeongho；Choi, Wonkyoung 三星电子 KR 1180 针对透模中介层 (TMI) 加工 TSV 和晶圆级封装的高深宽比铜柱制造优化 4 Peh, Cun Jue；Lau, Boon Long；Chia, Lai Yee；Ho, Soon Wee。新加坡微电子研究所（IME） SG 1405 2.5D/3D 封装的拆分工艺集成 TSV 和晶圆级封装 4 Li, Hongyu (1);Vasarla Nagendra, Sekhar (1);Schwarzenbach, Walter (2);Besnard, Guillaume (2);Lim, Sharon (1);BEN MOHAMED, Nadia (2);Nguyen, Bich-Yen (2) 新加坡微电子研究所（IME） SG 1369 通过晶圆芯片工艺中的键合序列优化实现生产率最大化 TSV 和晶圆级封装 4 Kim, Junsang (1);Yun, Hyeonjun (1);Kang, Mingu (1);Cho, Kwanghyun (1);Cho, Hansung (1);Kim, Yunha (1);Moon, Bumki (1);Rhee, Minwoo (1);Jung, Youngseok (2 三星电子 KR 1412 综合使用不同分割方法的玻璃芯片强度比较晶圆加工和特性 1 WEI, FRANK DISCO CORPORATION 美国 1388 用于微流体和 CMOS 电子扇出型 200mm 重组晶圆晶圆加工和特性 1 Wei, Wei; Zhang, Lei; Tobback, Bert; Visker, Jakob; Stakenborg, Tim; Karve, Gauri; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1332 基于衍射的对准传感器和标记设计优化，以实现与玻璃晶圆粘合的 50 微米厚 Si 晶圆的精细覆盖精度晶圆加工和特性 1 Tamaddon, Amir-Hossein (1);Jadli, Imene (1);Suhard, Samuel (1);Jourdain, Anne (1);Hsu, Alex (2);Schaap, Charles (2);De Poortere, Etienne (2);Miller, Andy (1);Ke Imec BE 1352 用于 200mm 晶圆上传感器应用的 CMOS 兼容 2D 材料集成晶圆加工和特性 2 Yoo, Tae Jin; Tezcan, Deniz Sabuncuoglu Imec BE 1384 在 200mm CMOS 图像传感器晶圆上制造高光谱组件晶圆加工和特性 2 Babu Shylaja, Tina;柳泰金；吉伦，伯特；塔克，克拉斯；萨本库奥卢·特兹坎,Deniz Imec BE 1367 在基于芯片的异构集成中，在芯片尺寸和封装参数之间进行权衡以实现最佳性价比。晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处的含碳薄膜以用于背面供电网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国（2）;GUCLA美国晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US晶圆加工和特性 2 Zhai, Max (1); Sahoo, Krutikesh (2); Iyer, Subramanian (2) UCLA US 1390 键合界面含碳薄膜的特性分析以应用于背面功率传输网络 晶圆加工和特性 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化 晶圆加工和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USSubramanian (2) UCLA US 1390 表征键合界面处含碳薄膜以用于背面功率传输网络晶圆处理和表征 2 Kitagawa, Hayato; Sato, Ryosuke; Fuse, Junya; Yoshihara, Yuki; Inoue, Fumihiro 横滨国立大学 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 临界尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和表征 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US横滨国立大学文弘 JP 1411 使用正性光刻胶掩模通过光刻步进机对 1µm 关键尺寸硅通孔进行图案化晶圆处理和特性 3 Sundaram, Arvind (1); Kang, Riley (2); Bhesetti, Chandra Rao (1) 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1410 用于多代工厂兼容超导中介层晶圆级处理的铌最后工艺晶圆加工和特性 3 Goh, Simon Chun Kiat;Ng, Yong Chyn;Ong, Javier Jun Wei;Lau, Daniel;Tseng, Ya-Ching;Jaafar, Norhanani;Yoo, Jae Ok;Liu, Liyuan;Teo, Everline Shu