神经形态计算最近已成为传统的von Neumann计算机范式的潜在替代方法,该范式由于其建筑瓶颈而固有地受到限制。因此,需要新的人工组件和用于脑启发的计算硬件实现的架构。双极模拟熟悉设备,其电阻(或电导)可以连续调节(作为突触重量),是人工突触应用的潜在候选者。在这项工作中,混合离子电子导电氧化物(La 2 NiO 4+δ,L2NO4)与TIN和PT电极结合使用。TIN/L2NO4/PT设备显示双极电阻开关,以及用于集合和复位过程的逐渐过渡。电阻(电导)可以通过脉冲幅度和持续时间逐渐调节,显示出良好的数据保留特征。通过实验测量电阻变化和总应用脉冲持续时间之间的线性关系。此外,突触抑郁和增强特征是生物共生的重要功能之一,是为这些设备人为复制的,然后在尖峰神经网络环境中进行了建模并成功测试。这些结果表明使用TIN/L2NO4/PT回忆设备作为神经形态计算中的长期人造突触的适用性。
Ihsan Ali Mahar,Aneela Tahira,Mehnaz Parveen,Ahmed Ali Hulio,Zahoor Ahmed Ibupoto等。 材料科学杂志:电子学中的材料,2024,35(7),pp.490。 10.1007/S10854-024-12156-9。 hal-04577661Ihsan Ali Mahar,Aneela Tahira,Mehnaz Parveen,Ahmed Ali Hulio,Zahoor Ahmed Ibupoto等。材料科学杂志:电子学中的材料,2024,35(7),pp.490。10.1007/S10854-024-12156-9。hal-04577661
1物理系,米兰理工学院,莱昂纳多·达·芬奇(Piazza Leonardo da Vinci)32,I-20133米兰米兰,意大利大学2大学和斯特拉斯堡,CNR,IPCMS UMR 7504,F-67034,F-67034,F-67034欧洲STRASBORF,欧洲STRAS 302 Grenoble, France 4 European Xfel, Holzkoppel 4, Schenefeld, D-22869, Germany 5 Quantum Device Physics Laboratory, Department of MicroTechnology and Nanoscience, Chalmers University of Technology, Se-41296 GOOoteborg, Sweden 6 Department of Molecular Sciences and Nanosystems, Ca 'Foscari University of Venice, I-30172 Venice,意大利7 CNR-Spin,蒙特Sant'Angelo-Via Cintia Complex,I-80126那不勒斯,意大利8理论物理研究所,Jagiellonian University,UL。Lojasiewicza 11,PL-30348 Krak´Ow,波兰9 CNR旋转,米兰理工学院物理学系,I-20133 I-20133,意大利米兰(日期为2024年6月14日)
对无限层镍酸盐的研究已经揭示了一个破裂的翻译对称性,这对其根部引起了浓厚的兴趣,与超导性的关系以及与丘比特的电荷顺序的比较。在这项研究中,在无限层Prnio 2+ 𝛿薄膜上进行了谐振X射线散射测量。与PR𝑀5共振在依赖能量,温度和局部对称性的pr𝑀5共振相比,Ni𝐿3吸收边缘在Ni𝐿3吸收边缘处的超晶格反射的显着差异。这些差异指出了两个不同的电荷顺序,尽管它们具有相同的平面内波vector。鉴于在不完全降低的prnio 2+膜中观察到谐振反射,这些差异可能与多余的氧气掺杂剂有关。此外,方位角分析表明,氧配体在Ni𝐿3共振下揭示的电荷调制中可能起关键作用。
MG-ION电池(AMIBS)具有良好安全性,低成本和高特定能量的优势,已被认为是一种有希望的能源存储技术。然而,阿米布的性能始终受到缓慢的扩散动力学的限制,以及由高电荷密度Mg2Þ与宿主材料之间的强静电相互作用引起的阴极材料的结构降解。在这里,层状结构化的NiOOH作为碱性电池的传统阴极,最初被证明可以实现质子辅助的Mg-(de)Intercration Intercration Chemistriation,具有高排放平台(0.57 v)中性水解中性水解的化学。从唯一的核心/壳结构中构成的好处,由此产生的NiOOH/CNT阴极达到了122.5 mAh G 1的高容量和长周期稳定性。进一步的理论计算表明,水合Mg 2的结合能更高
