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XLamp LED 的脉冲过流驱动
© 2010-2023 Cree LED。本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。Cree ® 、Cree 徽标、XLamp ® 和 Cree LED 徽标是 Cree LED 的注册商标。本文档仅供参考，不作为保证或规范。有关产品规格，请参阅 www.cree-led.com 上提供的数据表。
关于单个高能电磁脉冲对人间充质干细胞形态和自由基产生的影响的初步研究
摘要：纳秒电磁脉冲对人类健康，尤其是在人类细胞中形成自由基的影响，是持续研究和正在进行的讨论的主题。这项工作介绍了对人间充质干细胞中单个高能电磁脉冲对形态，生存能力和自由基产生的影响的初步研究（HMSC）。将细胞暴露于单个电磁脉冲中，电场幅度为〜1 mV/m，脉冲持续时间约为〜120 ns，由600 kV的马克思发生器产生。分别使用共聚焦荧光显微镜和扫描电子显微镜（SEM）检查暴露后2小时和24小时的细胞活力和形态。用电子顺磁共振（EPR）研究了自由基的数量。显微镜观测和EPR测量表明，与对照样品相比，对高能电磁脉冲的暴露均未影响产生的自由基的数量，也没有在体外的HMSC形态。
基于脉冲充电的智能电池管理系统
电动汽车（EV）现在是汽车行业的重要组成部分，其主要原因是：减少对石油的依赖和减少空气污染，这有助于我们为环保环境的发展做出贡献。电动汽车购买者检查整体车辆里程，充电时间，每次充电后车辆里程，充电/放电安全性，寿命，充电率，能力和温度升高。提出了一种新的改进的脉冲充电技术，其中使用比例积分（PID）控制动作和神经网络充电电池。使用PID控制器来开发此设计中的充电单元。馈电神经网络用于确定PID控制参数的值。电池管理系统（BMS）确保该设计的电池充电系统有效地为电池充电所需的时间更少。该系统是使用MATLAB/SIMULINK构建的。
脉冲Qubits的行为及其用于喂养前向网络的应用
在过去的二十年中，机器学习和量子计算的组合一直是一个不断增长的话题，但是到目前为止，量子计算硬件的局限性具有某种性的限制，这是什么限制了用于机器学习的复杂多量化操作。在本文中，我们利用在脉冲量子A上观察到的量子状态概率的周期性性质，以提出一个单品饲料向前块，其构建结构允许以类似于经典神经网络的方式使用经典参数。为此，我们调节脉冲令人兴奋的量子，以诱导Bloch球体周围的叠加旋转。此处介绍的方法具有每个块单个量子的优势。因此，它相对于块的数量是线性的，而不是与其他地方的大多数方法相比，与多项式相对于多项式。此外，由于它采用了经典参数，因此可以对培训中的大量迭代和更新进行培训，而无需居住，并且可以在必要时重复使用并存储梯度。我们还展示了如何使用正弦方的激活功能来绘制类比与神经网络的绘制，并说明了如何在启用脉冲量子计算机上使用和实现此处介绍的馈电块。
超导量子脉冲控制的方法和结果
本报告是由美国政府某个机构资助的工作报告。美国政府或其任何机构、其雇员、承包商、分包商或其雇员均不对所披露信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或任何第三方的使用或此类使用结果做任何明示或暗示的保证，或承担任何法律责任或义务，或表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务，并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构、其承包商或分包商对其的认可、推荐或支持。本文表达的作者的观点和意见不一定代表或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
CDSE Pulse 第 4 卷第 1 期
