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半填充的扩展哈伯德模型的自旋和电荷调制
我们介绍并分析了扩展的哈伯德模型，其中，在一个方形的晶格上，在半频段填充的方形晶格上，考虑了地点库仑相互作用以及交错的局部电势（SLP）。使用Hartree-fock近似以及Kotliar和Ruckenstein Slave Boson形式主义，我们表明该模型在SLP的有限值下使用电荷订单（CO）以及联合旋转和电荷调制（SCO），而旋转密度波（SDW）仅稳定下来，以用于旋转SLP。我们确定其相位边界以及依赖SLP的顺序参数的变化，以及现场和最近的邻居相互作用。CO和SCO相共存的域，适用于电阻开关实验。我们表明，当采取零-SLP限制时，新型的SCO会系统地变成更常规的SDW相。我们还讨论了在零和有限温度下不同相变的性质。在前一种情况下，没有连续CO到SDW（或SCO）过渡。相反，顺磁性相（PM）伴随着朝向自旋或电荷有序相的连续相变，位于有限温度下。证明了与数值模拟的良好定量一致性，并进行了两种使用方法之间的比较。
由于Hund的耦合而引起的准本地旋转波动
很久以前就强调了自旋爆发对SR 2 RUO 4物理学的重要性[1]。该材料接近旋转密度波不稳定性和杂质的小浓度触发排序[2，3]。Sidis等人开创的非弹性中子散射（INS）实验。 [1]并在多年来进行了修复[4-10]表明，磁反应本质上是：（i）与均匀敏感性的均匀敏感贡献相关的弱动量贡献，与频带值相比，均匀敏感性的增强因子（一致）均匀敏感性的增强因子，与频带值相比[11，12]）和（ii）evection [11，12]）和（ii）（ii）/（ii）（ii）quemmentrate qummentrate quntimemensurate quntiment qumensurate quntiment 3，0。 3，0）[13]靠近旋转密度波（SDW）不稳定性[10]。 使用密度函数理论（DFT）和随机相近似（RPA）预测了Q SDW处的峰值。 但是，RPA并未解释宽结构，它预测在反铁磁X点Q x =（0。）处的响应 5，0。 5，0）高于 - 点响应q =（0，0，0），与实验相矛盾[10]。 最近，已经意识到，该材料中强相关性的起源可能与长波长磁相关性相关，而是与hund的耦合驱动的局部相关性[15，16]。 在此图片之后获得了SR 2 RUO 4的广泛物理特性的成功描述，并由定量的动态均值结构理论（DMFT）计算支持。Sidis等人开创的非弹性中子散射（INS）实验。[1]并在多年来进行了修复[4-10]表明，磁反应本质上是：（i）与均匀敏感性的均匀敏感贡献相关的弱动量贡献，与频带值相比，均匀敏感性的增强因子（一致）均匀敏感性的增强因子，与频带值相比[11，12]）和（ii）evection [11，12]）和（ii）（ii）/（ii）（ii）quemmentrate qummentrate quntimemensurate quntiment qumensurate quntiment 3，0。 3，0）[13]靠近旋转密度波（SDW）不稳定性[10]。 使用密度函数理论（DFT）和随机相近似（RPA）预测了Q SDW处的峰值。 但是，RPA并未解释宽结构，它预测在反铁磁X点Q x =（0。）处的响应 5，0。 5，0）高于 - 点响应q =（0，0，0），与实验相矛盾[10]。 最近，已经意识到，该材料中强相关性的起源可能与长波长磁相关性相关，而是与hund的耦合驱动的局部相关性[15，16]。 在此图片之后获得了SR 2 RUO 4的广泛物理特性的成功描述，并由定量的动态均值结构理论（DMFT）计算支持。3，0。3，0）[13]靠近旋转密度波（SDW）不稳定性[10]。使用密度函数理论（DFT）和随机相近似（RPA）预测了Q SDW处的峰值。但是，RPA并未解释宽结构，它预测在反铁磁X点Q x =（0。5，0。