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贴片功率电感
**最大直流电流（A）。 RH125-100 100 10 20% 25.0米 4.00 RH125-120 120 12 20% 27.0米 3.50 RH125-150 150 15 20% 30.0米 3.30 RH125-180 180 18 20% 34.0米 3.00 RH125-220 220 22 20% 36.0米 2.80 RH125-270 270 27 20% 51.0米 2.30 RH125-330 330 33 20% 57.0米 2.10 RH125-390 390 39 20% 68.0米 2.00 RH125-470 470 47 20% 75.0米 1.80 RH125-560 560 56 20% 0.11 1.70 RH125-680 680 68 20% 0.12 1.50 RH125-820 820 82 20% 0.14 1.40 RH125-101 101 100 20% 0.16 1.30 RH125-121 121 120 20% 0.17 1.10 RH125-151 151 150 20% 0.23 1.00 RH125-181 181 180 20% 0.29 0.90 RH125-221 221 220 20% 0.40 0.80 RH125-271 271 270 20% 0.46 0.75 RH125-331 331 330 20% 0.51 0.68 RH125-391 391 390 20% 0.69 0.65 RH125-471 471 470 20% 0.77 0.58 RH125-561 561 560 20% 0.86 0.54 RH125-681 681 680 20% 1.20 0.48 RH125-821 821 820 20% 1.34 0.43 RH125-102 102 1000 20% 1.53 0.40
SMD210步进运动驱动
SMD210真空兼容的步进电动机驱动器旨在匹配AML UHV电机。两个电动机可以在主机计算机控制下依次驱动或通过内部存储的程序驱动。手动操作也可从前面板开关或手持操作棒上进行。
SMDC/ARSTRAT
除了 GaAs 功率放大器技术外，氮化镓 (GaN) 微波功率放大器技术也在探索中，以满足未来 BMD 雷达的性能要求。这项工作将展示一种使用气相外延生长的 GaN 衬底作为宽带隙材料的微波功率放大器。高性能 X 波段功率放大器将为未来的雷达和导弹导引头提供高达三到四倍的电流能力。所选的晶体管设计具有高迁移率和高载流子浓度、高多功能性、高击穿电压和高增益、使用合金层适当设计通道组成以及对微管缺陷的低敏感性等优势。
SMDC/ARSTRAT
SMDC/ARSTRAT RDA 各部门的功能和能力各不相同。这些部门负责创造和转化技术、规划和开展测试和评估、开展合同和采购管理活动以及提供精选空间情报。通过优化行业、学术界和政府的资源，SMDC/ARSTRAT RDA 为作战人员面临的技术和采购挑战提供了高效且经济的解决方案。SMDC/ARSTRAT 采用的成熟方法已为当前部署和未来计划部署的导弹防御系统提供了技术基础。它使陆军能够实现战术利用国家能力 (TENCAP) 以及向地面作战人员交付空间产品。