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JST12A-600B - JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd
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JST131V-800D - 深圳市杰杰微电子有限公司
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不同情绪状态下脑电信号对大脑功能连通性的评估
科学文献中已经通过多种技术广泛分析了与效价/唤醒空间的四个象限相对应的情绪状态的识别。然而，这些方法中的大多数都是基于对每个大脑区域的单独评估，而没有考虑不同区域之间可能存在的相互作用。为了研究这些相互联系，本研究首次计算了称为跨样本熵的功能连接指标，用于分析来自脑电信号的四组情绪的大脑同步。结果报告了中央、顶叶和枕叶区域之间的互连具有很强的同步性，而左额叶和颞叶结构与其他大脑区域之间的相互作用表现出最低的协调性。这些差异对于四组情绪具有统计学意义。所有情绪同时被分类，准确率为 95.43%，超过了以前研究报告的结果。此外，考虑到对应维度的状态，效价和唤醒的高低水平之间的差异也提供了关于不同情绪条件下大脑同步程度的显著发现，以及可能的
利用电化学技术对纳米微电子应用的半导体化合物进行工程设计
通常，半导体纳米线是通过众所周知的技术来制备的，例如多孔模板中的电化学沉积、化学传输、使用金催化种子的化学气相沉积等[3-5]，这些技术代表了自下而上的技术。在过去的二十年中，已经证明，电化学蚀刻大块半导体晶体可作为纳米结构的一种经济有效的方法[6-8]。此外，通过优化电化学参数可以制备大量垂直于晶体表面的半导体纳米线。通过阳极氧化制备纳米线具有一些优点：蚀刻时间短；阳极氧化在室温下进行；不需要昂贵的设备；电解质用量少等。此外，已经证明了通过“快速电化学蚀刻”InP半导体化合物来经济高效地制备InP纳米线的可能性[9]。使用这种方法，作者在3秒的电化学蚀刻期间制备了长度为2μm的半导体纳米线，蚀刻速率达到约40μm/min。
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注 1. 50% 占空比，1ms PW 注 2. ≤1μs PW，300pps 注 3. AC 1 分钟，RH = 40 ~ 60% 注 4. 10 秒
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集电极功耗 PC 150 mW 额定折减系数 P CD 3.1 mW/°C 集电极电流 IC 50 mA 集电极发射极电压 V CEO 80 V 发射极集电极电压 V ECO 7 V 总功耗 Ptot 200 mW 隔离电压 Viso 3750 Vrms 工作温度 Topr -55~+110 °C 储藏温度 Tstg -55~+125 °C 焊接温度 Tsol 260 °C
JPTT01V-800SW - 杰杰微电子有限公司
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