5，0）高于 - 点响应q =（0，0，0），与实验相矛盾[10]。最近，已经意识到，该材料中强相关性的起源可能与长波长磁相关性相关，而是与hund的耦合驱动的局部相关性[15，16]。在此图片之后获得了SR 2 RUO 4的广泛物理特性的成功描述，并由定量的动态均值结构理论（DMFT）计算支持。This includes the large mass enhancements of quasi- particles observed in de Haas–van Alphen experiments [ 17 ] and angle-resolved photoemission spectroscopy [ 18 ] as well as quasiparticle weights and lifetimes [ 15 ], nuclear magnetic resonance [ 15 ], optical conductivity [ 19 , 20 ], thermopower
在高压下通过超快光谱揭示的LA3NI2O7中的密度波状差距演变
密度波（DW）阶的顺序被认为与最近发现的高温超导体LA 3 Ni 2 O 7中的超导性相关。然而，仍然缺乏对其在高压下进化的实验研究。在这里，我们探索了双层镍3 ni 2 o 7单晶体中的准颗粒动力学，使用超快光泵探针光谱在高达34.2 GPA的高压下。在环境压力下，温度依赖的松弛动力学表明，由于在151 K附近的能量间隙打开了能量隙，因此表现出声子瓶颈的效果。Rothwarf-Taylor模型确定了DW样间隙的能量尺度为66 MeV。结合了最近的体验结果，我们建议在环境压力和低温下的DW样过渡是自旋密度波（SDW）。随着压力的增加，该SDW顺序被显着抑制至13.3 GPA，然后在26 GPA左右完全消失。值得注意的是，在高于29.4 GPA的压力下，我们观察到另一个类似DW的顺序的出现，其过渡温度约为135 K，这可能与预贴的电荷密度波（CDW）顺序有关。我们的研究提供了在高压下类似DW的差距演化的实验证据，从而对LA 3 Ni 2 O 7中DW顺序与超导性之间的相关性提供了关键的见解。
供水系统长期规划指南
国会于 1974 年颁布的《安全饮用水法案》 (SDWA) 指示环境保护局制定最低国家饮用水标准。已通过多项规则，目前该市已满足所有要求。拟议的 SDW 规则称为消毒/消毒副产品 (DIDBP) 规则第二阶段，目前看来是最有可能要求对我们的水处理方式进行重大改变的新法规。拟议规则的目的是尽量减少与处理过程中使用氯消毒时可能形成的化合物相关的健康风险。第二阶段 DIDBP 规则的要求预计将在 1998 年最终确定，此前对消毒副产品进行了更多研究，这是谈判最终规则的一个组成部分。
![arxiv：2503.08682v1 [cond-mat.supr-con] 2025年3月11日](/simg/g:\will\search\icon\source\d\d3bb4f23567874a28238010095a81665c911b0c9.webp)
arxiv：2503.08682v1 [cond-mat.supr-con] 2025年3月11日
通过密度功能理论加上动态均值字段理论，我们系统地研究纤维bi-Bi-layer la 3 ni 2 O 7（2222-LA327），混合单层单层La 5 ni 3 O 11（1212-LA5311）和LA 2 NIO 4在dop-下或高压下。我们发现，在已知的超导ruddles-den-popper（RP）镍盐中，通常通过孔掺杂或高压来实现Ni-E G轨道的增强的准粒子重量和局部自旋弹性，这表明它们是超导性的关键。我们还将实验合成的RP镍列入具有局部自旋力矩作为参数的相图中，其中旋转密度波/抗磁力磁性（SDW/AFM）的阶段，超导性和费米液体出人意料。最后，我们预测了一个有希望的超导RP镍的候选者，该镍是在“双层 - trilayer”堆叠序列中构建的。
ATR（温彻斯特）年度独立顾问小组...