Yun;Chua, N 新加坡微电子研究所 (IME) SG 1331 一种使用磁和毛细管辅助自对准的新型 D2W 键合对准方案晶圆加工和特性 3 Choi, Daesan (1); Kim, Sumin (2); Hahn, Seung Ho (1); Moon, Bumki (1); Rhee, Daniel Minwoo (1) 三星电子 KR 1233 高可靠性底部端接封装侧壁电镀的新型湿化学处理 晶圆加工和特性 4 Hovestad, Arjan (1); Basu, Tarun (2) Besi NL 1285 通孔氧化铝通孔的制造：一种使用超声波加工和化学沉积的经济高效的替代方法 晶圆加工和特性 4 Pawar, Karan; Pandey, Harsh; Dixit, Pradeep 印度理工学院孟买分校 IN 1123 fcBGA 与扇出型 SiPlet 封装的电气、热学和机械性能比较 晶圆加工和特性 4 Ouyang, Eric; Ahn, Billy; Han, BJ; Han, Michael; Kang, Chen; Oh, Michael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; 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Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA USMichael Silicon Box US 1397 用于 5G 毫米波智能手机应用的带可控波束的紧凑型 1x4 天线阵列 无线和天线封装设计 Hsieh, Sheng-Chi ASE GROUP TW 1139 开发 2.4GHz 频段 L 形圆极化缝隙天线 无线和天线封装设计 Suehiro, Kazuki; Nakashima, Kenta; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1203 通过多级 Cockcroft-Walton 电路开发远程无线能量收集电路 无线和天线封装设计 Tagawa, Nobuya; Hosaka, Ryoma; Tanaka, Hayato; Goodwill, Kumar; Kanaya, Haruichi 九州大学 JP 1261 Chiplet 时代的成本性能协同优化 AI 应用的封装设计和特性 Graening, Alexander Phillip (1);Patel, Darayus Adil (2);Sisto, Giuliano (2);Lenormand, Erwan (2);Perumkunnil, Manu (2);Pantano, Nicolas (2);Kumar, Vinay BY (2);GUCLA US
婴儿颤抖综合征和自闭症
NLM 提供对科学文献的访问，但并不意味着 NLM 或美国国立卫生研究院认可其内容。详细了解 PMC 免责声明和版权声明。2021 年 2 月 1 日发表在 PMC 上的一项研究发现，自闭症谱系障碍 (ASD) 出现在幼儿时期，当时婴儿从正常的行为特征过渡到幼儿期表现出 ASD 特征。前瞻性脑成像研究通过揭示 ASD 的神经生物学和发育过程，显示出在症状前检测和为早期干预提供信息方面的巨大希望。本文回顾了从出生到幼儿期 ASD 大脑发育的神经影像学研究，将这些发现与候选神经生物学机制联系起来，并讨论了对未来研究和临床实践的影响。在美国，ASD 的患病率为 1/59，其特点是症状特征各异，社交沟通障碍和限制性重复行为的严重程度各不相同。尽管人们对了解自闭症的神经生物学非常感兴趣，但大多数研究都是横断面研究和诊断后研究，涉及的年龄范围很广。最近的前瞻性研究跟踪了高风险兄弟姐妹从婴儿期到幼儿期的情况，发现自闭症的诊断症状在生命的第一年和第二年的后半段出现。运动技能、对面部和社交场景的关注、对名字的反应、视觉接收和语言技能的差异在生命第二年的早期也很明显。这些行为发生在出生后大脑发育的高度动态时期，其特点是大脑结构和功能发生重大变化。自闭症谱系障碍 (ASD) 患者的大脑发育已得到广泛研究，研究使用了 MRI 等神经成像技术。研究表明，非典型大脑表型在婴儿期出现，通常在两岁左右症状巩固之前。研究表明，后来患上自闭症的婴儿在 12 至 24 个月之间表现出更快的总脑容量增长速度，与非自闭症同龄人相比，这些个体的脑容量有所增加。最近的研究还将生命第二年期间大脑总体积的变化率与 ASD 相关的社交缺陷的严重程度联系起来。此外，研究表明，大脑过度生长不是出生时存在的，而是在生命第一年的后期出现的。这些发现对临床实践具有重要意义，并强调需要进一步研究以确定个人特定的发育问题领域，利用神经学特征分析病因异质性，将遗传变异纳入神经影像学研究，绘制大脑发育和行为表型的共现图，并将体内 MRI 与基础科学相结合，揭示 ASD 病理生理学的机制见解。研究发现，6 至 12 个月大的婴儿的大脑发育显著增长，后来患上了自闭症谱系障碍 (ASD)，并在生命第二年出现大脑过度生长。这一发现支持了皮质过度扩张导致 ASD 大脑过度生长的假设。此外，使用机器学习方法通过 6 个月和 12 个月的 MRI 测量值进行诊断分类。研究还发现皮质表面积和厚度的差异检查，ASD 婴儿和幼儿与对照组之间没有发现差异。一项研究在某些情况下观察到局部皮质区域的厚度增加，这可能是由于年龄范围或使用的图像分析管道造成的。在青少年和成年人中，观察到皮质厚度差异，但影响的方向不同。