XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemPbS
Berghei疟原虫亚细胞微管蛋白-1（PBSPM-1）是一种微管稳定蛋白，影响Schizont发育
推荐引用推荐引用，曼努埃尔·约瑟夫（Manuel Joseph），“ berghei berghei子细胞微管蛋白-1（PBSPM-1）是一种微管稳定蛋白，会影响Schizont发育”（2025）。大师的论文。4559。https://ecommons.luc.edu/luc_theses/4559
PBSE，PBS和PBTE半导体量子点及其应用的光学特性
摘要 - 使用BRUS方程研究了限制方程中PBSE，PBS和PBTE半导体的光学性质。结果表明QD表现出尺寸依赖性的光学行为，因此，由于量子限制，QDS表现出可调的带隙和发射波长。随着QD尺寸的减小，所有三种材料的吸收边缘和发射峰均为蓝色。发现PBSE QD即使在较大尺寸的情况下也会显示出明显的量子限制。由于其相对较大的激子BOHR半径（〜46 nm），随着尺寸从10 nm降低到2 nm，频带gap从0.27 eV增加到1 eV，将吸收和排放转移到近红外（NIR）中，导致应用于NIR PhotodeTectors，太阳能电池，太阳能电池，太阳能电池，杂音，并将其应用于。此外，与PBSE相比，PBS QDS在较小的激子BOHR半径（〜20 nm）上显示出较小的量子限制效应。随着尺寸从10 nm降低到2 nm，带隙从0.41 eV增加到1.5 eV，将吸收和发射从NIR转移到可见范围。这是在太阳能电池中使用的，NIR光电探测器和LED可见。此外，PBTE QD还显示出明显的量子限制效应，因为它们相对较大的激子BOHR半径（〜46 nm）。随着尺寸从10 nm降低到2 nm，带隙从0.32 eV增加到约1 eV，将吸收和发射转移到NIR和中红外（miR）区域，使其成为红外探测器，热电和miR应用的出色材料。在研究的半导体材料中，PBS QD通常显示出带隙的最大增加，尺寸降低，使其适合需要更大的带隙可调性的应用，其次是PBSE和PBTE。这些不同的光学特性是由于其独特的电子特性和激子BOHR半径所致。
PBS量子点（QD）的研究和提出PB@PBS
PBS量子点（PBS-QD）是新一代LED中最好的候选者之一。当PBS-QD暴露于光谱时，Valence带（VB）中的电子会激发到传导带（CB）。激发的电子然后从CB返回到VB，并通过发光释放额外的能量。电子返回VB使得可以重复光吸收发射圆。如果PBS-QD的尺寸小于Bohr Magneton Radius（PMR），则电子的概率返回到VB。这导致了发光二极管（LED）中名为量子点闪烁（QDB）的现象，这是不可取的。在这项研究中，已经提出了一种新方法，在该方法中，添加具有适当带边缘的半导体壳的PBS-QD的金属底物可以提高QD领导的PBS-QDS效率并克服QDB问题。©2024 SPC（SAMI Publishing Company），《亚洲绿色化学杂志》，用于非商业目的。关键字PBS-QDS眨眼保护壳LED PB CDSE
表面表征和低能辐照的PANI/PBS聚合物纳米复合材料
摘要：在这项工作中，使用溶液制备方法制备了聚苯胺（PANI）（PANI）（PANI）和铅硫纳米颗粒（PBSNP）的纳米复合样品，以植入储能元件中。PANI/PBS纤维被不同的氧束的不同流体辐射：5×10 16、10×10 16和15×10 16离子。CM -2。由XRD，SEM，DSC和FTIR研究了复合材料。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。 以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。 此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。 介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。 