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扩展的石墨，用硼掺杂用于高容量和稳定铝离子电池的阴极材料
该电池系统中的石墨电极在66 mA g -1的电流密度下显示出70 mA H G -1的可逆特异性c。7随后，带有离子液体电解质的铝离子电池已受到广泛关注。为了增强该系统中铝离子电池的能量密度，研究人员主要致力于搜索具有高压平台，高可逆能力和良好循环稳定性的阴极材料。近年来，包括金属suldes在内的各种材料（MOS 2，8 CO 3 S 4（参考9），金属氧化物（Co 3 O 4，10 SNO 2，11 Tio 2（参考12），金属磷酸盐和磷酸盐（Cu 3 P，13 Co 3 PO 4（参考14），导电聚合物（PANI），15个碳材料（碳纸），16个和基于石墨的材料17,18已被广泛研究为用于铝离子电池的阴极材料。在这些材料中，基于石墨的材料已被广泛研究，因为它们的最高电压高原在2 V vs. Al/Al 3+和稳定的循环性能。但是，石墨的相对较低的特定能力限制了其商业应用。为了提高石墨的特定能力，研究人员主要集中于建造具有高表面积的特殊形态，并引入了多个缺陷和纳米级空隙。例如，Zhang等人。合成的聚噻吩/石墨复合材料，其具有较大表面的层状结构可容纳氯铝酸酯（ALCL 4-）。19在1000 mA g -1的电流密度下，其特征容量达到113 mA h g -1。另外，Lee等人。制备的酸处理的膨胀石墨（AEG）和碱蚀刻石墨（beg），它们具有涡轮结构和无序结构，
PlacementData2020-2024（1）.xlsx
SNo Full Name M.Tech Branch Internship Company M.Tech (EDT) 1 ARAVIND RAJ A M.Tech Electronic Design Technology FARADTECH INNOVATIVE SOLUTIONS PVT LTD 2 AADITHIYAN SD M.Tech Electronic Design Technology FARADTECH INNOVATIVE SOLUTIONS PVT LTD 3 BADRINATHAN J M.Tech Electronic Design Technology Continental Autonomous Mobility India Pvt Ltd, Bangalore 4 Anagha A S M.Tech电子设计技术VVDN Technologies Pvt Ltd 5 Haneena Beevi M.Tech电子设计技术Bosch全球软件技术6 Deepu Kumar Shah M.Tech M.Tech Electronic Electronic DesignTechnol业M.Tech电子设计技术Ignitarium Technology Solutions PVT Limited M.Tech（ES）1 della ann James M.Tech嵌入式系统大陆汽车组件印度Pvt Ltd. 2 Sivaraman K M.Tech嵌入式系统大陆自动动力学3 Pampana Jyothi Narayan M.Tech M.Tech narayan M.Tech narayan M.Tech embeddect fortition facte facte facted pertative forted p.ltt pertt pertt pertt pertt。4 Lakshmi P N M.Tech嵌入式系统大陆汽车组件印度Pvt Ltd 5 Manikala Manoj Kumar M.Tech嵌入式系统NXP Semiconductors NXP Semiconductors India Pvt Ltd Ltd 6 Athulya J M.Tech J.M.Tech j M.Tech Engected Systems Systems India India India Pvt。