混合纵向设计发现，对于患有 ASD 的个体，儿童时期的皮质厚度较大，随后在中期轨迹交叉，成年早期局部皮质厚度减少。研究表明，皮质厚度的异常模式在 3 岁后出现，此后遵循动态发展模式。还检查了皮质脑回模式，一项研究发现 3 岁时患有自闭症的男孩的梭状回脑回减少，并且脑回纵向增加。在患有自闭症谱系障碍 (ASD) 的个体中，在学龄前，颞叶、额叶和顶叶等区域的脑回增加，而正常发育的对照组局部脑回保持稳定或减少。这与之前关于患有自闭症的大龄儿童和成人大脑发育增加的发现一致。需要进一步研究来揭示患有自闭症的幼儿和婴儿大脑结构的发育模式。杏仁核是大脑的核心社交区域，引起了人们对自闭症病理生理学的极大兴趣，但很少有研究探索其在儿童早期的发展。研究表明，学龄前杏仁核增大与较差的社交和沟通结果相关，在患有 ASD 的女孩身上观察到了显著的影响。纵向调查揭示了患有 ASD 的幼儿的杏仁核大小、行为和遗传风险因素之间的复杂关系。作者比较了正常发育儿童和发育迟缓儿童的小脑体积，但没有发现行为和小脑体积之间的关联。然而，一项针对患有 ASD 的幼儿的研究报告称，小脑内的白质体积较大，灰质增加，尤其是在女性中。其他研究表明，病例组和对照组的小脑体积没有差异，而一些研究表明，与正常发育个体相比，自闭症儿童和成人的胼胝体可能较小。一项对具有自闭症家族风险的婴儿的纵向研究发现，他们的胼胝体面积在出生后第一年增加，但到 2 岁时就恢复正常。此外，在这些婴儿中还观察到轴外液量的增加，这种增加在患上自闭症之前一直持续到 24 个月。研究发现，6 个月时的轴外液量与自闭症谱系障碍 (ASD) 严重程度有关。在更大的婴儿群体中，与对照组相比，患有自闭症的婴儿轴外液量增加了 18%。该研究还报告称，自闭症症状最严重的儿童轴外液量增加了 25%。Shen 和同事发现，无论孩子是否有家族风险，轴外液的增加都会持续到 3 岁。他们还将体液增加与自闭症儿童的睡眠问题和非语言能力下降联系起来。使用扩散 MRI 的研究调查了 ASD 中的白质连接性和完整性。虽然很少有研究关注学龄前时期，但早期研究结果表明大脑某些区域的分数各向异性 (FA) 较高，表明白质特性更成熟。尽管在很宽的年龄范围内都出现了下降，但研究发现患有自闭症谱系障碍 (ASD) 的幼儿和儿童的分数各向异性 (FA) 较低。两项纵向研究揭示了 ASD 中白质发育的动态发展性质。一项研究跟踪了 6 至 24 个月大有患 ASD 风险的婴儿，发现那些后来患上 ASD 的婴儿最初表现出 FA 增加，随后成熟速度变慢。另一项研究报告了与年龄相关的 FA 异常变化，FA 在较小年龄时较大，后来变化速度变慢。这些发现表明 ASD 的特点是生命第一年 FA 增加，随后成熟速度变慢，最终可能导致年龄较大的儿童和成年人的 FA 值降低。最近的研究还探索了白质发育作为网络或连接组的情况。一项研究发现，与对照组相比，患有 ASD 的幼儿局部和整体效率降低，尤其是在感觉处理区域。另一项研究表明，在后来患上 ASD 的婴儿中，早在 6 个月大时，白质网络效率就存在缺陷。此外，研究将白质发育与幼儿的 ASD 相关行为联系起来，包括限制性和重复性行为以及对感觉刺激的反应。语言分数的个体差异与白质发育的差异有关。对有自闭症谱系障碍 (ASD) 家族风险的婴儿的研究发现，大脑结构的改变可能导致 ASD 的行为紊乱。功能性磁共振成像研究揭示了神经活动对听觉刺激的反应存在差异，包括大脑半球之间的同步性降低和语言网络的异常侧化。与对照组相比，患有自闭症的幼儿表现出较弱的半球间同步性，双侧颞叶和额叶区域的激活度降低。该研究还发现大脑与行为之间的关系呈负相关，表明自闭症患者的语言区域功能特化异常。研究表明，婴儿在患上自闭症谱系障碍 (ASD) 后，某些区域（如扣带回和岛叶）的大脑活动可能会发生变化。然而，还需要更多的研究来证实这些模式是否是自闭症所特有的。研究还发现，患有自闭症的小男孩的杏仁核与其他参与社交沟通和重复行为的大脑区域之间的联系减弱。一项针对有患自闭症风险的婴儿的研究发现，不同大脑网络的功能连接与后来的限制性和重复性行为的发展之间存在关联。然而，随着孩子长大，这种关联的方向发生了变化。研究还表明，静息状态连接可用于预测 6 个月大婴儿的诊断结果。早在 6 个月大时，患上 ASD 的婴儿就表现出异常的白质发育和脑脊液量增加，这与运动延迟和非典型视觉定向相吻合。大脑变化先于定义 ASD 特征的出现，并与生命第一年的行为变化有关。这些发现表明，大脑表型保持稳定，而 ASD 症状在生命第二年巩固。跨多个范式的研究（包括每个表型的纵向研究）支持此处提出的发现（图）。双条表示轨迹的未知或记录不全的起点和/或终点。顶部面板中的虚线表示典型的大脑发育，上下偏差表示相对于对照组的大脑表型增加或减少。例如，与对照组相比，ASD 中的分数各向异性在 6 个月时增加，在 12 个月时保持不变，从 24 个月到 36 个月时降低。重复行为和社交缺陷持续超过 36 个月，没有被引用，因为这些是自闭症患者的诊断特征。第一年的表面积过度扩张先于第二年的大脑过度生长34。同时，对名字的反应改变从 9 个月开始，并持续到 24 个月21，与对照组相比，注意力轨迹不同19，自闭症症状的出现9,11–14。这些发现有助于形成一条发展时间表，其中与自闭症和风险相关的大脑和行为表型在前驱期出现，大致在两岁生日之前，此后诊断症状得到巩固。在灰质发育和皮质表面积扩大的推动下，头两年大脑快速生长27。然而，在 ASD 中，这种出生后的轨迹被打乱了。行为和神经影像学研究表明，皮质表面积的过度扩张与 6 至 12 个月前观察到的运动、感觉和视觉缺陷的前驱期同时发生，随后在第二年出现大脑过度生长和自闭症社交缺陷2。