IAP 独立顾问小组 JSHAO 联合部队住房咨询办公室 MQ 已婚宿舍 MHS 现代住房解决方案 MILCOM 军事通信 MOD 国防部 MAA 仪仗长 NCO 士官 NFAS 不适合服兵役 OFSTED 教育标准办公室 OC 指挥官 第一阶段基础训练 第二阶段初始职业训练 PC 排长 PS 常任参谋 PFA 个人体能评估 Pl 排 PT 体育训练 PTI 体育训练教官 QIAP 质量改进行动计划 QMSI 军需品中士教官 RCFT 新兵战斗体能测试 RRC 地区安置中心 RAP 新兵分配计划 RAPTC 皇家陆军体育训练团 RECU 现役限制性就业 RSM 团士官长 RVS 皇家志愿服务 SITREP 情况报告 SFA 军人家庭住所 SLAM 单人居住模块 SDW 士兵发展周 军士长 SHQ 中队总部 SQMS 中队军需品中士 SE 标准入伍TAFMIS 培训行政和财务管理信息系统 TC 部队指挥官 Tp 部队 TT 培训团队 UFAS 不适合服兵役 UWO 单位福利官员 VBL 基于价值观的领导力 V&S 价值观和标准
关于封面
测量了产率和产量成分。使用土壤植物分析开发（SPAD）阅读和叶子颜色图（LCC）评分来测量估计的L EAF叶绿素含量。使用叶片叶绿素仪测量开花阶段的每种植物的spad仪读数，而在开花阶段和开花后14天，使用LCC测量叶片绿色。植物高度（PHT）是在根提取之前使用尺子测量的。手动计数分ers（TN）和圆锥花序（PN）的数量。使用叶面积计（LICOR LI-3100C）测量每种植物的叶片面积。的芽在收获阶段的每个锅中的根系中分离，并将其放在棕色的信封中，在50°C下干燥48小时，并称重以进行芽干重（SDW）。使用种子鼓风机（757--South Dakota种子鼓风机）分离填充和未填充的谷物。之后，将每个填充的谷物干燥50°C 48小时并称重。另一方面，使用公式计算出尖峰生育能力（％sf）的百分比：％sf =肥沃的尖峰数量（G）/肥沃的尖峰数量 +肥沃的尖峰数量 +无肥料小尖峰的数量。
关于封面
测量了产率和产量成分。使用土壤植物分析开发（SPAD）阅读和叶子颜色图（LCC）评分来测量估计的L EAF叶绿素含量。使用叶片叶绿素仪测量开花阶段的每种植物的spad仪读数，而在开花阶段和开花后14天，使用LCC测量叶片绿色。植物高度（PHT）是在根提取之前使用尺子测量的。手动计数分ers（TN）和圆锥花序（PN）的数量。使用叶面积计（LICOR LI-3100C）测量每种植物的叶片面积。的芽在收获阶段的每个锅中的根系中分离，并将其放在棕色的信封中，在50°C下干燥48小时，并称重以进行芽干重（SDW）。使用种子鼓风机（757--South Dakota种子鼓风机）分离填充和未填充的谷物。之后，将每个填充的谷物干燥50°C 48小时并称重。另一方面，使用公式计算出尖峰生育能力（％sf）的百分比：％sf =肥沃的尖峰数量（G）/肥沃的尖峰数量 +肥沃的尖峰数量 +无肥料小尖峰的数量。
Serendipita Indica和Zhihengliuella sp的协同影响。 ISTPL4在稻米中缓解砷应激
砷（AS）是一种剧毒的金属，它会干扰植物的生长并破坏植物中各种生化和分子过程。在这项研究中，通过对根部内生菌的缝合体和静脉细菌的联合接种s sp。ISTPL4。 进行了一项随机实验，其中水稻在受控条件和压力条件下生长。 对照组由未经治疗和未压力的植物（C1），治疗和未压力的植物（C2），压力和未处理植物（T1）以及受压力和处理的植物（T2）组成（T2）。 各种表型特征，例如芽长（SL），根长度（RL），新鲜重量（SFW），根新鲜重量（RFW），芽干重（SDW）和根干重（RDW）和生化参数，以及绿比植物含量，蛋白质含量，蛋白质含量以及抗氧化剂的剂量。 