Ltd 7 Vishnu Premji M.Tech Embedded Systems Continental Automotive India Pvt.Ltd 8 Prasanth B R M.Tech Embedded Systems VISHISHTA INNOVATORS PRIVATE LIMITED 9 Yelubandi Aravind M.Tech Embedded Systems Bosch Global Software Technologies 10 Ninish Valsan M.Tech Embedded Systems CONTINENTAL AUTONOMOUS MOBILITY INDIA Pvt Ltd BANGALORE 11 Saleeque MP M.Tech嵌入式系统Creopedia Business Intelligence Pvt Ltd（自己的企业）
esee1078.pdf
在染料敏化的太阳能电池中，金属复合物，无金属和天然光敏剂的概述Sharad A. Mahadik，1 Habib M. Pathan 2和Sunita Salunke-Gawali 1，*摘要在染料敏化的太阳能电池（DSSCS）中显示了很多兴趣，以使能量源可转换。本评论探讨了DSSC中的最新发展，强调了使用的各种光敏剂。金属络合物，无金属，新颖的萘酮光敏剂和自然光敏剂都涵盖了讨论；每个都有独特的品质和优势，有助于提高DSSC的有效性。在DSSC中，金属复合物对于改善电荷分离和光吸收至关重要。金属配合物的复杂配位化学允许对其光学和电气特性进行自定义控制，从而增强了它们在太阳能电池中的性能。基于钌的光敏剂表现出较高的稳定性，有效的自然可见阳光和出色的氧化还原特性。相比之下，有机和无金属的光敏剂变得越来越流行，因为它们便宜且对环境更好。对无金属替代品的搜索创造了开发可扩展且可持续的太阳能电池技术的机会。天然光敏剂为DSSC技术提供了可再生且环保的方法，因为它们具有出色的轻度收获特性和生物相容性。光敏剂，电解质，反电极和光阳极在DSSC机制中错综复杂。本综述提供了DSSC的工作原理，重点介绍了研究和开发方面的最新进步和挑战。电解质，反电极，导电透明的底物，例如氟掺杂的氧化锡（SNO 2：F，FTO）和indium-tin-氧化物（在2 O 3：SN，ITO中），金属氧化物半导膜包括在此综述中。因此，在此，我们讨论了DSSC的组成部分以及光敏剂的优势和缺点。全面的评论旨在为当今的DSSC的状况提供完整的图片，强调使用各种光敏剂的进步，并阐明指导其功能的复杂机制。本文的见解支持继续尝试创建可持续有效的太阳能转换技术。
替莫唑胺和氯那法尼对多细胞球体中胶质母细胞瘤细胞干性标志物表达的影响
1. Nakod PS、Kim Y、Rao SS。三维仿生透明质酸水凝胶用于研究胶质母细胞瘤干细胞行为。生物技术与生物工程。2020；117(2):511-522。doi: 10.1002/bit.27219 2. Nakod PS、Kim Y、Rao SS。仿生模型用于研究胶质母细胞瘤干细胞的微环境调节。癌症快报。2018；429:41-53。doi: 10.1016/j.canlet.2018.05.007 3. Stankovic T、Randelovic T、Dragoj M 等人。胶质母细胞瘤体外仿生模型——一种有前途的药物反应研究工具。药物耐药性更新。 2021；55：100753。doi：10.1016/j.drup.2021.100753 4. Wen PY、Weller M、Lee EQ 等人。成人胶质母细胞瘤：神经肿瘤学会（SNO）和欧洲神经肿瘤学会（EANO）对当前治疗和未来方向的共识审查。神经肿瘤学。2020；22(8):1073-1113。doi：10.1093/neuonc/noaa106 5. Rape A、Ananthanarayanan B、Kumar S。模拟胶质母细胞瘤微环境的工程策略。Adv Drug Deliv Rev。2014；79-80：172-183。 doi: 10.1016/j.addr.2014.08.012 6. Nakod PS、Kim Y、Rao SS。