这凸显了控制表面积扩张的机制在 ASD 病理生理学中的核心作用。扩张被认为是由神经祖细胞增殖、分化和迁移113–116 控制的，oRG 细胞群扩张与大脑大小直接相关113。神经祖细胞增殖和神经发生在 ASD 发展中的潜在作用得到了临床前、遗传、尸检数据118 和最近研究的支持，这些研究表明来自 ASD 患者的细胞存在过度增殖。此处给出文章文本 大脑生长加快，特别是某些区域（例如视觉皮层）的大脑生长加快，可能是自闭症综合征的标志，包括 16p11 缺失、PTEN 和 Chd8 突变。研究表明，神经元增殖增加会导致神经连接发生变化，进而影响电路功能和行为。对小鼠的研究还发现，上层锥体神经元的过度繁殖会破坏正常的大脑发育，导致突触连接改变和类似自闭症的行为。此外，研究报告称，患有大头畸形的 ASD 患者的突触形成和神经元兴奋性发生了改变，抑制性神经元和突触也增加了。这些发现表明，大脑生长异常和神经回路中断可能是某些自闭症谱系障碍 (ASD) 亚型的潜在因素。此外，在 ASD 小鼠模型中观察到了经验依赖性可塑性和突触修剪机制的中断，这凸显了平衡兴奋性和抑制性突触在调节神经元之间竞争方面的重要性。研究还表明，6 至 12 个月的皮质过度扩张可能导致视觉定向行为缺陷，最终导致电路修剪效率低下和 ASD 特征的出现。此处给出文章文本自闭症谱系障碍 (ASD) 中存在轴外液体量表明存在超出当前理解的其他致病机制。最近的研究强调了脑脊液 (CSF) 在大脑发育和功能中的作用，研究结果表明脑脊液循环中断和代谢物积累会影响大脑功能。在表面积过度扩张之前增加的脑脊液量表明脑脊液在 ASD 的病理生理学中起调节作用。胼胝体形态和白质微结构的改变暗示着髓鞘形成、轴突口径和连接性控制过程。髓鞘形成基因富集的小鼠模型已发现少突胶质细胞功能发生显著改变，导致髓鞘厚度减少和连接效率低下。这些发现支持了这样一种观点，即 ASD 源于多种产前和产后致病机制，包括神经增殖、迁移、突触发生、修剪、髓鞘形成以及轴突发育和连接。尽早发现婴儿期的 ASD 对开发更有效的治疗方法至关重要。这一过程的复杂性反映在 ASD 患者身上观察到的多种症状和临床结果上。最近的研究使用机器学习技术分析婴儿 MRI 扫描，并以高精度预测 24 个月时的 ASD 诊断。特别是两项研究表明，生命第一年收集的 MRI 扫描可用于准确识别将继续发展为 ASD 的婴儿。一项研究开发了一种深度学习算法，该算法正确预测了 106 名高危婴儿的诊断结果，灵敏度为 88%，特异性为 95%，阳性预测值为 81%。这种方法优于生命头两年的行为测量，并有可能在大脑发育的关键时期实现早期干预。另一项研究使用支持向量回归机在 59 名高危婴儿样本中预测 ASD 诊断，灵敏度为 82%，特异性为 100%，阳性预测值为 100%。这些发现为使用 MRI 和机器学习技术进行更大规模的症状前诊断分类研究铺平了道路。在儿科神经影像学中使用数据驱动方法有望绕过事先进行特征选择的需要，从而实现更准确和更通用的模型。研究表明，深度学习 (DL) 方法可以实现更高的抽象和复杂程度，从而检测数据中的细微模式。然而，在经验丰富的专业人员（如人工智能科学家、统计学家或工程师）的监督下使用这些方法至关重要，他们经常将机器学习算法应用于高维数据集。对疾病的临床了解对于解释这些模型产生的复杂结果也至关重要。进行基于神经影像的预测研究的最佳实践包括确保足够的样本量和普遍性、解释和方法透明度。未来使用大型、公开可用的数据集的工作将有助于解决与样本量和类别不平衡相关的问题。解决这些问题需要开发新方法，例如合成过采样策略。了解从 MR 图像中得出的哪些特征有助于分类也至关重要。虽然目前的方法可以解释深度学习模型，但需要进一步研究来应对这一挑战。最终，在出版物中报告和共享机器学习算法的透明度对于共享知识和为该领域的最佳实践制定标准是必要的。该研究采用了机器学习算法，报告样本量、交叉验证、训练、测试程序、解决类别不平衡、调整参数和优化步骤。应包括解释结果的详细信息，包括识别算法学习的信息和临床相关的性能指标（特异性、敏感性、阳性预测值）。必须提供用于验证和复制的用于构建算法和进行分析的代码。大规模的症状前个性化预测对于塑造临床实践具有重大意义，必须仔细考虑伦理影响。神经科学中从群体层面的相关性到个体层面的预测的转变对于改善生活至关重要，首先是通过将模型应用于新的独立数据集来复制开创性的研究。心理放射学的发展已显示出希望，旨在实现精神疾病的个性化预测。将经过验证的算法整合到临床实践中符合精准医疗框架，为个体分配个性化治疗计划。早期诊断和干预至关重要；虽然存在针对 ASD 的循证行为干预，但预防性干预仍未经证实。神经影像学可以用作基于生物学的筛查工具，指导未来的研究。考虑到 ASD 和神经发育障碍的表型变异性，下一步的主要工作是开发方法来预测个性化关注领域。超过四分之一的有家族性 ASD 风险的婴儿在头几年会出现亚阈值异常行为，使他们成为有针对性干预的候选人。机器学习方法已经证明了使用新生儿扩散 MRI 对幼儿期认知结果的个性化预测。未来的工作应该将类似的方法应用于有 ASD 风险的婴儿。解析神经发育特征中的异质性是一种有前途的方法，可以了解 ASD 等复杂神经精神疾病的症状多样性。 NIMH 的 RDoC 项目专注于根据神经特征识别亚组，以揭示病因和治疗方面的见解。实施聚类算法可以帮助识别疾病的不同轨迹，可能反映不同的病因。虽然遗传研究已经确定了一些 ASD 病例中的新生突变，但常见的多基因变异被认为是大多数病例的原因。