在T2中增加了各种抗氧化剂酶的活性，随后是T1植物。 此外，在4.11μmolmg -1，2.53μmg -1，2.53μmg -1和3.62μmg -1，分别分别在4.11μmolmg -1，2.53μmg -1，2.53μmg -1，2.62μmg -1 fw植物中发现了高浓度的植物激素（ET），Gibberellic Acid（GA）和细胞分裂素（CK）。 AA的结果表明，与T1植物的根相比，T2植物的根（131.5 mg kg -1）的积累增加了（120 mg kg -1）。 它表明，与未接种的植物相比，微生物处理植物根部的积累和隔离量增加（T1）。ISTPL4。进行了一项随机实验，其中水稻在受控条件和压力条件下生长。对照组由未经治疗和未压力的植物（C1），治疗和未压力的植物（C2），压力和未处理植物（T1）以及受压力和处理的植物（T2）组成（T2）。各种表型特征，例如芽长（SL），根长度（RL），新鲜重量（SFW），根新鲜重量（RFW），芽干重（SDW）和根干重（RDW）和生化参数，以及绿比植物含量，蛋白质含量，蛋白质含量以及抗氧化剂的剂量。在T2中增加了各种抗氧化剂酶的活性，随后是T1植物。此外，在4.11μmolmg -1，2.53μmg -1，2.53μmg -1和3.62μmg -1，分别分别在4.11μmolmg -1，2.53μmg -1，2.53μmg -1，2.62μmg -1 fw植物中发现了高浓度的植物激素（ET），Gibberellic Acid（GA）和细胞分裂素（CK）。AA的结果表明，与T1植物的根相比，T2植物的根（131.5 mg kg -1）的积累增加了（120 mg kg -1）。它表明，与未接种的植物相比，微生物处理植物根部的积累和隔离量增加（T1）。我们的数据表明，这种微生物组合可通过增加SOD，CAT，CAT，PAL，PPO和POD等抗氧化剂的活性来减少植物的毒性作用。此外，水稻植物可以承受由于在存在微生物组合的情况下的植物激素的主动合成而承受的应力。
双层镍的两轨模型的磁相图，具有变化的掺杂
是由最近发现的高t c双层镍超导体LA 3 ni 2 O 7的动机，我们通过使用Lanczos方法对不同的电子密度n进行了全面研究BiLayer 2×2×2群集。我们还采用随机相近似来量化第一个磁不稳定性，而哈伯德耦合强度的提高也有所不同。基于自旋结构因子s（q），我们在固定的hund耦合下定义的平面中获得了丰富的磁相图，其中u是Hubbard的强度和W带宽。我们观察到许多状态，例如A-AFM，条纹，G-AFM和C-AFM。在半填充，n = 2（每个Ni位点，对应于n = 16个电子）时，规范的近方交互作用导致具有抗firomagnetic Couplings的稳健的G-AFM状态（π，π，π，π），均带有内在的层和层之间。通过增加或降低电子密度，从“半空”和“半满”机制中出现铁磁趋势，从而导致许多其他有趣的磁趋势。另外，与半完成相比，在孔或电子掺杂区域中，自旋旋转相关性在较弱。n = 1。5（或n = 12），密度对应于La 3 Ni 2 O 7，我们获得了“条纹2”基态（抗铁磁耦合在一个平面方向上，另一个面积为非磁磁耦合，另一个耦合的铁磁耦合，沿Z AxiS沿2×2×2×2 Cluster沿Z AxiS沿Z Axiis沿Z AxiS）。另外，我们获得了沿Z轴的AFM耦合要比XY平面中的磁耦合要强得多。此外，具有q /π=（0。< /div>的状态6，0。随机相近似的计算具有不同的n的结果，即使这两种技术都是基于完全不同的程序，但n的结果与兰斯佐斯的结果非常相似。6，1）在我们的RPA计算中发现了靠近电子期波形，通过将填充略微降低到n = 1，可以找到。25，可能负责在实验中观察到的电子期SDW。我们的预测可以通过化学掺杂LA 3 Ni 2 O 7来测试。