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一种新型铁电Rashba半导体
快速、可逆、低功耗操控自旋纹理对于下一代自旋电子器件（如非易失性双极存储器、可切换自旋电流注入器或自旋场效应晶体管）至关重要。铁电拉什巴半导体 (FERSC) 是实现此类器件的理想材料。它们的铁电特性使得能够通过可逆和可切换的极化对拉什巴型自旋纹理进行电子控制。然而，只有极少数材料被确定属于此类多功能材料。这里，Pb 1 − x Ge x Te 被揭示为一种新型的纳米级 FERSC 系统。通过温度相关的 X 射线衍射证明了铁电相变和伴随的晶格畸变，并通过角分辨光电子能谱测量了它们对电子特性的影响。在少数纳米厚的外延异质结构中，较大的 Rashba 自旋分裂表现出随温度和 Ge 含量变化的宽调谐范围。本研究将 Pb 1 − x Ge x Te 定义为用于自旋电子学应用的高电位 FERSC 系统。
radial rashba和dresselhaus旋转轨道耦合的磁转运和自旋 - 弹性特征
基于石墨烯的范德华异质结构利用了通过接近效应在石墨烯层中调整自旋轨道耦合（SOC）。在长波长处 - 由狄拉克点附近的电子状态骑马 - 可以通过涉及新型SOC术语的汉密尔顿人有效地建模，并允许通过所谓的rashba角度θr的切向和径向自旋纹理的混合。采用这种有效的模型，我们执行逼真的大规模磁转运计算 - 横向磁心焦点和Dyakonov-perel自旋松弛 - 并表明存在着独特的定性和定量特征，允许其无偏见的实验性分解，从而从其新颖的Radial对方中对常规的Rashba Soc进行了无偏见的SOC，此处称为Radial Rashba Soc。与此一起，我们提出了一个方案，以直接估算RASHBA角，通过探索磁响应对称性在交换平面磁场时。为了完成故事，我们在出现的Dresselhaus SoC的存在下分析了磁磁运输和自旋 - 弹性签名，还为径向超导二极管效应的可能场景提供了一些通用的后果。
发光的钙钛矿metasurface
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具有 Rashba 自旋轨道耦合的二维电子气的量子关联
纠缠是量子力学的一个关键概念，在量子信息和计算领域得到了广泛的研究[1,2]。纠缠也成为多体物理学中的一个重要现象[3]，涵盖量子自旋系统[4-6]、近藤效应[7,8]、分数量子霍尔效应[9-11]、非相互作用电子气的自旋[12,13]等各个方面。关联函数对于描述多体系统的物理现象至关重要，因此，研究纠缠和关联函数之间的联系是合乎逻辑的。量子不和谐[14,15]是另一种类型的量子关联，它衡量了量子互信息和经典关联之间的差异。这种关联已被证明可用于某些量子技术任务[16,17]，同时也具有理论意义，因为它使用一种不同于传统纠缠态与可分离态分类的方法来表征量子关联。它也有助于研究某些多体系统中的关联程度[18-20]。另一个备受关注的课题是拉什巴效应[21-27]，它是一种自旋轨道耦合 (SOC)，发生在缺乏结构反演对称性的纳米结构中。在不断发展的自旋电子学研究领域[28]，拉什巴 SOC是一种基本工具，它允许利用电场精确控制电子自旋。由于该系统具有与电子气体相同的多体性质，因此研究这种关联具有重要意义。多体物理学中的一个重要概念是费米子的交换空穴，它是由泡利不相容原理产生的。这种基本类型的关联即使在没有粒子间相互作用的情况下也存在。交换空穴可以从两粒子密度矩阵
铁电 Rashba 半导体 GeTe 中激发体态和表面态的超快热化路径
理解强自旋轨道耦合的窄带半导体中自旋极化载流子弛豫的基本散射过程，对于自旋电子学的未来应用至关重要。[1–8] 一个核心挑战是利用自旋轨道相互作用，在没有外部磁场的情况下实现高效的信息处理和存储。[6–12] 当表面或界面发生反转不对称时，或当自旋轨道相互作用存在于块体中时，可引起较大的拉什巴效应。[13–17] 结果，电子态的自旋简并度被提升，其自旋分裂变为 Δ E = 2 α R | k |，它一级线性依赖于动量| k |和拉什巴效应的强度，用所谓的拉什巴参数 α R 表示。 [18,19] 较大的 Rashba 效应被认为是实现增强自旋极化电流控制、[20,21] 高效自旋注入 [10,22] 和自旋电荷相互转换、[23–26] 较大自旋轨道扭矩、[5,27] 的关键。
在巨型拉什巴半导体bitebr
1 Department of Physics, Budapest University of Technology and Economics and MTA-BME Lend¨ulet Nanoelectronics Research Group, Budafoki ´ut 8, 1111 Budapest, Hungary 2 Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, Nijenborgh 4, 9747 AG Groningen, the Netherlands 3 Institute of Technical Physics and Materials Science, MFA, Centre for Energy Research,匈牙利科学院Box 49，1525 Budapest，匈牙利4圣彼得堡州立大学，198504年，俄罗斯圣彼得堡。 5 A.V. Rzhanov半导体物理研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。 6 Novosibirsk州立大学，630090，Novosibirsk，俄罗斯。 7 V. S. Sobolev地质与矿物学研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。 8国际材料材料科学研究所国际材料纳米结构学中心，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本9 9 9号，国家材料科学研究所研究中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本，日本Box 49，1525 Budapest，匈牙利4圣彼得堡州立大学，198504年，俄罗斯圣彼得堡。5 A.V. Rzhanov半导体物理研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。 6 Novosibirsk州立大学，630090，Novosibirsk，俄罗斯。 7 V. S. Sobolev地质与矿物学研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。 8国际材料材料科学研究所国际材料纳米结构学中心，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本9 9 9号，国家材料科学研究所研究中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本，日本5 A.V.Rzhanov半导体物理研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。 6 Novosibirsk州立大学，630090，Novosibirsk，俄罗斯。 7 V. S. Sobolev地质与矿物学研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。 8国际材料材料科学研究所国际材料纳米结构学中心，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本9 9 9号，国家材料科学研究所研究中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本，日本Rzhanov半导体物理研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。6 Novosibirsk州立大学，630090，Novosibirsk，俄罗斯。 7 V. S. Sobolev地质与矿物学研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。 8国际材料材料科学研究所国际材料纳米结构学中心，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本9 9 9号，国家材料科学研究所研究中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本，日本6 Novosibirsk州立大学，630090，Novosibirsk，俄罗斯。7 V. S. Sobolev地质与矿物学研究所，630090，俄罗斯Novosibirsk。8国际材料材料科学研究所国际材料纳米结构学中心，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本9 9 9号，国家材料科学研究所研究中心，国家材料科学研究所，1-1 Namiki，Tsukuba，Tsukuba 305-0044，日本，日本
通过联合计算连接分布式能量灵活性的分布式口袋：限制和可能性rashba效应和tl2o/pts2的拉曼光谱...
图4：TL 2 O/pts的电子带结构分别为（w/o）SOC和（b）具有（w/）soc的（b）。（c）缩放价带区域定义了发电的rashba-Energy e r和动量k 0。（d）对应于虚线的黑线（E = - 0。30 eV）在（c）中。