可遗传背景遗传变异、多基因风险之间的关系婴儿期和幼儿期大脑发育的特定个体差异以及原因仍然未知。最近对综合征型 ASD 的研究显示了背景遗传变异对幼儿行为发育的预测能力。未来的研究应将其扩展到特发性 ASD，使用神经影像学揭示早期行为表现的见解。患有 ASD 的婴儿表现出各种大脑表型，包括过度生长、液体量增加和白质发育异常，但没有一种足以预测诊断或确定因果机制。为了更好地理解这些表型及其与行为的关系，绘制从婴儿期到诊断期间大脑和行为表型的共同发展过程应该是一个主要的科学目标。先前的研究主要集中于对大脑发育的早期阶段进行建模，但需要更多地关注可能对自闭症谱系障碍 (ASD)185 至关重要的后期阶段。未来的研究应扩展到患有 ASD 和表现出大脑过度生长表型 119–121 的个体之外，以更深入地了解该疾病的根本原因。脑成像数据可以区分有患 ASD 风险的婴儿和正常发育的儿童，甚至在出现任何明显的行为问题之前。许多研究得出了几个关键发现，包括患有 ASD 的个体的脑容量增加、轴外液体量、白质发育改变和连接模式异常。这表明各种神经生物学因素都会影响儿童早期的大脑和行为发育。最近的进展促成了个性化预测模型的开发，用于识别患 ASD 风险较高的婴儿，强调需要有效的症状前干预措施。未来的研究应集中于研究病因异质性，并通过结合神经影像学、行为和基础科学研究的多学科方法将大脑和行为发育与潜在的遗传机制联系起来。该领域在描述婴儿期和幼儿期与自闭症相关的大脑表型方面取得了重大进展，包括大脑过度生长、脑脊液量增加、白质发育改变以及结构和功能连接模式异常。使用神经影像数据预测诊断和维度结果对推进临床实践大有裨益。未来的工作应侧重于解析自闭症的异质性、将遗传变异与脑影像数据联系起来、绘制发育大脑和行为表型的共现图表以及将神经影像研究与基础科学研究相结合。近年来，自闭症早期大脑和行为发育的研究取得了重大进展。研究揭示了从出生到学龄前自闭症症状的出现，神经成像技术揭示了大脑发育的不同模式。这些发现表明自闭症可能与早期大脑结构和功能异常有关。2017 年发表的一项研究提出了一个概念框架，用于理解自闭症早期大脑和行为发育。另一项研究发现，年仅 12 个月大的婴儿表现出重复性行为，这些行为后来成为自闭症谱系障碍 (ASD) 的特征。自闭症遗传学研究也取得了进展，一些研究表明兄弟姐妹中自闭症复发风险更高。此外，纵向研究追踪了自闭症症状随时间的发展，揭示了可以为早期干预和诊断提供信息的模式和轨迹。总体而言，这些研究有助于我们了解自闭症的复杂性和多面性，强调需要进一步研究其病因、病程和治疗。研究调查了有自闭症谱系障碍 (ASD) 风险的婴儿的早期运动能力和行为。这些研究旨在确定婴儿时期自闭症的潜在标志或指标，希望它们可以用作预测指标或后期诊断的预测指标。2019 年发表的一项研究发现，患自闭症风险较高的婴儿与风险较低的婴儿相比，表现出不同的运动能力。2012 年发表的另一项研究发现，婴儿的头部滞后与患自闭症的风险增加之间存在相关性。研究人员还探讨了注意力、社交参与和视觉处理在有自闭症风险的婴儿中的作用。例如，一项研究发现，后来被诊断为自闭症的婴儿早在 6 个月大时就表现出对社交场景的自发注意力下降。另一项研究发现，这些婴儿在受到干扰时不太可能与自己的面部互动。此外，研究还检查了有自闭症风险的婴儿对言语提示和听觉刺激的反应。2017 年发表的一项研究发现，这些婴儿对名字识别的反应与没有自闭症的婴儿不同。最近的研究集中于婴儿期的大脑发育，包括白质微结构、皮层下脑功能和皮层厚度。这些研究旨在确定 ASD 的潜在生物标记或了解潜在的神经机制。总体而言，这些研究表明，早期运动能力、注意力、社交参与和视觉处理可能是婴儿期 ASD 风险的重要指标。需要进一步研究才能充分了解这些因素与 ASD 发展之间的关系。研究表明，婴儿的白质微结构发育与认知能力密切相关。研究使用基于束的分析和功能连接映射等技术，研究了从出生到 2 岁期间大脑结构和功能的变化。一项研究发现，0-24 个月大婴儿的白质结构变化与 24 个月大婴儿的认知能力提高有关（Gao 等人，2015 年）。另一项研究发现，在 6 至 18 个月大婴儿出现自闭症样症状时，婴儿在 12 个月大时某些大脑区域的白质完整性会降低，这预示着 24 个月大婴儿的诊断结果会更准确（Emerson 等人，2017 年）。其他研究人员使用 MRI 扫描检查了患有自闭症谱系障碍 (ASD) 的婴儿的大脑，发现婴儿的大脑结构存在显著差异，包括某些区域的大脑尺寸增大（Piven 等人，1992 年；Courchesne 等人，2001 年）。一项较新的研究使用大量高风险婴儿，确定了自闭症的早期生物标志物，例如大脑区域间功能连接减少（Hazlett 等人，2017 年）。这些发现表明，早期生活经历和遗传倾向可以影响自闭症儿童的大脑发育。需要进一步研究以了解推动这些变化的潜在机制并制定有效的干预措施。注意：我将参考文献压缩为较短的格式，同时保留基本信息。如果您希望我扩展任何特定参考文献或提供更多详细信息，请告诉我！一系列研究调查了自闭症谱系障碍 (ASD) 患者从出生到 2 岁及以后的大脑发育和结构。该研究使用磁共振成像 (MRI) 和头围测量来检查自闭症儿童的大脑大小和形状。研究发现，在幼儿时期，大脑增大与自闭症男孩的退化有关。此外，后来患上自闭症的个体的皮质表面积在 2 岁之前增加。纵向 MRI 研究表明，自闭症患者的皮质发育持续到儿童早期。其他研究表明，2-3 岁的幼儿就存在脑成像异常，这表明自闭症可能是一种早期神经发育障碍。一些研究发现，一部分患有自闭症的男孩的表面积增加，但皮质厚度没有增加，而其他研究则使用基于表面的形态测量法来绘制患有自闭症的学龄前儿童的皮质解剖图。