由于其独特的属性组合:非挥发性,速度,密度和写入耐力,称为自旋转移磁性磁性随机接入记忆(STT-MRAM)的自旋记忆有望在物联网(IoT)的未来发展中起重要作用(IOT),并且在信息和通信技术中更笼统地发挥作用。这种类型的自旋装置通常是由材料制成的,其中一些可以归类为关键。最近的研究评估了磁随机访问记忆中包含的关键材料[1,2]。但是,在那些情况下,分析的记忆类型属于2000年代初期开发的第一代MRAM。如今,存储器设备被垂直于层平面磁化,并包含合成反铁磁铁(SAF)(SAF),该抗fiferromagnet(SAF)可为STT-MRAM参考层具有较低的流浪场提供高温。此SAF通常由钴(CO)和铂(PT)多层制成,抗铁磁性在薄扁桃(RU)层上耦合。由于铂金属(PGMS)的高体能量引起的,评估这些材料的普遍关注点是与其生产相关的环境风险。在这里首先报道对使用此类多层的环境和经济风险的评估,然后对其供应风险进行讨论。用CO/NI多层替换CO/PT多层替代可以导致与使用这些多层人士使用相关的能量需求或全球变暖潜力(GWP)的3-4个数量级。尽管如此,与PGMS相关的高供应风险仍然是提高意识的原因。基于垂直形状各向异性(PSA)的替代概念也可以在这些量中减少1-2个数量级。然而,对于Stt-Mram的情况,与硅晶片的质量相比,使用了少量的PGM层,这些硅晶片生长了这些类型的设备。因此,发现硅晶片制造的环境和经济影响要比STT-MRAM堆栈中纳入的PGM材料高得多。一个探索的可能性是基于Co/ni多层的SAF结构,其性能相似。还基于上述PSA概念提出了更具挑战性的选择。最后,我们解决了欧洲委员会确定的其他几种金属的案例,这些金属在MRAM(例如W或TA)中使用,最近都包括在2021年1月发布的欧盟冲突矿产法规中[3]。
作为一家位于澳大利亚的公司,Genaspi Energy Group致力于推动可再生能源整合和存储的创新。我们的旗舰项目Bundey Bess and Solar Project是该任务的基石。该项目推出了一个1.2GW/3GWH BES,该项目以多个阶段部署,并且在策略上位于Bundey变电站的策略性地位于Project EnergyConnect(PEC)的一部分。这种定位不是偶然的,这是我们提供明显的网格稳定性和可靠性益处的策略,同时无缝整合可再生能源。
Shanur Healthcare(PTY)Ltd,G979(1965年第101号法案),梭罗片,帕酰甲氨基酚200毫克,盐酸麻黄酸6毫克,咖啡因20 mg,氯苯胺肺炎2 mg
拓扑绝缘体是凝聚态物理学中很有前途的材料,因为它们具有特殊的自旋结构,可以产生非常高的自旋到电荷电流相互转换,这对于新兴的低能耗自旋电子学器件具有重要意义。本研究的目的是探索一类有前途的拓扑材料,这些材料具有高可调性等独特特性——半赫斯勒。我们专注于 PdYBi 和 PtYBi 薄膜的外延生长,这些薄膜是在一系列互连的 UHV 装置上生长和表征的,这使我们能够获得一整套原位表面表征,例如电子衍射、扫描隧道显微镜和角度分辨光电子能谱。使用标准 x 射线衍射和扫描透射电子显微镜进行非原位结构表征,用于控制薄膜中的晶体质量和化学有序性。进行了角分辨光电子能谱分析,结果显示布里渊区点附近存在线性状态。此外,我们使用设计了几何形状的片上器件进行热自旋传输测量,以控制热传播,以测试我们化合物的潜在相互转换效率,发现 PdYBi 和 PtYBi 在不同厚度下的自旋塞贝克系数值都大于铂。这一观察结果为使用半赫斯勒开发高效自旋相互转换材料开辟了道路。
背景:含有高Z组元素的纳米辐射式感应器已被广泛报道为放射疗法的潜在候选者。但是,特定的调节机制尚不清楚,需要紧急解决生物降解性。方法:我们合成了含丝绸Sericin的纳米组件,pt@bi 2 SE 3 -RGD(PBR)。pbr的抗肿瘤和生物选择效应。使用双侧肿瘤模型评估了PBR的免疫放射治疗作用。结果:将光声成像引导的PBR与放射疗法相结合,提高了抗PD-L1治疗的效率,从而引发了强大的免疫反应。重要的是,含丝丝毒素的PBR可以用酸性pH和过表达的MMP-9对局部细胞内环境反应,并崩溃成BI,SE和散射的PT纳米颗粒(NPS),并最终从体内清除。结果还表明,PBR可能作用于AREG/EGFR/BCL-2途径,从而诱导放射性敏感性凋亡。结论:在这项研究中综合的多功能,可生物限制的PBR纳米组装表现出了放射敏化,与PD-L1免疫阻滞结合使用,可以抑制原发性和远端肿瘤。因此,作为协同放疗和免疫疗法的敏化剂,PBR可能在肿瘤学中具有广泛的临床应用。
Ni(10 at.% Pt) 单硅化物在微电子中用作接触件,但由于团聚,在相对较低的温度下会遭受性能下降。最近在 28 nm-FDSOI 微电子器件上获得的结果显示,在与 Ni(Pt)Si 薄膜脱湿相关的 550 °C/2 小时退火后,产量损失严重。这种团聚热预算比使用原位或非原位四点探针测量在毯状晶圆上测得的热预算低 100 °C。在此背景下,本文旨在研究 Ni(Pt)Si 形成过程对 Ni(Pt)Si 团聚的影响,采用不同的方法,如 (i) 经典方法,即进行一次退火以形成硅化物并导致团聚,(ii) 通过标准 SALICIDE 工艺“自对准硅化物”形成硅化物,然后进行退火以诱导团聚,以及 (iii) 标准 SALICIDE 工艺形成硅化物,然后用 SiN 层封装顶部硅化物表面,如器件中所用,最后进行团聚退火。我们的研究表明,薄膜的热稳定性受形成过程中选择性蚀刻 (SE) 的顺序以及薄膜是通过单次退火还是双次退火形成的影响。这项研究的另一个结论是,四点探针测量不够灵敏,无法很好地估计团聚现象的真正起点,这对器件是有害的(三重结处形成孔洞)。为了准确确定团聚热预算,迫切需要一些额外的特性,例如倾斜扫描电子显微镜 (倾斜 SEM)。这项研究可以阐明导致团聚的主要参数:薄膜厚度和晶粒尺寸似乎是更重要的参数。 * 通讯作者电子邮件:magali.gregoire@st.com。
5。Kim S.等。 “使用分类学分配的微生物组数据进行分层结构化组件分析”。 EEE/ACM交易对计算生物学和生物信息学的交易19(2022):1302-1312。Kim S.等。“使用分类学分配的微生物组数据进行分层结构化组件分析”。EEE/ACM交易对计算生物学和生物信息学的交易19(2022):1302-1312。
Kai Fan 1 , Bohao Li 2 , Wen-Xuan Qiu 2 , Ting-Fei Guo 1 , Jian-Wang Zhou 1 , Tao Xie 1 , Wen- Hao Zhang 1 , Chao-Fei Liu 1 , Fengcheng Wu 2,3 * and Ying-Shuang Fu 1,3†