星形胶质细胞和内皮细胞对多细胞球体中胶质母细胞瘤干性标志物表达的影响。Cell Mol Bioeng。2021；14：639-651。doi: 10.1007/s12195-021-00691-y 7. Ngo MT、Harley BAC。血管周围信号改变胶质母细胞瘤的整体基因表达谱和对明胶水凝胶中替莫唑胺的反应。生物材料。2019；198：122-134。doi: 10.1016/j。 biomaterials.2018.06.013 8. Dirkse A, Golebiewska A, Buder T, 等。胶质母细胞瘤中干细胞相关异质性是由微环境塑造的内在肿瘤可塑性引起的。Nat Commun。2019；10(1):1787。doi: 10. 1038/s41467-019-09853-z 9. Zhao W, Li Y, Zhang X。癌症中的干细胞相关标志物。Cancer Transl Med。2017；3(3):87-95。doi: 10.4103/ctm.ctm_69_16
RI23 第 2 阶段 - GCSPF 呼叫转发列表（2022 年 9 月 4 日）
SNo Name Jat NPP District 13 PARUHANG RAI 122006/435 14th BASANTA RAI 12/01/76/0 AL RAI 12/01/77/04379 18th SALON RAI 12/01/78/00012 NEWS 19 UJWAL RAI 12/01/77/0 410 REPORT 22 SANTOSH RAI 12/01/75/00768 REPORT 23 MILAN BASNET 12/01/77/0 NASH RAI 12/01/75/02127 SANJIT RAI 12/01/78/02159 PHOTOS 28 SURAJ CHAMLING 12/01/77/0 /01/76/02258 PHOTOS 31 ANJAN RAI 12/01/77/01477 PHOTOS 32 BIBEK RAI 12/01/77/03755 PHOTOS 33 SANGAM RAI SHAHASH RAI 12/01/77/01374 NEWS 36 PURAN RAI 12/01/75/01138 NEWS 37 AYUSH RAI 12/01/78/0 ESAN CHAMLING 12/01/77/03327 RONASH RAI 12/01/76/03417 PHOTOS 42 ADIP RAI 12/01/01/43 KHOTANG 3 PHONE 44 DANIEL RAI 12/01/78/00129 PHOTO 45 ELAN RAI 12/01/78/00824 PHOTO 46 ESHAN RAI 12/01/7 12/01/77/01502 POST 49 NISHCHAL BHUJEL 12/01/75/02493 POST 50 DEVI GURUNG 12/01/77/01296 POST 51 LAXMAN GURUNG 12/01/238 77/02349 REPORT 53 NIRAJ RAI 12/01/77/01111 REPORT 54 PARAS RAI 12/01/76/0 2 NEWS 57 KEPI 12/01/78/00817 NEWS 58 PRAJWAL 12/01/75/04395 NEWS 59 SUJAN DUMI 12/01/77/0 ANDESH RAI 12/01/78/04074 REPORT
“ Photonics BCN”大师Erasmus Mundus“ ...