总体而言，研究表明，自闭症患者的大脑结构和发育从儿童早期开始就会发生改变。自闭症谱系障碍 (ASD) 的研究表明，大脑结构的变化，特别是皮质厚度的变化，可能与自闭症有关。研究发现，与没有自闭症的人相比，自闭症患者的皮质厚度往往会发生变化。然而，这些变化的程度和性质在不同的发育阶段会有所不同。一些研究表明，患有自闭症的儿童表现出额叶皮质褶皱增加，而年龄较大的青少年和成年人则表现出额叶皮质褶皱减少。此外，研究发现，患有自闭症的个体经常表现出脑沟大小和形状异常，这可能与社交沟通障碍有关。杏仁核是参与情绪处理的区域，也与自闭症有关。研究表明，患有自闭症的个体往往比没有自闭症的个体拥有更大的杏仁核，尤其是在幼儿和幼儿中。然而，杏仁核大小和自闭症行为症状之间的关系很复杂，受各种因素的影响。纵向研究为自闭症大脑变化的发展和进展提供了宝贵的见解。例如，一项研究发现，自闭症儿童的杏仁核体积随着年龄的增长而增加，而另一项研究发现，联合注意力技能与杏仁核体积的变化有关。脆性 X 综合征的研究强调了自闭症的异质性，脆性 X 综合征与自闭症有一些相似之处，但也表现出明显的大脑差异。总体而言，研究结果表明，大脑结构和功能在理解自闭症方面发挥着重要作用，需要进一步研究来阐明大脑变化与自闭症行为症状之间的复杂关系。一些发表在知名期刊上的重要研究包括：* Wolff 等人（2014 年）- 神经发育障碍：通过发展研究加速自闭症的进展。* Libero 等人（2018 年）- 自闭症谱系障碍年轻男孩局部脑回指数的纵向研究。* Williams 等人（2012 年）- 自闭症和阅读障碍皮质复杂性的球谐分析。* Kohli 等人（2019 年）- 自闭症谱系障碍儿童的局部皮质脑回增加，但青少年的局部皮质脑回迅速减少。这些研究表明，人们正在努力了解自闭症的神经基础，并开发有效的干预措施来支持患有这种疾病的人。研究调查了与自闭症谱系障碍 (ASD) 相关的大脑结构和发育变化。研究发现，患有自闭症的儿童，尤其是 2-5 岁的儿童，尾状核发育异常，而尾状核与重复行为有关。此外，由于家庭因素而患自闭症风险较高的婴儿被发现存在大脑解剖结构差异，包括皮层下和小脑区域，这预示着以后重复行为的出现。纵向研究还表明，患有自闭症的幼儿随着时间的推移，胼胝体形态会发生变化。这些变化可能与自闭症相关症状的发展有关，例如社交互动受损和沟通困难。此外，研究强调了小脑在自闭症中的潜在作用，几项研究表明自闭症患者的小脑体积和结构发生了改变。小脑参与运动控制、学习和情绪调节，可能导致自闭症中观察到的认知和行为症状。总体而言，这些发现表明，大脑发育和解剖结构的早期变化可能与自闭症症状的出现有关，特别是那些与重复行为和社交沟通困难相关的症状。本文讨论了一系列关于自闭症谱系障碍 (ASD) 儿童大脑发育的研究。该研究重点关注了自闭症儿童与非自闭症儿童相比，大脑中白质纤维和连接的发育情况。一项研究发现，自闭症儿童在幼儿期白质成熟速度加快。另一项研究发现自闭症儿童的白质完整性存在异常。第三项研究表明，后来被诊断患有自闭症的幼儿颞胼胝体纤维表现出多种结构异常。其他研究使用弥散张量成像 (DTI) 来研究自闭症儿童白质纤维和连接的发育情况。一项研究发现，6-24 个月之间，自闭症婴儿与非自闭症婴儿的白质纤维束发育存在差异。另一项研究发现，自闭症幼儿的白质连接异常，包括额叶可能存在轴突过度连接。总体而言，这些研究表明，自闭症儿童的白质纤维和连接发育可能存在异常，这可能与该疾病特有的社交和认知缺陷有关。研究发现，自闭症谱系障碍 (ASD) 患者的网络效率低下早在 24 个月大时就存在，这种现象可能会持续存在并随着时间的推移发展成更严重的症状。研究表明，有患自闭症风险的婴儿在 6-7 个月大时就会表现出异常的神经回路和白质微结构，尤其是在负责语言处理和社交互动的区域。此外，研究还发现，自闭症患者的大脑中与语言处理相关的脑区侧化往往会发生改变，这会影响他们处理和理解语言的能力。这种语言障碍被认为是自闭症早期出现的根本特征。此外，研究表明，自闭症幼儿的神经同步模式被破坏，这可能导致自闭症特有的社交和沟通障碍的发展。研究还探讨了自闭症幼儿的大脑功能与社交行为之间的关系。研究发现，与社交和感觉运动缺陷相关的神经回路功能连接异常可以预测自闭症的后期症状。最后，研究检查了患有自闭症的学龄前男孩语言变异的神经相关性，发现非典型语言处理模式与患自闭症的风险更高有关。总体而言，这些研究表明，大脑结构和功能的早期异常可能导致自闭症症状的发展，并强调早期诊断和干预的必要性。研究表明，患有自闭症谱系障碍 (ASD) 的儿童表现出大脑连接和发育中断，特别是在杏仁核和胼胝体等区域。研究还发现白质纤维束发育存在差异，这可能导致自闭症的发展。有患自闭症风险的婴儿的大脑功能和结构发生了改变，包括白质和胼胝体的变化。这些发现表明，早期干预可能有助于预防或减轻自闭症的影响。此外，研究表明，更广泛的自闭症表型早在婴儿期就可能出现，这表明自闭症是一种复杂的特征，不能仅仅归因于遗传因素。此外，对人类大脑发育的研究揭示了神经干细胞和祖细胞在大脑皮层形成中的作用。研究还表明，进化过程中的大脑皮层扩张可能与自闭症的病因有关。总的来说，这些发现强调了早期发现和干预自闭症风险患者的重要性，以及进一步研究这种复杂疾病的潜在机制和原因的必要性。注意：我在改写过程中进行了一些创造性的改动，使其更易读、更简洁，同时保持了原文的整体含义和本质。对特发性自闭症患者神经细胞的研究表明，其增殖和网络发生了改变（Marchetto 等人，2017 年）。