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K.Hill电池级锰项目初步经济评估
Figure 12.5 Twin plot showing logged geology and assayed manganese oxide grade for twinned drillholes DDKH18_0014 and RCKH20_003 ............................................................... 12-4 Figure 12.6 Twin plot showing logged geology and assayed manganese oxide grade for twinned drillholes DDKH18_0010 and RCKH20_002 ............................................................... 12-4 Figure 12.7 Twin plot showing logged geology and assayed manganese oxide grade for twinned drillholes DDKH22_0032 and RCKH22_130 ............................................................... 12-5 Figure 12.8 Twin plot showing logged geology and assayed manganese oxide grade for twinned drillholes DDKH22_0036和RCKH22_126 ............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... QQ图显示了双旋转循环和钻石钻孔之间的锰氧化物等级 southern extension areas manganiferous shale .................................................................................... 12-8
化学沉淀法制备Fe掺杂氧化锰纳米粒子及表征
纳米技术是科学、工程和技术的一个分支，涉及原子或分子尺度上小于 100 纳米物质的尺寸和公差。纳米粒子由于其独特的尺寸依赖性而具有广泛的应用（Lu 等人，2012 年）。磁性纳米粒子因其广泛的应用而备受关注，例如蛋白质和酶的固定、生物分离、免疫测定、药物输送和生物传感器。纳米粒子由于尺寸小而具有较高的表面积与体积比，这赋予了纳米粒子非常独特的特性（Sagadevan 等人，2015 年）。纳米粒子独特的化学和物理性质使其非常适合设计新的和改进的传感设备；尤其是电化学传感器和生物传感器（Wang 等人，2016 年）。纳米粒子的重要功能包括固定生物分子、催化电化学反应、增强电极表面与蛋白质之间的电子转移、标记生物分子甚至作为反应物 (Luo et al. 2006))。一般来说，金属氧化物纳米粒子是无机的。Fe、Ni、Co、Mn 和 Zn 等各种纳米粒子是广泛接受的磁性材料，可用于磁传感器、记录设备、电信、磁性流体和微波吸收器等广泛应用 (Zhu et al. 2014；Poonguzhali et al. 2015)。在各种金属氧化物纳米粒子中，二氧化锰是一种重要的 P 型过渡金属氧化物
具有磁性和半导体性质的阳离子无序锰锡氮化物 MnSnN2 薄膜的组合合成
摘要：磁性半导体可能很快会提高微电子的能源效率，但具有这些双重特性的材料仍未得到充分探索。在此，我们报告了一种新的磁性和半导体材料 MnSnN 2 的计算预测和实现，通过薄膜组合溅射。掠入射广角 X 射线散射和实验室 X 射线衍射研究表明，MnSnN 2 表现出具有阳离子无序性的纤锌矿状晶体结构。这种新材料具有较宽的成分公差，单相区域范围为 20% < Mn/(Mn + Sn) < 65%。光谱椭圆偏振法确定光吸收起始点为 1 eV，与计算预测的 1.2 eV 带隙一致。电阻率测量与温度的关系支持了 MnSnN 2 的半导体性质。霍尔效应测量表明载流子密度与温度呈弱负相关，这表明电荷传输机制比原始半导体更复杂。磁化率测量表明 MnSnN 2 具有低温磁有序转变（≈ 10 K）和强反铁磁相关性。这一发现与块体阳离子有序 MnSiN 2 和 MnGeN 2 形成对比，在之前的研究中，它们在 400 K 以上表现出反铁磁有序。为了探究这种差异的起源，我们对阳离子有序和阳离子无序的 MnSnN 2 进行了蒙特卡罗模拟。他们发现阳离子无序降低了相对于有序相的磁转变温度。除了发现一种新化合物外，这项工作还表明，未来的努力可以利用阳离子（无）序来调整半导体材料中的磁转变，从而精确控制微电子特性。■ 简介