此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。 确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。 这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。离子辐照后，T G和T M值分别降低了4.8℃和10.1℃。以10 2 Hz至5 MHz的频率检查了未处理和受照射样品的电导率，电阻抗和电气模量。此外，离子束在PANI/PBS的介电特性中引起了修改。介电常数ε'从31提高到611，并通过通过将流量提高到15×10 16离子。CM -2。此外，势能屏障W M从0.43 eV降低到0.23 eV。确定了PANI/PBS样品的介电性能和结构特性的诱导变化。这些修改提供了一个机会，可以将使用辐照的PANI/PBS样品用于多种应用，包括微电子，电池和电能的存储。
基于纳米厚窄带隙半导体PbS薄膜的紫外光电探测器
摘要：紫外光电探测器（UVPD）在军事和民用应用中发挥着重要作用，通常采用宽带隙半导体（WBS）作为构造模块来制造。遗憾的是，基于 WBS 的 UVPD 商业化往往受到其相对较高的制造成本的限制，因为需要使用非常复杂的生长仪器。在本文中，我们提出了一种基于具有相对较小带隙的非 WBS 硫化铅（PbS）的灵敏 UVPD。器件分析表明，由 48.5 nm PbS 纳米薄膜制成的 UVPD 对 365 nm 的紫外线照射高度敏感。具体而言，在 365 nm 照射下的响应度和特定探测率分别为 22.25 AW − 1 和 4.97 × 10 12 Jones，与大多数传统的基于 WBS 的 UVPD 相当或更好。基于 PbS 纳米薄膜的 UVPD 还表现出优异的环境稳定性。实验结果和基于技术计算机辅助设计软件的模拟证实，PbS 纳米薄膜的异常特性与相对较薄的厚度和波长相关的吸收系数有关。这些结果为窄带隙半导体在未来光电设备和系统中实现低成本敏感 UVPD 提供了机会。关键词：紫外光电探测器、窄带隙半导体、PbS、高响应度、技术计算机辅助设计 ■ 介绍
无序 PbSbTe 硫族化物中的载流子跃迁
在过去十年中，许多晶体硫族化物由于其不寻常的物理特性和键合机制而引起了人们的关注。[1–6] 对于从相变存储器件[7–9]和光子开关[10–12]到热电器件[13–17]到利用拓扑效应的原型器件[18–20]的许多应用来说，通过改变化学计量或退火等方式来调整电传输的能力至关重要。 特别是，控制电荷载流子浓度和迁移率将非常有利。 例如，对于基于拓扑绝缘体的导电表面态的器件，通常重要的是消除不需要的体载流子源以抑制体传输。 对于热电装置，需要具有精确控制载流子浓度的 n 型和 p 型材料。这些方向的努力包括对一系列三元碲化物中载流子类型的化学调节[21,22]，以及在 GeSbTe (GST) 化合物（如 Ge 2 Sb 2 Te 5 ）和类似的无序硫族化物中通过热退火诱导的安德森跃迁的观察[23–27]。这些硫族化物位于 IV-VI 和 V 2 VI 3 材料之间的连接线上（例如，GST 中的 GeTe 和 Sb 2 Te 3 ）。在前一种情况下，[22] 化学计量变化用于诱导从电子到空穴占主导地位的电荷传输转变，而在后一种情况下，[23–27] 化学计量保持恒定，通过退火结晶相来调节无序水平，导致在增加有序性时发生绝缘体-金属转变。非晶态 GST 结晶为亚稳态、无序、岩盐状相，其中 Te 占据阴离子位置，Ge、Sb 和空位随机占据阳离子位置。通过进一步退火立方体结构可获得稳定的六方相。这三个相都是半导体，但由于自掺杂效应，即由于原生点缺陷导致导电的块状状态被空穴占据，并将费米能级移向价带最大值，因此结晶态显示出高浓度的 p 型载流子。这种现象导致非晶相和结晶相之间产生强烈的电对比，这在
用于太阳能存储的PbS纳米立方体
本文已接受出版并经过完整的同行评审，但尚未经过文字编辑、排版、分页和校对过程，这可能会导致此版本与记录版本之间存在差异。请引用本文 doi: 10.1002/ente.202000301