自 2020 年推出以来，安全卓越发展中心 (CDSE) Pulse 通讯已被证明是与安全社区分享我们的培训、教育和认证产品的绝佳方式。我们感谢读者的支持，我们的 Pulse 订阅用户已接近 25,000 人。2023 年，通讯将继续关注及时且相关的安全意识主题。我们邀请您与其他可能从中受益的人分享此资源，并帮助我们实现新年 30,000 名订阅者的目标！
相互作用的能量依赖于硅NS激光扫描中的脉冲宽度
摘要：在过去的几十年中，对半导体硅的激光消融进行了广泛的研究。在超短脉冲结构域中，无论是在FS尺度还是PS尺度上，硅的消融中的脉冲能量阈值都非常依赖于脉冲宽度。然而，在NS脉冲量表中，对脉冲宽度的能量阈值依赖性尚不清楚。这项研究阐明了NS NIR激光消融硅的相互作用能量依赖性。通过脉冲能量沉积速率确定消融或熔化的水平，该脉冲能量沉积速率与激光峰值成正比。较短的脉冲宽度高峰值功率可能会引起表面消融，而较长的脉冲宽度可能会诱导表面熔化。随着脉冲宽度从26增加到500 ns，消融阈值从5.63增加到24.84 j/cm 2。随着脉冲宽度从26增加到200 ns，熔化阈值从3.33增加到5.76 j/cm 2，然后一直保持恒定直至500 ns，最长的宽度。与较短的脉冲宽度不同，较长的脉冲宽度不需要较高的功率水平来诱导表面熔化，因为可以在较低的加热时间较长的脉冲宽度时诱导表面熔化。表面熔化的线宽度小于聚焦点尺寸；该线在缓慢的扫描速度下以连续线的形式出现，或者以高扫描速度以隔离点的形式出现。相比之下，从消融中的线宽度显着超过了聚焦的点大小。
基于 FPGA 的脉冲宽度调制
通过控制施加到不同设备的电压，可以控制速度、热量和许多参数。控制电压的方法有很多，其中一种就是脉冲宽度调制技术。使用脉冲宽度调制可以改变占空比。脉冲宽度调制输出可以通过不同的电路获得。这里，脉冲宽度调制块有一个寄存器、计数器、比较器和 RS 锁存器。这些块是使用 QUARTUS-II 综合开发环境中的 VHDL 合成的，并在 Altera FPGA 板上进行仿真和下载。通过改变寄存器值可以改变开启时间，通过计数器值可以改变关闭时间。使用 Modelsim 软件模拟 PWM 波形输出。然后可以通过改变 FPGA 板中的 LED 强度来验证 PWM 波形。在这个项目中，使用 PWM 技术控制直流电机的速度。L293D 电机 d。将来，这种 PWM 技术可用于 MPTT 的阻抗匹配，以从太阳能电池板中提取最大功率。
高度均匀的2D/3D异质结二极管通过MOS2的脉冲激光沉积在离子植入掺杂的4H -SIC
，例如厚度依赖性带隙，对硅，光电子和能量应用以外的超缩放数字电子设备具有吸引力。[1] TMD的悬挂式无键结构提供了具有散装半导体的高质量范德华异质结构的独特可能性，用于实施高级异质结构设备，利用界面处利用当前的运输。[2-5]尤其是，单层或几层MOS 2与宽带gap半导管的整合，例如III III氮化物（GAN，ALN和ALGAN ALLOYS）和4H-SIC，目前是越来越多的兴趣的对象（例如，对于高反应性双音群的现象，都可以提高兴趣的对象紫外线），[6-11]和电子设备（例如，用于实现异缝二极管，包括带对带隧道二极管的二极管）。[12–17]
通过在离子注入掺杂的 4H-SiC 上脉冲激光沉积 MoS2 制备高度均匀的 2D/3D 异质结二极管
诸如厚度相关的带隙，这对于硅以外的超大规模数字电子学、光电子学和能源应用具有吸引力。 [1] TMD 的无悬挂键结构为实现高质量范德华异质结构与块体半导体提供了独特的可能性，从而实现利用界面电流传输的先进异质结器件。 [2–5] 特别是，单层或几层 MoS 2 与宽带隙半导体（如 III 族氮化物（GaN、AlN 和 AlGaN 合金）和 4H-SiC）的集成，目前在光电子学（例如，用于实现覆盖可见光和紫外光谱范围的高响应度双波段光电探测器）[6–11] 和电子学（例如，用于实现异质结二极管，包括带间隧道二极管）中越来越受到关注。 [12–17]