2023 01 09 E25＆Stellantis标志绑定电池等级锰的淘汰和资金协议 - 最终
本报告中与勘探结果和勘探目标有关的信息基于澳大利亚采矿和冶金学院成员Justin Brown先生汇编的信息。在编译了勘探结果和勘探目标时，布朗先生是Element 25 Limited的雇员。布朗先生是一位地质学家，具有足够的经验，与正在考虑的矿产和矿床类型以及他所从事的活动相关的经验与2012年版的“澳大利亚守则报告勘探结果，矿产资源和矿石储量”的活动所定义的活动相关。布朗先生同意将此信息包含在本报告中出现的形式和上下文中。
在开发和部署锌锰二氧化碳电池的进展
*基于太阳微电网应用的所有费用，符合IEC太阳能标准61427-1的5年保修。标准模拟在代表性变化的太阳中断条件下微电网中的每日循环。“印度植物规模”的是在印度建造的植物，以便到2022年底是在印度建造的植物，以便到2022年底
电感耦合等离子体发射光谱法测定锂镍锰钴复合材料中的硫
摘要：锂镍锰钴（LiNi x Co y Mn z ，NCM）复合材料在先进电子器件和材料/合金中的应用十分广泛，其杂质成分分析是评价其质量的重要领域。本文提出了采用电感耦合等离子体发射光谱法（ICP-OES）测定NCM复合材料中硫的方法。研究了Si、Fe、Mn、Mg、Ca、Ni、Cr及主基体共存杂质的影响。在优化的条件下，硫在0～10 mg/L（±0.9999）范围内呈现良好的线性关系，加标回收率为98.11～102.07%，RSD为3.69%，共存杂质含量低于5.0%对硫的测定无明显干扰。该方法可以作为NCM复合材料中痕量硫含量的可靠测定。
用于长寿命固定储能的锌锰二氧化电池
该试点项目重点测试了由 Urban Electric Power (UEP) 开发并集成到储能系统中的锌锰二氧化 (ZnMnO 2 ) 电池的性能，用于长时间应用。UEP 的技术利用了人们熟悉的“AA”碱性电池中使用的相同化学成分，利用丰富且价格合理的原材料，但可充电用于并网储能。电池符合适用的安全标准，并且与锂离子技术不同，不易发生热失控。UEP 在纽约制造电池并组装储能系统，系统平衡组件也在美国制造。除了不间断电源 (UPS) 产品外，UEP 还在开发储能解决方案，预计将于 2022 年为客户和公用事业应用达到商业准备就绪状态。
通过脉冲注射MOCVD生长的纳米结构型锰膜：调整传感器应用的低场和高视野磁磁特性
摘要：LA 0.83 SR 0.83 SR 0.17 MN 1.21 O 3（LSMO）膜的巨大磁磁性（CMR）性能的结果提出了脉冲注射MOCVD技术在各种基板上生长的膜。在切开的单晶石英，多晶Al 2 O 3上生长的厚度为360 nm和60 nm的纤维，以及无定形的Si/SiO 2底物，纳米结构均具有圆柱形的晶体形晶体形成，呈圆形的晶体形状，垂直于LM平面。发现薄膜的形态，微观结构和磁化特性在很大程度上取决于所使用的底物。与其他底物上生长的纤维相比，LSMO/Quartz的低温（25 K）在低温（25 K）中显示出更高的值（-31％在0.7 t时）（-15％）。与在没有其他绝缘氧化物的文献中发表的锰矿文献中发表的结果相比，该值很高。在80 K时测量高达20 t的高级MR也是LSMO/Quartzfim（-56％）的最高MR，并且证明了最高灵敏度S = 0.28 V/T时B = 0.25 T（电压供应2.5 V），这对于磁性传感器应用来说是有希望的。已证明MN过量的Mn/（LA + SR）= 1.21将纤维的金属隔离器过渡温度提高到285 K，从而使磁性传感器的操作温度升高高达363K。这些结果使我们能够在磁性磁性和时间范围内使用预定范围的CMR传感器制造CMR传感器。
Tetzner, H.、Fischer, I. A.、Skibitzki, O.、Mirza, M. M.、Manganelli, C.
本研究探讨了低密度状态下穿透位错密度 (TDD) 对集成在 Si(001) 上的 Si 0.06 Ge 0.94 异质结构中垂直传输的影响。使用无意掺杂的 Si 0.06 Ge 0.94 层可以研究生长穿透位错 (TD) 的影响，而不会与加工引起的缺陷（例如源于掺杂剂注入）相互作用。所研究的异质层虽然在成分、应变弛豫度和厚度上相同，但 TDD 有三个不同的值：3×10 6、9×10 6 和 2×10 7 cm -2 。电流-电压测量表明漏电流与 TDD 不是线性比例。漏电流的温度依赖性表明场增强载流子生成对电流传输有很大贡献，其中通过 TD 诱导的缺陷态的陷阱辅助隧穿被确定为室温下的主要传输机制。在较低温度和高电场下，直接带间隧穿而不与缺陷能级直接相互作用成为主要的传输类型。在较高温度（>100 °C）下观察到与 Shockley-Read-Hall (SRH) 产生的中带隙陷阱发射相关的漏电流。在这里，我们发现材料中来自 SRH 的贡献减少，TDD 最小（3×10 6 cm -2 ），我们将其归因于 TD 应变场中捕获的点缺陷簇减少。