这里我们报道了在很宽的掺杂浓度范围(x = 0 ∼ 0 . 8)下锂和乙二胺插层的 FeSe 的结构和电子相图。未掺杂的 (C 2 H 8 N 2 ) y Fe 2 Se 2 结晶为正交相。随着锂掺杂的增加,在 x = 0 . 35 处发生正交到四方相变,并且超导四方相一直持续到 x = 0 . 5。同时,发现 T c 强烈依赖于掺杂剂浓度,从 x = 0 . 35 时的 30 K 迅速上升到 x = 0 . 5 时的 45 K。Li 0 . 31(3) (C 2 H 8 N 2 ) 0 . 52(7) Fe 2 的晶体结构。利用高分辨率中子衍射数据分别在 5、60、150 和 295 K 下测定了 FeSe 四面体的形变。在 150 到 295 K 之间,FeSe 四面体的畸变显著增强,同时,在同一温度范围内正常态霍尔电阻率由负转正。在 230 K 以上,电子掺杂的 Li 0.5(C 2 H 8 N 2 ) y Fe 2 Se 2 中以空穴载流子为主,这表明温度引起的结构畸变可能导致费米面拓扑结构的重构和空穴袋的出现。
原子层面的磁相互作用在磁性中起着核心作用。近年来兴起的二维范德华 (vdW) 磁性材料由于其高结晶性、可调性以及可研究不同厚度的可能性,为研究磁相互作用提供了可能性[1,2],其中晶格特性可通过多种具有空间分辨率的探针轻松获取,如扫描探针和拉曼光谱[3-5]。磁相互作用最重要的指标之一是居里温度 (TC)。出于提高 TC 的实际动机,磁相互作用与 TC 之间的关系在 vdW 磁体中得到了广泛的研究。例如,通过电门控(特别是在场效应晶体管的结构中)研究了磁相互作用与电子结构和载流子浓度的变化,这改变了 Cr 2 Ge 2 Te 6 局部磁系统的磁滞曲线,而 TC 没有任何显著变化,而对于类似结构的 Fe 3 GeTe 2 流动磁系统,TC 从 205K 升高到室温以上 [6, 7]。从历史上看,
由于在高压下观察到非常规超导性(TC≈80K),最近层状的钙钛矿La 3 Ni 2 O 7最近引起了广泛的关注。是为了动机,我们提出了一项基于密度功能的计算研究,加上压力的LA 3 NI 2 O 7超导体的正常电子重建的动力均值均值理论计算。我们展示了一致性 - 成分跨界行为如何表现出由于E g壳单粒子光谱函数中相当大的电子相关效应而表现出来。我们的结果捕获了电阻的依赖性,为实验中看到的新兴奇怪的金属行为提供了多种粒子的解释。我们的发现呼吁对非常规高温超导体进行更多研究,以发掘与边际费米液体近端的后果,这是管理奇怪金属运输异常的重要候选者。
随函附上编号为 VIGYASA/03/2016 的信函,日期为 2024 年 9 月 4 日,由喜马偕尔邦大学物理系助理教授 Balbir Singh Patial 博士就上述主题致函,据悉,印度政府文化部国家科学博物馆委员会、印度国家教育研究与培训委员会 (avcERT) 和 Vijnana BharatiVIBHA 联合组织了全国性人才考试,名为 VIDYARTHI VIGYAN MANTHAN,将于 2024 年 10 月 23 日星期三或 2024 年 10 月 27 日星期日(开卷考试)面向 6 年级至 11 年级的学生。考试详情载于随附的小册子中,供您参考,也可在网站上查阅:https://win.org.in/
在单频哈伯族中继续寻找超导性的最强拟合度之一是基于单频梯的理论在预测丘比特菌酸耦合 - 偶联体积sr sr 14 - x ca x cu x cu 24 o 41 o 41的超导性方面的明显成功。最近的理论工作表明,在孔掺杂的多型梯子梯子中,完全没有准长范围的超导相关性,包括氧气位点上的孔和氧气 - 氧孔跳跃的孔之间的现实库仑排斥。在实验上,SR 14 -x Ca x Cu 24 O 41中的超导性仅在压力下发生,并且在尚未理解的一个远至二维的急剧过渡之前。我们表明,理解尺寸的交叉需要采用一个价值过渡模型,在该模型中,在cu-ion离子性中从 + 2到 + 1中发生了过渡,并将孔从Cu转移到O离子[S. S. Mazumdar,物理。修订版b 98,205153(2018)]。价值转变背后的驱动力是Cu 1 +的封闭壳电子配置,这是所有氧化物具有负电荷转移间隙的阳离子所共有的特征。我们对SR 14-x Ca x Cu 24 O 41进行虚假的实验预测,并讨论我们结果对分层的二维丘陵的含义。
pn 结中的二极管效应在现代微电子学中起着重要作用。由于电子(n)和空穴(p)掺杂区之间的反演对称性破缺,电子传输是非互易的,即电流只能朝一个方向流动。这种非互易性质已广泛应用于晶体管、发光二极管、太阳能电池等电子设备中。最近,类似的二极管效应在超导系统中引起了极大的兴趣 [1-66]。与 pn 结中的二极管效应一样,超导二极管效应 (SDE),或者具体来说是约瑟夫森结 (JJ) 中的约瑟夫森二极管效应 (JDE),有望找到重要应用,如无源片上回转器和循环器 [66]。这类设备在量子计算应用中将特别有影响力。此外,SDE/JDE 可用作研究新型超导特性(如有限动量库珀对)的替代方法 [2, 10]。在典型的 JJ 或超导量子干涉装置(SQUID)中,IV 曲线在装置处于正常状态的高电流范围内呈线性,如图 1(d)所示。