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MCAM-ISO17025-A2LA-Fort-Wayne-EN-CRT.pdf
该实验室已根据公认的国际标准 ISO/IEC 17025:2017《检测和校准实验室能力的通用要求》获得认证。该认证证明了实验室在规定范围内的技术能力和实验室质量管理体系的运行（参见 2017 年 4 月的 ISO-ILAC-IAF 联合公报）。
ISO1050 隔离式 CAN 收发器数据表 (Rev. J)
(1) 一旦 TXD 处于显性状态的时间超过 (t TXD_DTO )，TXD 显性超时 (t TXD_DTO ) 便会禁用收发器的驱动器，从而将总线线路释放为隐性，防止因锁定总线显性而导致的局部故障。驱动器只能在 TXD 返回高电平（隐性）后再次传输显性位。虽然这可以保护总线免受锁定总线显性位的局部故障的影响，但它限制了可能的最小数据速率。CAN 协议允许最多 11 个连续显性位（在 TXD 上），以应对最坏的情况，即五个连续显性位后紧接着一个错误帧。这与 (t TXD_DTO ) 最小值一起限制了最小比特率。最小比特率可以通过以下公式计算：最小比特率 = 11/ (t TXD_DTO ) = 11 位 / 300 µs = 37 kbps。
X224-OCSO1：I期开放呼吁创新的防御...
目标：这是与AFWERX和SpaceWerx合作的空军（DAF）特殊主题的部门。该主题正在寻找向美国空军和/或美国太空部队过渡的技术。该主题的主要目标包括探索适用于国防和非防御市场的创新技术，扩展能力以及发展国防工业基础。该主题旨在触及能够在加速I和II期计划下完成可行性研究和原型验证概念的公司。该主题旨在应用研发工作，而不是“前端”或基本R/R＆D。第一阶段奖项的最高价值为75,000美元，最长持续时间为3个月，包括两个月的技术工作和一个月的报告。第二阶段奖项的最高价值为$ 1,250,000，最高绩效期限为21个月，包括18个月的技术表现和三个月的报告。请参阅官方招标，以获取https://rt.cto.mil/rtl-small-business-resources/sbir-sttr/的更多详细信息。
聚焦CRISPR-CAS9遗传筛查揭示了USO1是B细胞急性淋巴细胞白血病的脆弱性
转录后基因调节，包括RNA结合蛋白（RBP），最近被描述为癌症的重要机制。我们以前已经确定了一组RBP，这些RBP在B细胞急性淋巴细胞白血病（B-All）中具有高度失调的RBP，其预后较差。在这里，我们试图通过在B-all细胞系中进行重点的CRISPR辍学屏幕来在功能上表征这些失调的RBP基因，从而发现对包括EIF3E，EPRS和USO1在内的多种基因的依赖性。验证了我们的发现，CRISPR/CAS9介导的USO1在MLL易位的B-ALL细胞中造成的破坏可降低细胞生长，促进细胞死亡并改变细胞周期。对USO1缺陷细胞的转录组分析显示，与MTOR信号传导，RNA代谢和MYC靶标有关的途径发生了变化。此外，这些实验样品中USO1调节的基因在B-All患者收集的主要样本中与USO1表达显着，并一致相关。最后，我们发现USO1的损失抑制了来自Cas9 -EGFP小鼠的原代骨髓细胞中MLL的菌落形成。一起，我们的发现证明了一种执行集中的亚基因组CRISPR筛选的方法，并突出了MLL转移的B-All中推定的RBP脆弱性，从而鉴定了该疾病中的潜在治疗靶标。
ISO124 精密最低成本隔离放大器 - 所有产品
这种新测试方法代表了非破坏性高压可靠性测试的“最新技术”。它基于屏障退化期间异质介电材料中存在的非均匀场的影响。在空隙不均匀的情况下，电场应力在桥接整个高压屏障之前开始电离空隙区域。电离期间和之后的电荷瞬态传导可以从外部检测到，作为在每个交流电压周期重复的 0.01-0.1-µs 电流脉冲爆发。启动局部放电的最小交流屏障电压定义为“起始电压”。 在局部放电停止之前，需要将屏障电压降低到较低水平，并将其定义为“熄灭电压”。封装绝缘工艺经过特性和开发，可产生超过 2400 Vrms 的起始电压，因此低于此水平的瞬态过压不会损坏 ISO124。熄灭电压高于 1500 Vrms，因此一旦屏障电压降至 1500-Vrms（额定）水平，即使是过压引起的局部放电也会停止。较旧的高压测试方法依赖于施加足够大的过电压（高于额定值）来击穿边缘部件，但不会高到损坏好部件。与击穿/无击穿标准相比，我们的新局部放电测试让我们对屏障可靠性更有信心。
SO1 NMOSFET 自热的测量和建模
摘要-测量并建模了 SO1 nMOSFET 中的自热现象。在静态工作条件下，SO1 器件的温升超过 100 K。测量的温升与分析模型的预测非常吻合，并且是硅厚度、埋层氧化物厚度和通道金属接触分离的函数。在动态电路条件下，通道温度远低于根据静态功率耗散预测的温度。这项工作为从静态器件特性数据（温度变化很大）中提取动态操作（在恒定温度下）的器件建模参数奠定了基础。自热不会大大降低 SO1 电路的电迁移可靠性，但可能会影响 SO1 器件的设计，例如，对于特定应用和缩放几何形状，需要更薄的埋层氧化物层。
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压电材料（更具体地说是铁电材料）的理论描述几乎涵盖了整个物理学和应用数学领域。电活性材料现象早已为人所知，始于 18 世纪在后来被称为罗谢尔盐的物质中发现的塞格奈特电。这些材料将电能、机械能、热能和光能相互转换的基本能力已导致无数的技术应用。因此，关于该主题的文献数量庞大且仍在增长也就不足为奇了。从 Landdolt-Bornstein7,8 的专门用于记录其测量特性的卷册中可以了解到明确涉及压电和铁电物质的工作量。这篇简短的评论将主要关注铁电陶瓷，并将只关注描述该理论主要发展的工作。
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压电材料（更具体地说是铁电材料）的理论描述几乎涵盖了整个物理学和应用数学领域。电活性材料现象早已为人所知，始于 18 世纪在后来被称为罗谢尔盐的物质中发现的塞格内特电。这些材料将电能、机械能、热能和光能相互转换的基本能力已导致无数的技术应用。因此，毫不奇怪，专门用于该主题的文献数量巨大且仍在增长。可以从 Landdolt-Bornstein7,8 的卷册中了解与压电和铁电物质明确相关的工作量，这些卷册专门用于记录其测量特性。这篇简短的评论将主要关注铁电陶瓷，并将仅集中于描述该理论主要发展的工作。