此外，研究发现，自闭症谱系障碍中存在 FOXG1 依赖的 GABA/谷氨酸神经元分化失调（Mariani 等人，2015 年）。此外，病理性启动与自闭症受试者衍生神经元的发育基因网络异时性有关（Schafer 等人，2019 年）。遗传学研究已确定了与自闭症有关的几个关键基因，包括 PTEN，它调节小鼠的神经元树突和社交互动（Kwon 等人，2006 年）。破坏性 CHD8 突变也已被证明可在发育早期定义自闭症亚型（Bernier 等人，2014 年）。已经研究了来自自闭症谱系障碍遗传模型的人类诱导多能干细胞衍生神经元的细胞表型，揭示了与典型对照细胞相比的细胞差异（Deshpande 等人，2017 年）。在 16p11.2 缺失和重复变异的携带者中也发现了相反的大脑差异（Qureshi 等人，2014 年）。研究探索了小鼠大脑皮层上层神经元与自闭症样特征之间的关系，揭示了这些神经元的过量生产导致自闭症行为（Fang 等人，2014 年）。改变的大脑皮层基因表达、大脑过度生长和功能过度连接也与小鼠的 Chd8 单倍体不足有关（Suetterlin 等人，2018 年）。对发育突触修剪的研究揭示了 LTD 样分子通路在此过程中的作用，对自闭症研究具有潜在意义（Piochon 等人，2016 年）。局部皮质回路的关键期可塑性也得到了探索，强调了这一时间窗口对大脑正常发育和功能的重要性（Hensch，2005）。已发现导致综合征性自闭症的突变定义了突触病理生理学轴，这对我们理解自闭症的潜在机制具有重要意义（Auerbach 等人，2011）。研究人员发现，综合征性和非综合征性自闭症啮齿动物模型中存在共同的突触病理生理学。研究还表明，在携带与自闭症相关的拷贝数变异的小鼠中，小脑可塑性和运动学习能力受损。此外，有自闭症风险的婴儿的白质微结构发生了改变，表明早期大脑发育发生了变化。已发现脑脊液 (CSF) 在神经祖细胞增殖中起着至关重要的作用，可能参与自闭症的早期大脑发育。 CSF 还提供了清除间质溶质（包括淀粉样蛋白 β）的途径。髓鞘形成缺陷在综合征型和特发性自闭症谱系障碍 (ASD) 中很常见。Pten 的体质性错误定位与少突胶质细胞的早熟和 ASD 模型中的异常髓鞘形成有关。前额叶轴突的变化可能会破坏自闭症中的网络，表明连接性发生了改变。活动依赖性髓鞘形成和髓鞘形成神经胶质细胞上的非突触连接促进电活性轴突的优先髓鞘形成。最后，几项研究已经确定了自闭症谱系障碍 (ASD) 的常见遗传风险变异，强调了了解这种疾病背后的复杂遗传学的重要性。这一系列参考文献涉及自闭症谱系障碍 (ASD) 及其早期检测和预测。这些论文探讨了各个方面，包括：* ASD 的生物学，从细胞增殖到临床表型 * 父母的担忧可以预测以后的自闭症诊断 * 18 个月的标记可以预测自闭症儿童的弟弟妹妹以后的结果 * 幼儿自闭症的筛查工具 * 对疑似患有自闭症的幼儿的临床评估和管理 * 使用深度学习和机器学习算法研究精神和神经疾病（包括自闭症）的神经影像相关性 此外，参考文献还涉及： * 深度学习在婴儿脑部 MRI 分析中的作用 * 解决不平衡数据集和改进预测模型的技术 * 从出生到婴儿期自闭症患者的大脑和行为发展 * 预测是人类认知神经科学对人道主义和务实应用的贡献 * 跟踪精神病的维度和分类特征的个体特定功能连接标记 总体而言，这些参考文献为自闭症的早期发现和预测以及机器学习和深度学习算法在该领域的应用提供了见解。最近的研究探索了精神神经影像学在临床环境中的应用，即心理放射学。该领域已显示出利用磁共振成像 (MRI) 和放射组学分析检测精神分裂症和注意力缺陷多动障碍 (ADHD) 的前景。具体而言，研究重点是通过分析大脑图像和基于图形的指标来提高 ADHD 的诊断准确性。研究还检验了对患有自闭症谱系障碍的幼儿进行早期干预的有效性，包括父母介导的疗法和行为干预。此外，人们对精准医疗的兴趣日益浓厚，精准医疗旨在根据患者独特的基因特征为其量身定制治疗方案。另一个研究领域涉及了解自闭症的神经相关性，一些研究表明，出生时的白质连接组可以预测成年后的认知能力。此外，脑成像和机器学习的进步使研究人员能够开发出分析大脑网络和预测神经发育结果的新工具。这些发现对一系列神经和精神疾病的早期诊断、治疗和干预策略具有潜在意义。提到的一些关键研究包括：* Lei 等人。 (2019)：研究了全脑图像、全连接组功能连接和基于图形的指标在检测精神分裂症方面的相对诊断价值。 * Port JD (2018)：提出使用 MRI 成像和放射组学分析来诊断 ADHD。 * Collins & Varmus (2015)：提出了一项关于精准医疗的新举措。 * Dawson 等人 (2010)：对患有自闭症的幼儿进行了一项早期干预的随机对照试验，称为早期丹佛模式。 * Kasari 等人 (2015)：评估了家长干预对自闭症幼儿的比较效果。这些研究表明，我们正在不断努力提高对精神神经影像学及其在临床环境中的应用的理解。以下文章讨论了自闭症谱系障碍 (ASD) 研究的各个方面，包括诊断、认知特征、大脑功能和遗传因素。这些研究探讨了理解 ASD 的不同方法，例如使用机器学习算法来识别认知特征的亚型，分析静息状态功能网络来识别大脑系统的个体特定特征。文章还讨论了考虑 ASD 异质性的重要性，一些研究侧重于父母认知和行为特征在塑造临床变异性方面的作用。其他研究则探讨了早期运动迟缓与后来诊断 ASD 或表达性语言困难之间的关系。这项研究强调了精准医疗方法的必要性，以了解 ASD 的复杂原因，重点是开发更有效的诊断工具和治疗方法。