然而,在光电设备中,PB对应物的高性能,最近的努力,尤其是在CS 2 Agbibr 6双PSK上,[2]证明了它们在太阳能电池的广泛应用中的强大用途,[3-9] [3-9]光探测器,[10,11] x射线检测器,[10,11] X射线检测器[12] memristors [13] Memristors [13] 13]。[14] Moreover, when passing from the 3D double PSK toward its layered counterparts with two (2L) or one (1L) octahedra layers by introducing large A-site organic cations, such as butylam- monium (BA) or propylammonium (PA), allowed to develop new two-dimensional (2D) materials with tunable optoelec- tronic properties, such as the character of the bandgap as well as带隙的能量从≈2eV到≈3eV,这与无机晶格的失真有关。[15–19]尺寸还原也明显提高了候选人的ON/OFF比率,从10 2(CS 2 Ag-Birb 6至3d)到10 7(((Ba)2 Csagbibr 7),因为在扭曲的晶体结构中,离子迁移受到离子迁移的青睐。[20]从(Ba)2 Csagbibr 7中获得了具有较大迁移率的产物的X射线光绘制器,其中敏感性取决于晶体的尺寸(八面体层的数量)。[21,22]光电探测器的时间响应可以通过尺寸减小来增强,同时保持相似的检测率; [23]
x] i 3作为合金浓度x的函数。实线代表每个计算的数据的变化,并且虚线(黑色)线是指pb-end和sn-end之间的参考线性插值。(b)在CS [pb x sn 1- x] i 3中,光电特性关系将εαβ和n与带隙1/ e g 2相关联,作为合金浓度x的函数(由插图x轴显示)。Penn模型拟合通过虚线显示,每个εαβ和n具有相应的相关性。
图 3. (a) 黑暗环境下 cKPFM 测量中相位响应的加载图,其中 BE-PFM 测量中观察到铁电畴。(a) 中 (b) 红色、(c) 绿色、(d) 紫色和 (e) 浅蓝色标记的“×”处的单个 cKPFM 曲线。(f) 照明环境下 cKPFM 测量中相位响应的加载图。(g) 黄色、(h) 绿色、(i) 紫色和 (j) 浅蓝色标记的“×”处的单个 cKPFM 曲线。(k) 黑暗环境下和 (l) 照明环境下 cKPFM 数据平均偏差的第 1 个 PCA 分量。
使用时间相关单光子计数 (TCSPC) 装置获取时间分辨的 PL 衰减。PL 衰减曲线使用指数方程拟合:I (t)= A exp(-t/τ),其中 A 是指数项的振幅,τ 是 PL 寿命。I 代表归一化 PL 强度,t 是时间。PLQY 定义为辐射复合速率常数 (Kr) 与辐射和非辐射复合速率常数 (Knr) 之和的比率,由公式给出
使用安装在 J-PARC 材料与生命科学实验设施的单晶衍射仪 SENJU (BL18) 和超高分辨率粉末衍射仪 SuperHRPD (BL08) 收集飞行时间中子衍射数据。如图 1(a) 所示,在 MASnBr 3 的五个相中观察到的衍射图案彼此明显不同,表明晶体结构通过四个相变依次变化。该结果需要重新考虑 g、d 和 e 相的结构,其中 b - g 相和 d – e 相之间没有观察到明显的结构变化[1]。对于 MASnI 3 ,如先前报道的那样[2][3],识别出三个具有不同结构的相(图 1(b))。最低温相的结构仍然不确定,但 b 相和 g 相之间衍射图案的剧烈变化表明结构对称性从四方晶系到三斜晶系显著降低。立方a相单晶结构分析表明MA分子的质心位于立方晶胞中心之外,用最大熵法合成的分子核密度沿立方轴呈现各向异性分布。这些趋势在MASnBr 3 中表现得更为明显,表明X = Br晶体中有机-无机相互作用的影响更强。
这几乎是之前所有技术都无法比拟的。高吸收系数允许用 300-500 纳米厚的薄膜制成高效的太阳能电池,而高电子和空穴迁移率以及缺乏深缺陷允许较长的电荷载流子扩散长度并导致光激发电子的有效收集。[1,2] 这些特性支撑了某些卤化物钙钛矿在光伏电池中的快速发展和高效率。虽然单结太阳能电池的效率已经非常惊人,[3] 但光伏钙钛矿在短期内的“杀手级”应用被认为是用宽带隙钙钛矿顶部电池增强商用晶体硅太阳能电池,以创建串联器件。硅钙钛矿串联器件的效率已经达到 29%,已经超过了硅技术本身的记录,清楚地展示了这一概念的前景。 [4] 此类串联器件可以实现高产量生产,一些研究预测其每瓦成本将低于现有技术。[5] 毫不奇怪,这项技术的商业化尝试已经在进行中。[6]
在过去的十年中,杂种钙壶被广泛探讨为高性能太阳能电池和发光设备(LED)的有希望的有效材料,如今达到了基于传统半体体导管的先进技术的效率值。[1-4]化学操作时其电子和结构特性的可调性无疑是使该材料家族成为许多不同应用的多功能物体的关键特征之一。尤其是,通过卤化物取代调整材料带隙从一开始就从一开始就有一种强大的策略来获得具有不同颜色和可调发射的混合晶体。[5]这对于Ubiq-uitous ABX 3钙钛矿(或下降中的3D)来说是正确的,但它也扩展到较低维度的系统。[5,6]例如,可以形成一个位点中的大阳离子,可以形成分层的2D钙钛矿(2DPS),这是一种有趣的操场类别的材料类别,相对于更广泛使用的3D混合植物,具有出色的稳定性。[7]此外,它们的独特光学特性,包括量子和介电限制,RashBA分裂和大型激子结合能,使它们对除光线发光应用(例如旋转型,成像,成像和闪烁体)之外的不同领域具有吸引力。[8–13]
作者的完整清单:洪,库塔克;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所;劳伦斯·伯克利国家实验室,化学科学系权,Ki Chang;首尔国立大学材料科学与工程系,高级材料研究所Choi,Kyoung;韩国基础科学研究所,国家研究设施和设备中心(NFEC)LE,Quyet; Duy Tan University,Duy Tan University,Duy Tan University,DU NANG 550000,越南; Kim,Seung Ju;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所,汉苏;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所SUH,Jun Min;首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所Kim,Soo Young;韩国大学 - 卡罗来林的Anam校园,材料科学与工程萨特弗拉;劳伦斯·伯克利国家实验室(Jang,Ho Won);首尔国立大学,材料科学与工程系,高级材料研究所
光致发光光谱是一种广泛应用的表征技术,通常用于表征半导体材料,特别是卤化物钙钛矿太阳能电池材料。它可以直接提供有关复合动力学和过程的信息,以及单个半导体层、具有传输层的层堆栈和完整太阳能电池中自由电荷载流子的内部电化学电位。正确评估和解释光致发光需要考虑适当的激发条件、校准和将适当的近似应用于相当复杂的理论,其中包括辐射复合、非辐射复合、界面复合、电荷转移和光子循环。本文概述了该理论及其在特定卤化物钙钛矿组合物中的应用,说明了在这些材料中应用光致发光分析时应考虑的变量。
碘化物类似物的晶体结构表明:• 萘发色团彼此垂直 • 相邻萘的 pi 轨道之间的电子相互作用非常小