QCi 专利,用于巨型单光子非线性的设备和方法,https://patents.google.com/patent/US11754908B2/en Z Li 等人,片上可逆全光逻辑门,Optics Letters 49 (12),(2024) Z Li 等人,片上参数全光调制,Physical Review Applied 21 (6),(2024) Huang, Yu-Ping 等人,“用于单原子和单光子量子比特通用计算的无相互作用和无测量量子芝诺门。”Physical Review A (2008) Huang, Yu-Ping 等人,“通过量子芝诺效应实现无相互作用全光切换。”Physical Review A 82, no. 6 (2010) Huang, Yu-Ping 等人“χ2 微盘中的无相互作用量子光学 Fredkin 门。”IEEE 量子电子学精选期刊 18,第 2 期 (2011) McCusker, Kevin 等人。“通过量子芝诺效应实现无相互作用全光切换的实验演示。”物理评论快报 110,第 24 期 (2013) Sun, Yu-Zhu 等人,“通过量子芝诺阻塞实现光子非线性。”物理评论快报 110,第 22 期 (2013) Chen, Jia-Yang 等人。“芯片上量子芝诺阻塞的观察。”科学报告 7,第 1 期 (2017) Jin, Mingwei 等人。“铌酸锂薄膜上的高消光电光调制。”光学快报 44,第 5 期 (2019) Chen, Jia-Yang 等人。“高效铌酸锂赛道微谐振器中的准相位匹配频率转换。”《相干性和量子光学》,Optica Publishing Group,(2019 年)
可靠的相同(不可区分)光子源是利用干涉效应的先决条件,而干涉效应是基于线性光学的量子计算及其应用(如玻色子采样)的必要组成部分。一般而言,可区分程度将决定特定方法的有效性,例如通过限制构造资源状态的保真度,或降低光学电路输出分布的复杂性。因此,设计高纯度和不可区分的光子源具有重要的实际意义。受魔法状态蒸馏的启发,我们提出了一种使用标准线性光学的协议,该协议可用于将光子源的不可区分性提高到任意精度。特别是,在小误差 ϵ 的渐近极限下,要将误差降低到 ϵ ′ < ϵ 需要 O (( ϵ/ϵ ′ ) 2 ) 个光子。我们证明该方案对光学元件中的检测和控制误差具有鲁棒性,并讨论了其他误差源的影响。
在每种效果中,一部分光子能量被转移到充满电的电荷颗粒(电子或正电子)中,这些颗粒(电子或正电子)通过吸收剂传播,并通过与原子核和轨道吸收原子的核和轨道电子直接相互作用而失去能量。
尽管大多数物理实验都是用独立粒子进行的,但纠缠粒子的集体性质揭示了量子世界最迷人和最意想不到的方面。埃尔温·薛定谔首先指出“纠缠不是量子力学的一种特性,而是量子力学的特征”。纠缠态粒子对行为的一个奇特之处在于,尽管每个单独的粒子都表现出固有的不确定性,但纠缠对的联合实体却不会表现出这种不确定性。例如,虽然单个粒子到达的时间可能完全随机,但纠缠对必须始终同时到达。此属性为进行绝对测量提供了独特的工具。我们的目标是探索纠缠的无数含义和重要性,并利用它来开发一种新型光学测量——量子光学计量学。自发参量起源的非线性过程中产生的孪生光子之间存在独特的非经典关联。这种孪生量子之间的非经典联系不会因孪生量子之间任意大的分离而减弱,即使它们位于光锥之外。过去二十年来,孪生态已被用于进行确定性的量子实验,并产生了违反直觉的结果,这些实验包括由爱因斯坦-波多尔斯基-罗森 (EPR) 悖论引起的实验,例如贝尔不等式的各种测试 [1-12],以及非局部色散抵消、纠缠光子诱导透明性和单色光纠缠光子光谱。这些孪生光束的出现使得人们无需借助于量子干涉仪就可以进行此类实验。
为了分析时间键量尺寸,我们使用相同的示意图,但是光子从右到左传播。考虑两种脉冲在临时分离的ΔT中,从右侧进入干涉仪。现在,开关设置为早期(晚)脉冲穿过长(短(短)路径)。在左分离器中,两个过程“早期的脉搏走了很长的路”,“晚脉冲走了短路”,干扰了。通过调整η和ϕ,可以部分或完全破坏性或建设性,这意味着我们可以投射到2-D Hilbert空间的任何任意状态。请注意,由于我们的设备没有快速的光学开关,因此我们可以在输出处获得三个时间座(图2(c)):这两种脉冲分别采用长路径或短路,即“末期”或“早期”,以及一个“中间”时间键,包括干扰“早期”和“晚期”过程。我们可以通过探测此消息后的“中间”时间键来分析时间络合量Qubit。
•在(𝑥1,𝑦1,𝑧1)处与ABCD平面相交=(0.431 mm,-1.127 mm,0.500 mm); •沿Z(垂直于ABCD和EFGH平面垂直的苍蝇3.75μm) - 这是正确的吗?也请参见下一张幻灯片); •排放荧光光子,= 9.25 keV at(𝑥2,𝑦2,𝑧2)=(0.431 mm,-1.127 mm,0.496 mm); •该荧光光子在(𝑥3,𝑦3,𝑧3)=(0.429毫米,-1.116毫米,0.500 mm)上飞过ABCD; •也就是说,芯片内部荧光光子的“路径”(发射后)仅为𝑥3 -𝑥22 +𝑦3−𝑦2 2 2 +𝑧3−𝑧2 2 =11.8μm; •GAAS中的该𝐸= 9.25 keV光子的吸收系数为23.92 1 mm; •𝑝= 1 -Exp -23.92 1 mm×11.8×10 -3 mm = 0.246; •𝑝gen =统一0,1 = 0.272; •𝑝<𝑝gen⇒无吸收。