从2024年4月开始全日制演讲，于7月底或2024年9月开始：光电和喷墨印刷机构：巴塞罗那大学城市：巴塞罗那，国家 /地区：西班牙大师论文的标题：Inkjet印刷矩阵的LED和图像传感器，带有Perovskite材料的Sergs和Coarr sergior and coarr theisor and corergi： Hernández Email address: blas.garrido@ub.edu Phone number: +34 93 4039151 Mail address: Department of Electronic and Biomedical Engineering, Martí I Franquès 1, 08028 Barcelona Keywords: inkjet printing, LEDs, photodiodes, image sensors, perovskites, optoelectronics Summary of the subject (maximum 1 page):光电设备（LED，光电视，激光，太阳能电池，显示器，传感器）变得像电子电路或芯片本身一样必不可少。根据经济数据分析网站的优先研究（https://www.precedencerearkearch.com/），全球光电电子市场在2022年的价值为65.4亿美元，在2023年达到73.6亿美元，估计达到2032年，估计为212亿美元，并在2032年达到212亿美元，并占203美元的年度增长率（CAGR）（CAGR）（CAGR）（cagr）（cagr）占2.4次（C）。 2032。在制造光电设备和光子集成设备（图片）中，有许多技术平台和材料，包括化合物半导体III-V（例如GAAS，INP，INP，GAN）及其三元和Quaternary合金，氧化物，金属氧化物（Zno，SNO 2，ii-ii-vi or canse and Chalcogenides）（ZNS，ZNS，ZNS，ZNS，CONTED）半导体。因此，图片是在半导体铸造厂制造的，其中大多数位于欧洲以外，尤其是在远东地区。我们提出所有这些设备和技术都需要在高温下运行，使用有毒气体和化学物质的复杂沉积设备，并依靠大型光刻技术来定义电路。但是，最好使用替代或互补的半导体材料以及更易于访问和具有成本效益的技术。钙钛矿卤化物是在解决方案中处理的，不需要大量资源使用。它们是在室温下在解决方案中处理的材料，不需要大量的能源来生产，不需要有害的气体或化学物质，并且是丰富的材料。因此，他们的生产不取决于主流微电子和光子学技术的复杂供应链。由于所有这些原因，它们有助于可持续性，并且比传统半导体具有更小的环境影响和碳足迹。
先进材料和能源技术迈向碳中和
人类社会的快速发展导致能源消耗大幅增加，导致全球能源短缺以及由于使用不可持续的化石燃料而引起的严重环境问题。例如，大量使用煤炭和石油导致碳排放，这是全球变暖和气候变化的主要因素。发展绿色和可持续的能源道路比以往任何时候都更加紧迫。在这方面，阳光、风能和水能等能源对于建设清洁和可持续的未来至关重要。例如，人们可以通过太阳能电池装置从太阳中产生电能。之后，这种电能可以通过电池或超级电容器以电荷的形式储存，也可以通过电化学催化转化以化学物质的形式储存，可以远距离运输或长期储存以供最终使用。这些新能源技术和设备（包括光伏、储能和能量转换）的效率是决定它们能否大规模实施的关键。高性能材料在确定这些技术的效率方面起着核心作用，因此在很大程度上影响着这些清洁能源技术的使用以及实现全球碳中和使命的道路。在这期以能源转型迈向碳中和为重点的特刊中，我们收集了 27 篇论文，讨论了这些重要的能源过程，并展示了先进材料及其制造如何影响这些技术的效率，包括太阳能电池、电催化装置和储能装置。太阳能电池是一种可以吸收太阳光并通过活性成分将其转化为电能的装置，活性成分包括钙钛矿材料 [1–5]、有机分子 [6,7] 和无机材料 [8,9]。活性材料或电荷传输层中的缺陷以及不同组分之间的界面质量是需要优化的重要因素，以提高太阳能电池的光电转换效率 (PCE)。Yi 等人。 [1] 报道了使用多功能磷乙醇胺来抑制电子传输层 SnO 2 中的缺陷，并提高柔性钙钛矿太阳能电池的 PCE。为减少缺陷处的非辐射复合损失，Wang 等人 [2] 使用阴离子表面活性剂硬脂酸铯来钝化缺陷并提高金属卤化物钙钛矿太阳能电池对光和湿气的耐受性，使 PCE 达到 23.41%。考虑到离子迁移是柔性钙钛矿太阳能电池中的一个问题，
在...