研究表明，常见的遗传变异、多基因风险和罕见基因突变的附加效应都会增加患 ASD 的风险。 2012 年和 2016 年的两篇研究论文研究了有自闭症风险的婴儿的沟通延迟。这些研究发现，早期运动技能可以预测自闭症谱系障碍儿童的语言发育。2019 年发表的另一项研究讨论了基于干细胞的脑器官的出现，这可能有助于理解发育障碍。日本的一系列病例使用视频脑电图监测研究了四名 8 至 14 个月大婴儿的颤抖发作 (SA)。发作的特征是凝视、紧张和颤抖，通常在清醒时成群发生，没有意识障碍。不寻常的动作包括罕见的眼球反张姿势和眼球偏斜。这些发作通常由换尿布或喂食时间引发，在 2-3 岁时会消退或显着改善。颤抖发作可能会被误诊为癫痫；然而，在大多数情况下，它们被认为是一种可以消退的良性疾病。另一种需要考虑的情况是由于镁营养缺乏导致的婴儿震颤综合征，这种综合征会导致快速震颤，在睡眠期间会消失，需要镁治疗，但可能无法纠正精神运动发育迟缓。这些研究探讨了理解自闭症的不同方法，例如使用机器学习算法来识别认知特征的亚型，分析静息状态功能网络来识别大脑系统的个体特定特征。文章还讨论了考虑自闭症异质性的重要性，一些研究侧重于父母的认知和行为特征在塑造临床变异性方面的作用。另一些研究则探讨了早期运动迟缓与后来诊断自闭症或表达性语言困难之间的关系。这项研究强调了精准医疗方法的必要性，以了解自闭症的复杂病因，重点是开发更有效的诊断工具和治疗方法。研究表明，常见的遗传变异、多基因风险和罕见基因突变的附加效应都会增加患自闭症的风险。2012 年和 2016 年的两篇研究论文研究了有自闭症风险的婴儿的沟通延迟。这些研究发现，早期运动技能可以预测自闭症谱系障碍儿童的语言发展。2019 年发表的另一项研究讨论了基于干细胞的脑类器官的出现，这可能有助于了解发育障碍。日本的一系列病例使用视频脑电图监测研究了 4 名 8 至 14 个月大婴儿的颤抖发作 (SA)。发作的特征是凝视、紧张和颤抖，通常在清醒时成群发生，没有意识障碍。异常动作包括罕见的反张姿势和眼球偏斜。发作通常由换尿布或喂奶时间引发，在 2-3 岁时会消退或显着改善。颤抖发作可能被误诊为癫痫；然而，在大多数情况下，它们被认为是一种良性疾病，可以得到解决。另一种需要考虑的疾病是由于镁营养缺乏引起的婴儿震颤综合征，它会导致快速震颤，在睡眠中消失，需要镁治疗，但可能无法纠正精神运动发育迟缓。这些研究探讨了理解自闭症的不同方法，例如使用机器学习算法来识别认知特征的亚型，分析静息状态功能网络来识别大脑系统的个体特定特征。文章还讨论了考虑自闭症异质性的重要性，一些研究侧重于父母的认知和行为特征在塑造临床变异性方面的作用。另一些研究则探讨了早期运动迟缓与后来诊断自闭症或表达性语言困难之间的关系。这项研究强调了精准医疗方法的必要性，以了解自闭症的复杂病因，重点是开发更有效的诊断工具和治疗方法。研究表明，常见的遗传变异、多基因风险和罕见基因突变的附加效应都会增加患自闭症的风险。2012 年和 2016 年的两篇研究论文研究了有自闭症风险的婴儿的沟通延迟。这些研究发现，早期运动技能可以预测自闭症谱系障碍儿童的语言发展。2019 年发表的另一项研究讨论了基于干细胞的脑类器官的出现，这可能有助于了解发育障碍。日本的一系列病例使用视频脑电图监测研究了 4 名 8 至 14 个月大婴儿的颤抖发作 (SA)。发作的特征是凝视、紧张和颤抖，通常在清醒时成群发生，没有意识障碍。异常动作包括罕见的反张姿势和眼球偏斜。发作通常由换尿布或喂奶时间引发，在 2-3 岁时会消退或显着改善。颤抖发作可能被误诊为癫痫；然而，在大多数情况下，它们被认为是一种良性疾病，可以得到解决。另一种需要考虑的疾病是由于镁营养缺乏引起的婴儿震颤综合征，它会导致快速震颤，在睡眠中消失，需要镁治疗，但可能无法纠正精神运动发育迟缓。以及罕见基因突变的附加效应都会增加患自闭症的风险。2012 年和 2016 年的两篇研究论文研究了有自闭症风险的婴儿的沟通延迟。这些研究发现，早期运动技能可以预测自闭症谱系障碍儿童的语言发展。2019 年发表的另一项研究讨论了基于干细胞的脑器官的出现，这可能有助于理解发育障碍。日本的一系列病例使用视频脑电图监测研究了四名 8 至 14 个月大婴儿的颤抖发作 (SA)。发作的特征是凝视、紧张和颤抖，通常在清醒时成群发生，没有意识障碍。不寻常的动作包括罕见的反张姿势和眼球偏斜。这些发作通常由换尿布或喂食时间引发，在 2-3 岁时会消退或显着改善。颤抖发作可能会被误诊为癫痫；然而，在大多数情况下，它们被认为是一种良性疾病，可以得到解决。另一种需要考虑的情况是由于镁营养缺乏导致的婴儿震颤综合征，这种综合征会导致快速震颤，在睡眠期间会消失，需要镁治疗，但可能无法纠正精神运动发育迟缓。以及罕见基因突变的附加效应都会增加患自闭症的风险。2012 年和 2016 年的两篇研究论文研究了有自闭症风险的婴儿的沟通延迟。这些研究发现，早期运动技能可以预测自闭症谱系障碍儿童的语言发展。2019 年发表的另一项研究讨论了基于干细胞的脑器官的出现，这可能有助于理解发育障碍。日本的一系列病例使用视频脑电图监测研究了四名 8 至 14 个月大婴儿的颤抖发作 (SA)。发作的特征是凝视、紧张和颤抖，通常在清醒时成群发生，没有意识障碍。不寻常的动作包括罕见的反张姿势和眼球偏斜。这些发作通常由换尿布或喂食时间引发，在 2-3 岁时会消退或显着改善。颤抖发作可能会被误诊为癫痫；然而，在大多数情况下，它们被认为是一种良性疾病，可以得到解决。另一种需要考虑的情况是由于镁营养缺乏导致的婴儿震颤综合征，这种综合征会导致快速震颤，在睡眠期间会消失，需要镁治疗，但可能无法纠正精神运动发育迟缓。