最近已经以人工突触的形式引入了基于生化信号活性的突触调节的神经形态系统,该系统是人工突触的形式,这些突触是建立组织交织的平台的模型设备。在这方面,生物杂交突触有望适应性神经元积聚。然而,这些系统从两个分子跨言中辅助,因为生物神经回路信号传递通常涉及多个神经调节剂,并且不稳定的电子接线是需要复杂的架构来接口组织的复杂体系结构。此外,尽管新颖的尖峰电路可以作为人工神经元起作用,但它们只能重新创建生物电信号通路,而电化学信号转导需要进行静脉间通信。因此,人工化学介导的突触对于执行记忆/学习计算功能至关重要。,一种电化学神经形态有机装置(eNODE)作为人工突触,在模拟两个神经递质的突触重量调节及其在突触cleft裂中的循环弹性调节及其回收机械时,它克服了电化学和读取干扰。通过将两个独立的神经递质介导的化学信号转换为PEDOT的可逆和不可逆变化:PSS电导,可以复制神经元短期和长期可塑性。通过利用PEDOT的电致色素特性:PSS,引入了一种替代的光学监测策略,该策略有望从复杂的Bio-Hybrid接口中稳定的多边形读数。平台模拟了高阶生物学过程,例如内在遗忘,记忆巩固和神经递质共同调节。这些受脑启发的功能预示着结合峰值(电神经元)和非尖峰(电化学突触)元素的组织综合神经形态系统的发展,从而设想假肢桥梁用于神经工程和再生药物。
在过去的二十年中,巨大的努力一直致力于有机光伏(OPV),这导致了单个连接设备的20%功率转化效率(PCE)的破坏屏障。[1-7]最近,非富烯烯低带隙受体材料(NFA)在其热稳定性上受到了极大的关注,[8,9]广泛的吸收率范围,这会导致有效的太阳光子收获,从而导致高输出电流密度,从而降低了非辐射能量损失,从而降低了非辐射能量,从而提供了高度的能量,并提供了较高的能量水平[11,12]和[11,12]和[11,12]和[11,12]。[5,13,14]从设备的角度来看,增强NF-OPV的光电流和光电压是提高光伏性能的最直接策略。[1]此外,众所周知,供体和受体材料之间的分子方向在电荷转移动力学中起着至关重要的作用。[15]因此,NFA的各向异性结构(例如Y6和Y7)确保了有效的π–π相互作用,该相互作用与调谐相位分离的供体匹配。[16]结果,NF-OPV通过用可忽略的驾驶能量分离激子,证明了有效的能力,相对于使用的供体材料的能级,获得了高PCE。[17,18]因此,这些显着的优势,避免了电压损耗和电荷产生之间的权衡行为,[19]提供无障碍的自由电荷产生,抑制了电荷载体重组以及增强所得设备的电荷迁移率。[5,19,20]
f g -1)和pedotoh/pei(142.3 f g -1)的扫描速率为10 mV s -1。随后,我们制造了
代表着一种更可靠、更安全、生命周期更长的替代方案。通过湿纺技术成功获得了许多由石墨烯、碳纳米管、导电聚合物以及最近的 MXenes 制成的纤维,并研究将其作为可穿戴超级电容器的一维电极。[17–29] 然而,这些材料通常涉及复杂的合成程序、有害的分散剂溶剂或后处理步骤,以生产出具有足够机械阻力和电化学性能的纤维。芳族聚酰胺纳米纤维 (ANF) 最近被提议作为一种新的纳米级构建块来设计新的复合材料。[30] 与基于单体聚合的标准路线相反,ANF 可以通过自上而下的方法轻松快速地获得,通过溶解芳族聚酰胺聚合物链,然后通过溶液加工重新组装成宏观纤维或薄膜。[30,31] 芳族聚酰胺聚合物以其机械强度而闻名,但它不导电,必须负载导电填料才能实现电子传输。到目前为止,ANF 主要被研究用作聚合物增强体的填料[32,33]、多功能膜的基质[34–37]、隔热罩[38,39],甚至用作隔膜的添加剂和锂离子电池的固态电解质。[40,41] 然而,尽管 KNF 分散体具有良好的湿纺性,但人们对使用 ANF 来制造 FSC 却关注甚少。在之前的工作中,Cao 等人通过共湿纺核碳纳米管分散体和鞘 ANF 分散体制备了具有核壳结构的纤维。[42] 通过用 H3PO4/PVA 凝胶电解质渗透获得的对称 FSC 显示出高达 0.75 mF cm −1 的显著线性容量。Wang 等人将石墨烯纳米片 (GNPs) 加载到 ANF 分散体中,通过在水/乙酸溶液中凝固获得 ANFs/GNPs 复合线状电极。[43] 然而,他们的结果表明,GNPs 通过恢复对苯二甲酰胺单元之间的氢键干扰了 ANFs 的凝固,导致在 ANFs 基质中 GNPs 高含量时拉伸强度持续下降。在这项工作中,PEDOT:PSS@KNFs 复合纤维通过一个简单的两步工艺生产出来,包括将 Kevlar 纳米纤维化为 Kevlar 纳米纤维 (KNF)、KNF 纤维的湿纺以及随后浸泡在 PEDOT:PSS 水分散体中。以这种方式,由于导电的 PEDOT:PSS 链渗透而几乎保持 KNF 基质的机械阻力不变,因此获得了导电纤维。 PEDOT:PSS@KNF 纤维具有柔韧性、可编织、可缝纫等特点,通过耦合相邻的两根纤维,可以形成对称的 FSC。
(Å) 旋转 Pristine 52776 ± 0.24 90.00 ± 3.4 540 ± 5.14 旋转 1% DMSO 15098 ± 0.26 4.92 ± 4.8 168 ± 2.10 旋转 3% DMSO 11700 ± 0.13 200.00 ± 0.02 10000 ± 8.1 旋转 5% DMSO 7500 ± 0.03 12.00 ± 1.7 12 ± 0.03 喷雾 Pristine 100000 ± 596 9.00 ± 3.2 810 ± 8.3 喷雾 1% DMSO 29117 ± 754 4.46 ± 4.1 3416 ± 6.47 喷雾 3% DMSO 22788 ± 459 82.00 ± 1.59 9102 ± 4.89 喷雾 5% DMSO 15000 ± 0.03 50.00 ± 0.01 750 ± 0.01