在二维电子系统（2DE）中发现了这种丰富行为的显着示例，该系统在带绝缘子3（LAO）和SRTIO 3（STO）之间形成的界面形成。[3]在基于氧化物的2DE中观察到了许多有趣的物理现象，包括超导性，[4]一种有趣的磁反应，[5,6]和非常规的RashBA效应。[7–9]基于该系统的不同设备已被证明，首先通过编写原子力显微镜的尖端编写结构来避免与氧化物的光刻图案相关的固有困难。[10]虽然最终克服了这些，并且证明了具有电子束光刻术的电场效应的有效制造[11] [11]在LAO/STO中实现高迁移率2DE所需的高增长温度仍需为设备制造带来挑战。[12]可以通过在室温下沉积Al层来形成2DE的演示，已经为在设备中实现基于STO的2DS的新观点开辟了新的观点。[13]最近观察到基于Al/sto 2DES的设备中非常大的旋转转换效应，突出了该系统对氧化物电子产品的潜力。[14]同样的工作还表明，2DES的Complex频段结构对于其属性和设备性能至关重要。现在，在最常见的晶体学方向上，通过角度分辨光学光谱（ARPE）对Sto裸露面的2DE的电子结构已经进行了很好的研究。[15–20]该2DE是通过引入氧气空位来形成的，这些空位是通过在UHV条件下用高能量光子的辐照在裸露表面产生的。[21]相同的机制允许在其他氧化物（如KTAO 3，SNO 2和TIO 2）中稳定表面2DES [22-26]，并且与Ar Ion bombard bombard的金属STO表面层不同。[27,28]铝在UHV裸露表面上的铝沉积以类似的方式产生了2DE。在这种情况下，由于有效的氧化还原反应而产生了氧空位，而Al膜从底物中泵入氧气，而氧气则将其氧化为绝缘Alo X。[13]，由于诱导此Al/sto 2DE仅需要很少的Al，因此表面敏感的ARPES测量也可以访问。正如预期的那样，通过两种方法获得的2DE的电子结构相似，因为两个系统都出现了氧气空位
用于能量存储和转换的纳米结构材料
可再生能源的转换和储存是我们实现从化石燃料经济向低碳社会转型的迫切挑战。我很难想象，如果没有材料科学和技术的进一步突破，这场革命会如何发生。事实上，当代材料史凸显了许多改变游戏规则的材料，这些材料对我们的生活产生了深远的影响，并有助于减少二氧化碳排放。高效光伏电池、蓝色发光二极管和锂离子电池阴极是基于知识的材料发展最具启发性的例子，它们经历了指数级的市场渗透，并获得了最高的科学奖项。这些成功案例与材料科学中的许多其他案例一样，都是建立在对纳米级相互关联的过程进行定制控制的基础上的，例如电荷激发、电荷传输和复合、离子扩散、插层以及物质和电荷的界面转移。纳米结构材料由于其超小的构造块和较高的界面体积比，为那些希望提高材料的能量转换效率或功率和能量密度的科学家提供了丰富的工具箱。纳米科学使材料定制工具的例子包括：（i）快速分离和收集光激发电荷，避免复合问题；（ii）由于表面积大而具有高催化活性；（iii）加速离子和原子沿纳米晶体界面的扩散，以及（iv）由于纳米结构表面的低反射率而增强的光收集。此外，纳米粒子（NPs）中还会出现新现象，例如表面等离子体共振，它极大地改变了金属和电磁场之间的相互作用，超顺磁性，将铁磁粒子变成集体顺磁体，以及激子约束，这会导致半导体量子点的尺寸相关颜色。本期特刊发表的 10 篇文章展示了纳米材料在能量存储和转换领域的不同应用，包括锂离子电池 (LIB) 电极及其他应用 [ 1 – 3 ]、光伏材料 [ 4 – 6 ]、热释电能量收集 [ 7 ] 和 (光) 催化过程 [ 8 – 10 ]。以下简要总结了这些科学贡献。目前正在研究用于替代 LIBs 中石墨的三种主要阳极材料：(i) 新型碳质材料，(ii) 转化型过渡金属化合物，以及 (iii) Si 和 Sn 基阳极。Dai 等人报道了通过脉冲激光沉积在纳米多孔氧化铝模板上制备的有序 SnO 2 纳米柱阵列的电化学性能，并用作 LIBs 的转化型阳极 [ 1 ]。有序的纳米柱结构为锂化/脱锂过程中的体积膨胀提供了充足的空间，提供了一种缓解影响转化型阳极的性能下降的策略。改进的结构完整性和稳定性使其在 1100/6500 次循环后仍能保持 524/313 mAh/g 的高比容量。在 Azib 等人的研究中，Si/Ni 3.4 Sn 4 复合阳极中 Si 纳米粒子的表面化学性质通过碳或氧化物涂层进行改性 [ 2 ]。在通过球磨制备复合材料的过程中，涂层大大降低了 Si 和 Ni 3.4 Sn 4 之间的反应。碳涂覆的 Si 粒子具有更好的锂化性能，可以提供超过
20220805-RI 23 - 第 2 阶段呼叫转发列表 (BA).xlsx
