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分裂栅极 n 沟道 STI-LDMOS 晶体管中热载流子应力退化的 TCAD 模拟
本文报道了对具有 STI 结构的硅基分裂栅 n 沟道 LDMOS 晶体管中热载流子引起的退化机制的联合实验和模拟分析。在这种情况下，电子可以获得足够的动能来在硅/氧化物界面处产生带电陷阱，从而引起器件退化并导致器件电参数发生变化。特别地，已经通过实验在室温下表征了线性状态下的导通电阻退化。通过使用旨在重现退化动力学的物理模型，在 TCAD 模拟框架内重现了热载流子退化。研究了不同应力条件下的电子分布函数及其对分裂栅偏压的依赖性，从而定量了解了热电子在被测器件热载流子退化机制中所起的作用。
β-Ga 2 O 3 LDMOSFET 击穿电压达 500 V，功率因数为 108 MW/cm 2
开关，并显著降低高压 IC 的寄生电容[10–15]。在过去十年中，大量研究已经检验了 SOI 上的 LDMOSFET，其特性和功率品质因数 (PFOM) 得到了增强[8、9、16–19]。实现高 V BR 是 LDMOSFET 的主要挑战
信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路