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抽象的O3型层状氧化物阴极(例如NANI 0.5 MN 0.5 O 2)由于其高理论特异性能力而引起了很大的关注,同时使用丰富的低成本钠作为互化物种。与锂类似物(Linio 2)不同,Nanio 2(NNO)表现出较差的电化学性能,这是由于结构不稳定性和下库仑效率而产生的。为增强其用于实际应用的可环性,NNO通过钛取代进行了修改,以产生O3型Nani 0.9 Ti 0.1 O 2(NNTO),该nno通过固态反应首次成功合成。使用多种表征技术详细研究了其出色性能背后的机制。nnto的特定排放能力约为190 mAh g -1,并且在循环中有多个相变的情况下,在2.0-4.2 V的潜在窗口中,即使在循环中存在多个相变。这种行为可以归因于取代基,这有助于维持NA缺陷相位的较大的SLAB距离,并通过降低镍的平均氧化状态来减轻Jahn-Teller活性。然而,高电位下的体积崩溃和不可逆的晶格氧损失仍然不利于NNTO。尽管如此,可以通过涂层和掺杂策略进一步提高性能。这不仅将NNTO定位为有前途的下一代阴极材料,而且还可以成为高能密度Na-ion电池领域的未来研究方向的灵感。
本研究报道了在非常规 Nd 0.8Sr 0.2NiO 2 无限层超导薄膜中,磁场诱导超导体-金属转变 (SMT) 伴随量子格里菲斯奇异性 (QGS) 的出现。该系统在平面和垂直磁场下均表现出各向同性的 SMT 特征。重要的是,在对等温磁阻曲线进行缩放分析后,获得的有效动态临界指数在接近零温临界点 B c 时表现出发散行为,从而识别了 QGS 特性。此外,与 QGS 伴随的量子涨落可以定量解释 SMT 相边界中平面和垂直磁场中上临界场在零温附近上升的现象。这些特性表明 Nd 0.8Sr 0.2NiO 2 超导薄膜中的 QGS 是各向同性的。此外,在较高的磁场下,金属状态的电阻-温度关系 R ð T Þ 在 2 – 10 K 范围内表现出 ln T 依赖性,T 2
[4-(3,6-二甲基-9H-咔唑-9基)丁基]膦酸 (Me-4PACz) 自组装分子 (SAM) 是解决倒置钙钛矿太阳能电池 (PSC) 中 NiO x 埋层界面问题的有效方法。但 Me-4PACz 端基 (咔唑核心) 不能强制钝化钙钛矿薄膜底部的缺陷。这里采用 Co-SAM 策略来修改 PSC 的埋层界面。Me-4PACz 掺杂氯化磷酰胆碱 (PC) 形成 Co-SAM 以提高单层覆盖率并降低漏电流。PC 中的磷酸基和氯离子 (Cl − ) 可以抑制 NiO x 表面缺陷。同时,PC 中的季铵离子和 Cl − 可以填充钙钛矿薄膜中的有机阳离子和卤素空位,使缺陷钝化。此外,Co-SAM 可以促进钙钛矿晶体的生长,协同解决埋藏缺陷问题,抑制非辐射复合,加速载流子传输,并减轻钙钛矿薄膜的残余应力。因此,Co-SAM 修饰的器件表现出高达 25.09% 的功率转换效率以及出色的器件稳定性,在单太阳照射下运行 1000 小时后,初始效率仍为 93%。这项工作展示了通过修饰 NiO x 上的 Co-SAM 来提高 PSC 性能和稳定性的新方法。
摘要:在这项研究中,通过在SI底物上的纳米结构NIO的直接自旋涂层制造了基于石墨烯/Nio/N-Si的自动宽带光电探测器。Nio/Si异质结构的Curren T – V Oltage测量表现出在光照明下具有增强的pho-drumerent的整流特性。在300 nm至800 nm的范围内测量了光反检测能力,并且由于NIO的宽带隙,观察到紫外线区域的较高光响应。顶部的石墨烯透明导电电极的存在进一步增强了整个测得的波长区域的响应性,从350至800 nm。,在插入石墨烯顶层时,发现NiO/Si检测器在350 nm处的光响应从0.0187增加到0.163 a/w。在零偏置处的高摄影电流比(≃104)表明该设备在节能高性能宽带光电检查器中具有有利的应用。
