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界面工程对低功率应用的 MgO 基电阻开关器件的影响
这项工作报道了基于 MgO/Al 2 O 3 的电阻随机存取存储器 (ReRAM) 器件的电阻开关特性。分析表明，由于加入了 Al 2 O 3 插入层，主要导电机制从空间电荷限制导电变为肖特基发射。与单层器件相比，MgO/Al 2 O 3 双层 ReRAM 器件表现出更低的功率运行（降低 50.6%）和更好的开关均匀性，具体取决于堆栈配置。这可归因于 MgO/Al 2 O 3 界面处较低的氧空位积累和细丝限制，从而导致更可控的开关操作。对双层器件的进一步 X 射线光电子能谱 (XPS) 深度剖面分析表明，开关动力学与氧空位浓度直接相关。这些发现表明界面层工程对于改善 MgO 基存储器件的电阻开关特性的重要性，从而可以实现低功耗应用。
先进功能结构陶瓷：MgF2 和 ZnS
1 纳米物体介质光物理实验室，瓦维洛夫国立光学研究所，Kadetskaya Liniya VO，dom 5，korp.2，199053 圣彼得堡，俄罗斯；atoikka@obraz.pro（AT）；barnash.yaroslaw@yandex.ru（YB）；kpv_2002@mail.ru（PK） 2 纳米结构材料与器件光物理实验室，瓦维洛夫国立光学研究所，Babushkina 街，dom 36，korp.1，192171 圣彼得堡，俄罗斯 3 圣彼得堡电工大学（“LETI”）光子学系，Ul. Prof. Popova，dom 5，197376 圣彼得堡，俄罗斯 4 先进开发部，圣彼得堡核物理研究所，国家研究中心“库尔恰托夫研究所”，1 md。 Orlova Roshcha，188300 Gatchina，俄罗斯 5 俄罗斯科学院伊曼纽尔生物化学物理研究所，4 Kosigina 街，119334 莫斯科，俄罗斯；dgkvashnin@phystech.edu 6 俄罗斯普列汉诺夫经济大学聚合物材料化学与技术学院，Stremyanny Lane，36，117997 莫斯科，俄罗斯 7 俄罗斯皮罗戈夫国立研究医科大学物理与数学系，Ostrovitianov 街 1，117997 莫斯科，俄罗斯 * 通讯地址：nvkamanina@mail.ru；电话：+7-(812)-327-00-95
Mg 耐腐蚀性能的微观结构起源...
镁合金具有生物相容性和可生物降解性，并能促进骨长入，使其成为未来治疗大面积骨缺损时替代自体和同种异体移植的理想候选材料。这些合金的粉末床熔合 - 激光束 (PBF-LB) 增材制造将进一步允许生产针对骨移植进行优化的复杂结构。然而，通过 PBF-LB 加工的结构的腐蚀率仍然太高。更好地了解 PBF-LB 期间产生的微观结构对腐蚀性能的影响被认为是其未来在植入物中应用的关键。在本研究中，研究了 PBF-LB 加工和随后的热等静压 (HIP) 对不同样品方向的微观结构和织构的影响，并将其与 Mg-Y-Nd-Zr 合金的腐蚀行为联系起来。将结果与挤压的 Mg-Y-Nd-Zr 合金进行了比较。与挤压材料相比，PBF-LB 加工材料的二次相数量越多，其局部腐蚀速率就越高。由于二次相的生长，HIP 之后的腐蚀速率进一步增加。此外，在 PBF-LB 材料中观察到了强烈的纹理，而在 HIP 材料中这种纹理也得到了增强。虽然这会影响通过动电位极化测试测得的电化学活性，但在长期质量变化和氢释放测试中，任何纹理效应似乎都被二次相的贡献所掩盖。未来的工作应该进一步研究各个工艺参数对材料微观结构和由此产生的腐蚀行为的影响，以进一步阐明其相互依赖性。
一种定量策略，用于实现模具铸造Mg-Al基合金的高温电导率
据报道，一种定量策略来设计和开发基于MG-AL的合金以实现高热有效性，其中可以引入特定的元素以降低MG矩阵中的Al浓度，并抑制Mg 17 Al 12相形成的形成，通过形成新的金属层间相。基于定量计算，该策略由新型的模具铸造Mg3.2AL4.4LA0.4ND（以wt。％）合金提供，该合金在环境温度下提供了114.3 w/（m∙k）的热电导率为114.3 w/（m∙k），在300°C，比300°C，〜255％的137.5 w/（M∙k）中的热电导率（M。同时，与AE44合金相比，合金还具有优异的环境屈服强度为143.2 MPa，伸长率为8.2％，并且在升高温度下的AE44合金。
堆叠和配位对于 Ti3C2T2 MXene 中 Li、Na 和 Mg 扩散和插入的重要性
Cheng 等人 [1] 实现了与 Li 0.7 Ti 3 C 2 T 2 相当的容量（1C 电流密度下经过 200 次循环后容量为 100 mAh g −1，电流密度约为 100 mA g −1），而 Wang 等人 [2] 实现了与 ≈ Na 0.5 Ti 3 C 2 T 2 相当的容量（200 mA g −1 电流密度下经过 1000 次循环后容量为 70 mAh g −1，电流密度约为 3C）。隧道电子显微镜（TEM）还显示，在某些情况下可以插入多层 Na，[2] 在原子水平上每个原子级分子式单位可以有一个以上的 Na，即 Na > 1 Ti 3 C 2 T x 。另一方面，Mg 是一种在电池应用中具有挑战性的金属，其扩散速度慢、电解质-电极动力学复杂、质子嵌入和电解质分解问题严重[5–7]，在微米级 Ti 3 C 2 T x 上测试时，仅显示出与 Mg 0.004 Ti 3 C 2 T 2 (≈ 1 mAh g − 1，25 次循环) 相当的容量。[3] 使用间隔基增加层间距离 [8] 和/或将 MXene 纳米化 [9,10] 已显示出更高的容量，但很难确定这些容量是由于可逆的 Mg 2 + 嵌入，还是由于表面反应、质子嵌入和/或电解质共嵌入 (如 MgCl + 嵌入的情况)。[5,6,11]
单宁酸/Mg2+的多功能涂层操纵...