其中,S 为塞贝克系数,σ 为电导率,κ 为热导率,T 为绝对温度。ZT 用于比较热导率不同材料的热电性能。而功率因数(PF = S2σ)则比较热导率相近材料的热电效率。[1–7] 目前,Bi 2 Te 3 、PbTe 和 SiGe 等无机化合物占据热电市场主导地位。[8–12] 然而,这些化合物的使用存在若干缺点,例如毒性、原材料稀缺、成本高和不可持续。因此,人们对寻找可替代的可持续、高度丰富、低成本和无毒的材料有着浓厚的兴趣。有机半导体(例如:导电聚合物、碳质材料和纳米复合材料)由于其优越的性能(例如可用性、低热导率、易于化学改性和大规模生产)而提供了一种新兴的替代方案。通过掺杂 PEDOT 来提高导电聚合物的热电性能,可使 ZT 值达到 0.2–0.4。[13] 碳纳米结构,特别是碳纳米管 (CNT) 在通过以下方法制备的多层系统中表现出优异的热电行为
(Å) 旋转 Pristine 52776 ± 0.24 90.00 ± 3.4 540 ± 5.14 旋转 1% DMSO 15098 ± 0.26 4.92 ± 4.8 168 ± 2.10 旋转 3% DMSO 11700 ± 0.13 200.00 ± 0.02 10000 ± 8.1 旋转 5% DMSO 7500 ± 0.03 12.00 ± 1.7 12 ± 0.03 喷雾 Pristine 100000 ± 596 9.00 ± 3.2 810 ± 8.3 喷雾 1% DMSO 29117 ± 754 4.46 ± 4.1 3416 ± 6.47 喷雾 3% DMSO 22788 ± 459 82.00 ± 1.59 9102 ± 4.89 喷雾 5% DMSO 15000 ± 0.03 50.00 ± 0.01 750 ± 0.01
该期刊文章的自存档后印本可在林雪平大学机构知识库 (DiVA) 找到:http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:liu:diva-178503 注意:引用该作品时,请引用原始出版物。 Delavari, N., Gladisch, J., Petsagkourakis, I., Liu, X., Modarresi, M., Fahlman, M., Stavrinidou, E., Linares, M., Zozoulenko, I., (2021), 循环伏安法下 PEDOT:Tos 薄膜中的水摄入和离子交换:实验和分子动力学研究,大分子,54(13),6552- 6562。https://doi.org/10.1021/acs.macromol.1c00723
在这项研究中,我们报告了一种可柔性的4通道微电极探针,该探针涂有高度多孔和可靠的纳米复合材料的聚(3,4-乙基二氧噻吩)(PEDOT)(PEDOT)和碳纳米纤维(CNF),作为固体掺杂模板,用于固体掺杂模板,以实现高强度录制效果。通过原位电化学聚合技术开发了一种简单而良好的控制策略,该技术在灵活的4通道金微电极探针上创建PEDOT和CNF的多孔网络。不同的形态和电化学特征表明,它们具有显着且优异的电化学特性,产生了相结合高表面积,低阻抗(16.8±2mΩ.mmghz时2 kHz)和升高的电荷入口功能(超过那些pure and Pure dup pul of Pude)的微电化学特性。此外,PEDOT-CNF复合电极表现出延长的双相电荷周期耐力,导致长期电刺激的物理分层或降解可忽略不计。在小鼠脑切片上进行体外测试表明,它们可以记录自发的振荡场电位以及单单元的动作电位,并允许安全地提供电刺激以唤起磁场电位。 PEDOT-CNF复合电极的组合上级电性能,耐用性和3D微结构拓扑表现出开发未来神经表面接口应用的杰出潜力。在小鼠脑切片上进行体外测试表明,它们可以记录自发的振荡场电位以及单单元的动作电位,并允许安全地提供电刺激以唤起磁场电位。PEDOT-CNF复合电极的组合上级电性能,耐用性和3D微结构拓扑表现出开发未来神经表面接口应用的杰出潜力。
I.引入电子组件的发展,例如Schottky二极管,MOS,晶体管和金属分离的半导体,GAN通常使用(MIS)。et cetera。[1-3]。氮化壳是一种非常有前途的材料,用于具有高强度,高频率和宽频率和高电子速度饱和的半导体材料。氮化岩二进制化合物是一种半导体直接带隙,其晶格参数=4.52Å,Eg = 3.22 eV,属于III-V家族的300 K [4]。此二进制化合物(LED),光电探测器(MSM),激光二极管,太阳能电池施加和现场效应微波晶体管[5-9]是光发射二极管中的有前途的材料。gan的高频特性使其适用于高频和高功率应用。[10,11]。已经对Schottky二极管设备生产的许多理论和实验研究进行了研究(Metal-GAN)。项目已经研究了在不同频率下1 kHz-1 MHz范围内Au / Nio / Gan Schottky二极管的电子参数和频率依赖性。