电压 V DC 在所谓的再捕获电流 I + r(对于电流向下扫描)处突然降至零,并在很大的电流范围内保持在零,直到达到开关电流 − I − c。本文中,我们将该开关电流视为 JJ 的临界电流(I c ),并在本文中始终使用临界电流这一术语。超过 − I − c 后,IV 曲线变为线性,装置再次进入正常状态。对于电流向上扫描曲线,可以观察到 IV 曲线的类似形状,并标记出相应的 − I − r 和 I + c 的位置。一般而言,只要存在时间反演对称性 (TRS) 或反演对称性,I + c = I − c 就与电流扫描方向无关。然而,当两种对称性都被破坏时,临界电流会根据电流扫描的方向显示不同的值,这种现象称为 JDE [ 1 , 2 ]。在非中心对称超导系统或非对称 SQUID 等器件结构中,反演对称性会被破坏
在密切相关的5 f-电子系统中,由于波函数的扩展,与可比强度的相互作用竞争。这场竞争导致了各种各样的外来状态,这几乎无法用D - 或4 F-电子物理学的常规模型来理解[1]。在基于金属U的重型费米化合物中,周围配体具有强大的杂交作用,异常阶段的异常共存发生为例如,例如,在隐藏的阶超导体URU 2 SI 2中。发现热量异常的“隐藏顺序”参数的性质仍在辩论之后,在发现后30年以上[2]。UPT 2 Si 2是U T 2 M 2(T =过渡金属; M = SI或GE)家族的紧密相关的金属间化合物,其PT-5 D电子与U-5 F状态杂交。UPT 2 Si 2采用CABE 2 GE 2晶体结构,并在t n = 35 k处磁性下命令,带有波矢量q m =(1 0 0 0),其中铁磁AB平面沿C轴堆叠了抗磁力(AFM),沿C轴堆叠,并具有≈2μb[3-5]。因此,长期以来,UPT 2 Si 2被认为是铀间金属化合物具有局部5 F电子的罕见例子,在简单的晶体领域水平方案中可以解释磁性[4]。然而,最近的一些研究[6-9]质疑该系统中电子定位程度。高场测量结果表明,应根据费米表面效应来理解应用磁场下的相变[6]。最近的一项无弹性中子散发研究揭示了双重性质,两者都巡回通过密度功能理论(DFT)计算进一步支持这种方法,该计算有利于5 f电子大部分巡回的情况[7]。
cerhsn带有CE原子,在六边形平面中形成了准晶格,最近在磁性挫败感驱动的量子临界性的背景下进行了讨论。此外,据报道,PD连续取代RH会导致磁性。在这里,我们研究了替代序列中4 F职业的变化CERH 1 -x pd X sn,用于x = 0、0.1、0.1、0.3、0.5、0.75,使用硬X射线(HAXPES)的光电光谱法(haxpes)。与组合完整的多重组和配置相互作用分析对核心水平光谱的定量分析显示,由于有效的4 F结合能ε4F的增加以及有效杂交V EFF的降低,4 F 0贡献的平稳降低,X的上升效果上升。我们将价带数据与计算的状态部分密度进行比较,并发现PD 4 d状态距离费米能量的CE 4 F状态比RH 4 d状态远离CE 4 F状态。实际上,在核心水平光谱的配置相互作用分析中,有效的结合能ε4F降低了相同的量。
1物理系,卡拉布里亚大学,通过P. Bucci,87036 Arcavacata di Rende(CS),意大利2,材料高级光谱实验室,Star Ir,通过Tito Flavio,Calabria,Calabria,Calabria,University of Calabria,87036,87036,87036,Rende(CS),Rende 3 30,nanos Surfacity of Nanos of Surfacity of Nans of Surfacity and coations and coation 30俄罗斯汤姆斯克4力量物理与材料科学研究所,俄罗斯科学学院,634055俄罗斯汤姆斯克,俄罗斯5巴库州立大学,阿塞拜疆阿塞拜疆巴库6同步型S.C.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.P.A. Fosso del Cavaliere,00133,意大利罗马8号dePolímerosy y材料高级材料:Física,QuímicayTechnología,ciencias deCienciasquíemas,PaísVascovasco vasco upv / ehu上大学西班牙巴斯克国家塞巴斯蒂安(Sebastián
我们报道了外加磁场下HfTe 5 的电子输运特征。随着磁场的增加,我们观察到霍尔电阻ρ xy 出现一系列平台期,直至达到1-2 Tesla 的量子极限。在平台期区域,纵向电阻ρ xx 表现出局部最小值。尽管ρ xx 仍然非零,但是在最后几个平台期,其值变得远小于ρ xy。通过测量 Shubonikov-de Haas 振荡来映射费米面,我们发现霍尔平台的强度与费米波长成正比,这表明它的形成可能归因于相互作用驱动的费米面不稳定性导致的能隙打开。通过比较 ZrTe 5 和 HfTe 5 的体能带结构,我们发现在 HfTe 5 的费米能级附近存在一个额外的口袋,这可能导致有限但不为零的纵向电导。