摘要：而不是直接刺激成骨，以有利的骨气免疫调节（OIM）赋予植入物表面是增强骨整合的新策略。尽管已经证明金属 - 苯酚涂层具有免疫调节功能，但它们对操纵骨气免疫反应的潜在应用尚未得到很好的探索。在这里，为了开发一种简单，快速和通用的涂层方法来赋予硬组织植入物出色的OIM，单宁酸（TA）和Mg 2+，以基于金属苯苯酚化学的化学在Ti板上形成涂层。除了它的简单性，超快，低成本和多功能性外，涂料方法的另一个优点还可以轻松地结合金属离子和酚类配体的独特功能。螯合的Mg 2+不仅可以激活巨噬细胞极化向抗炎表型，而且还可以直接刺激BMSC的成骨分化。TA图案用出色的活性氧（ROS）清除能力呈现涂层。ta和Mg 2+对巨噬细胞生物学行为表现出协同作用，抑制了其对M1表型的极化，从而促进了其对M2表型的极化。最后，形成的骨气免疫环境显然可以增强BMSC的成骨分化。因此，结果表明，设计的TA/mg 2+涂层不仅具有直接刺激骨生成的功能，而且还具有操纵所需的OIM。因此，将其应用于晚期硬组织植入物以增强整合性的构成具有很大的潜力。
脉冲场电离探测里德堡镁原子
为了实现这一目标，必须检测并选择性地处理不同的里德堡态。这是使用脉冲场电离实现的。本论文中描述的镁里德堡原子是使用双光子激发产生的。换句话说，285 nm 激光将电子从 3 s 2 1 S 0（基态）激发到 3s 3p 1 P 1 态。接下来，375 nm 将同一个电子激发到 3s ns 1 S 0 或 3s nd 1 D 2 态，这取决于选择规则。里德堡原子在磁光阱 (MOT) 中制备，通过电场脉冲电离并使用微通道板 (MCP) 检测。这使得选择性检测里德堡态成为可能。使用量子缺陷理论，将实验发现的状态分配给它们特定的状态。此外，为了实现选择性电离检测，还进行了飞行时间测量，并测量了不同状态的寿命。
反应性气相添加剂使 γ-Mg 不稳定 ...
摘要：硼氢化镁（Mg(BH 4 ) 2 ）具有较高的氢重量/体积容量和脱氢可逆性，是一种很有前途的材料基储氢材料。目前，缓慢的脱氢动力学和中间体聚硼烷的形成阻碍了它在清洁能源技术中的应用。本研究介绍了一种改变 Mg(BH 4 ) 2 物理化学性质的新方法，该方法涉及在气相中添加反应性分子。该过程使得研究一类用于材料基储氢的新型添加剂分子成为可能。研究了四种具有不同亲电性程度的分子（BBr 3 、Al 2 (CH 3 ) 6 、TiCl 4 和 N 2 H 4 ）的影响，以推断如何利用化学反应性来调节添加剂 -Mg(BH 4 ) 2 相互作用并优化低温下氢气的释放。控制添加剂与 Mg(BH 4 ) 2 的接触量可防止 γ -Mg(BH 4 ) 2 晶体结构退化和氢容量损失。三甲基铝对 Mg(BH 4 ) 2 的影响最为显著，可保持 Mg(BH 4 ) 2 理论氢含量的 97%，并在 115 °C 时释放氢。这些结果有力地证明了该方法对控制 Mg(BH 4 ) 2 性能的有效性，并为基于添加剂的储氢材料改性提供了一条新途径。关键词：硼氢化镁、储氢、电解质、添加剂、气相化学、同步辐射■ 引言
mgb2/fe电线的运输和结构特性...
我们报告了使用新制造方法生产的单核MGB 2 /Fe线的传输，机电和结构特性，称为设计IMD工艺，该方法依赖于使用非校准MG + B颗粒，并代替过量MG代替标准内部MG扩散（IMD）方法中的中央MG杆。结构分析揭示了中心中多孔MGB 2结构的成功形成，并在设计的IMD线中围绕该结构的密集圆形MGB 2层。快速运输I - V测量结果表明，设计的IMD方法提高了工程临界电流密度（J E），最大是自场中IMD电线的两倍。中央多孔MGB 2结构共享了应用的电流，并间接表现为在高施加电流下对淬火损伤的内部稳定剂。