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使用纵横比捕获和界面失配生长方法在 (001) Si 衬底上 MOCVD 生长 GaSb 的比较 Billy Lai、Qiang Li、Kei May
GaSb 在长波长器件中有许多应用，例如带间级联激光器和红外光电探测器 [1-2]。将 GaSb 相关材料单片集成到硅上对于扩展长波长器件的功能和硅平台上的光子集成具有很高的吸引力 [3]。此外，考虑到现代智能手机中红外设备（包括传感器和投影仪）的日益普及，集成到硅上是降低制造成本、减小尺寸和提高产量的有效解决方案。然而，与 GaAs/Si 和 InP/Si 材料系统相比，GaSb/Si 异质外延还远未成熟。在本研究中，以在 GaAs 衬底上生长的 GaSb 为参考，我们研究了两种不同的集成方案：在 GaAs-on-Si 模板上进行 GaSb 的界面失配 (IMF) 生长和使用长宽比捕获技术直接在 V 型槽 Si 上生长 GaSb。
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谁建议在疫苗运动期间向孕妇提供OCV，因为怀孕期间的霍乱会导致并发症，包括流产和早产。怀孕时接受Shanchol 1或Dukoral 2的妇女的随访尚未发现不良妊娠结局的显着增加。该疫苗由杀死的细菌组成，不从肠中吸收；因此，没有理由相信它会伤害母亲或胎儿。然而，鉴于缺乏确切的数据证明了怀孕期间的安全性，该疫苗标签包括有关其在怀孕期间使用的注意事项。大多数专家得出的结论是，疫苗接种的益处超过了有霍乱风险的女性的任何潜在风险，而在进行疫苗运动时，OCV运动应为孕妇提供疫苗。