SNo Name Jat NPP District 16 RAKKI GURUNG 44/01/76/05041 GORKHA 17 SAMUEL BARAMU 44/01/78/05167 GORKHA 18 BISHWO THAPA 44/01/78/07941 GORKHA KARKHA 44/01/8466 ORKHA 20 PRABIN GHALE 44/01/75/06226 GORKHA 21 MANISH GHALE 44/01/76/02674 GORKHA 22 ASHISH GURUNG 44/01/77/07071 GORKHA 23 BABIN GURUNG/GORKHA 44/01/2015/0 IN GURUNG 44/01/76/07625 GORKHA 25 GANESH GURUNG 44/01/77/07129 GORKHA 26 ROSHAN GURUNG 44/01/76/06309 GORKHA 27 SULABH GURUNG 44/01/728/GORKHA/GORKHA 25/038 44/01/77/07119 GORKHA 29 PRABIN BHUJEL 44/01/75/05781 GORKHA 30 SONU GURUNG 44/01/76/05227 GORKHA 31 PRABIN SUNAR 44/01/78/01/01/059/2014/SANDE 8/09029 GORKHA 33 UTTAM TAMANG 44/01/77/05211 GORKHA 34 PROCESH GURUNG 44/01/77/04023 GORKHA 35 SANSAR TAMANG 44/01/77/04233 GORKHA AUTAM 44/01/77/04233 GORKHA TAMANG 34/01/2018/8 HA 37 PRITAM GHALE 44/01/77/00011 GORKHA 38 RUPENDRA GHALE 44/01/77/01029 GORKHA 39 ABHINASH GHALE 44/01/76/08052 GORKHA 40 UTTAM GHALE 40 UTTAM 40/014/0187/GORKHA SHAL GURUNG 44/01/76/01657 GORKHA 42 GAUTAM GURUNG 44/01/78/04752 GORKHA 43 SACHIN GURUNG 44/01/77/02032 GORKHA 44 GAJEN KUMAR GHALE 44/01/77 GORKHA/GORKHA HALE 44/01/77/02258 GORKHA 46 SAGARMAN GHALE 44/01/77/01343 GORKHA 47 SUNIL GHALE 44/01/77/05566 GORKHA 48 TULA RAJ GHALE 44/01/01/0707/GORKHA/GORKHALE/GORKHALE 44/01/77/05566 1/78/04562 GORKHA 50 ASBIN GHALE 44/01/78/00634 GORKHA 51 BINOD GHALE 44/01/77/03158 GORKHA 52 KESH BAHADUR GHALE 44/01/78/045344 GHALE/GORKHA 44/01/78/0 430 GORKHA 54 ASHOK GURUNG 44/01/77/07246 GORKHA 55 SUJAN GURUNG 44/01/78/04389 GORKHA 56 DHANE GURUNG 44/01/77/03415 GORKHA 57/01/77/03415 GORKHA/GURUNG/GORKHA 44/01/77/0 HA 58 RAJENDRA GURUNG 44/01/76/05801 GORKHA 59 SUNIL GURUNG 44/01/76/01220 GORKHA 60 DIPESH GURUNG 44/01/78/10004 GORKHA 61 RAJENDRA GURUNG 44/01/76/05801 GORKHA SANDIP KHANKHAWAS THAKURI 44/01/78/02206 GORKHA 63 GAURAB GURUNG 44/01/78/06228 GORKHA 64 SUJAN GURUNG 44/01/78/03237 GORKHA 65 JATIN BJEL 44/16666/GORKHA/02220 BIKESH GURUNG 44/01/76/02685 GORKHA