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HFA3600 数据表 | 瑞萨电子
• LNA + MIXER - 低噪声系数. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V/250 A - 小型封装：14 引脚 SOIC（塑料、小型封装、150 Mil 宽度、50 Mil 引脚间距）
ADuM4160 | 数据表 - ADI 公司
兼容 USB 2.0 低速和全速数据速率：1.5 Mbps 和 12 Mbps 双向通信 4.5 V 至 5.5 V V BUS 操作 1.5 Mbps 时最大上游电源电流为 7 mA 12 Mbps 时最大上游电源电流为 8 mA 最大上游空闲电流为 2.3 mA 上游短路保护 3A 类接触 ESD 性能符合 ANSI/ESD STM5.1-2007 高温操作：105°C 高共模瞬态抗扰度：>25 kV/μs 16 引脚 SOIC 宽体封装版本 16 引脚 SOIC 宽体增强爬电距离版本 符合 RoHS 安全和监管批准（RI-16 封装） UL 认证：5000 V rms，持续 1 分钟，符合 UL 1577 CSA 元件验收通知 #5A IEC 60601-1：250 V rms（增强型）IEC 60950-1: 400 V rms（加强型）VDE 符合性证书 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 V IORM = 846 V 峰值
ISO7710-Q1 高速、坚固 EMC 增强型单...
• 符合汽车应用要求 • 符合 AEC-Q100 要求，结果如下： – 器件温度等级 1：–40°C 至 125°C 环境工作温度范围 – 器件 HBM ESD 分类等级 3A – 器件 CDM ESD 分类等级 C6 • 功能安全 – 可提供文档来帮助功能安全系统设计 • 100Mbps 数据速率 • 强大的隔离屏障： – 在 1500V RMS 工作电压下预计使用寿命超过 30 年 – 高达 5000V RMS 的隔离额定值 – 高达 12.8kV 的浪涌能力 – ±100kV/μs 典型 CMTI • 宽电源范围：2.25V 至 5.5V • 2.25V 至 5.5V 电平转换 • 默认输出高 (ISO7710) 和低 (ISO7710F) 选项 • 低功耗，1Mbps 时典型值为 1.7mA • 低传播延迟：11ns 典型值（5V 电源） •强大的电磁兼容性 (EMC) – 系统级 ESD、EFT 和浪涌抗扰度 – 跨隔离屏障的 ±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护 – 低辐射 • 宽 SOIC (DW-16) 和窄 SOIC (D-8) 封装选项 • 安全相关认证 – 符合 DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 的 VDE 加强绝缘 – UL 1577 组件识别计划 – IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1 和 GB 4943.1 认证
如何隔离RS-485系统
第二个是使用将数字隔离器和RS-485收发器集成在一起的集成解决方案。CA- IS3082WE设备是半双链RS-485接口隔离芯片。符合TIA/EIA-485-A标准，CA- IS3082We设备是一种高度可靠的孤立的半双链RS-485收发器，具有高电磁免疫力和低辐射特性。CA-IS3082We设备具有故障安全函数，在接收状态下，如果输入是打开或短路的，则接收器侧输出较低级别。高绝缘功能有助于防止数据总线或其他电路的噪音和潮流进入本地地面，从而干扰或破坏敏感电路。高CMTI功能有望确保正确传输数字信号。 CA-IS3082We设备包装在16个针宽体的SOIC包装中，并支撑隔热电压可承受高达2.5kV的RMS。 该解决方案的优点是它需要更少的PCB空间和更少的外围电路。 图 2显示了RS-485集成隔离方案CA-IS3082的应用电路。 有关更多信息，请参见规范。高CMTI功能有望确保正确传输数字信号。CA-IS3082We设备包装在16个针宽体的SOIC包装中，并支撑隔热电压可承受高达2.5kV的RMS。该解决方案的优点是它需要更少的PCB空间和更少的外围电路。图2显示了RS-485集成隔离方案CA-IS3082的应用电路。有关更多信息，请参见规范。
ADuM2210/ADuM2211 - 数据表 - ADI 公司
特性 高隔离电压：5000 V rms 增强的系统级 ESD 性能，符合 IEC 61000-4-x 标准 低功耗工作 5 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.6 mA 10 Mbps 时每通道最大值 3.7 mA 3.3 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.4 mA 10 Mbps 时每通道最大值 2.4 mA 双向通信 3.3 V/5 V 电平转换 高温工作：125°C 默认低输出 高数据速率：直流至 10 Mbps (NRZ) 精确的时序特性 最大脉冲宽度失真为 3 ns 最大通道间匹配度为 3 ns 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 16 引脚 SOIC 宽体封装版本 (RW-16) 16 引脚 SOIC 宽体增强型爬电距离版本 (RI-16) 安全和法规批准(RI-16 封装) UL 认证：5000 V rms，持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准 CSA 元件验收通知 5A IEC 60601-1：250 V rms（加强型） IEC 60950-1：400 V rms（加强型） VDE 合格证书 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12 V IORM = 846 V 峰值 符合汽车应用要求 应用 通用、高压、多通道隔离 医疗设备 电源 RS-232/RS-422/RS-485 收发器隔离 混合动力电动汽车、电池监视器和电机驱动器 一般描述
ADuM2210/ADuM2211 - 数据表 - ADI 公司
特性 高隔离电压：5000 V rms 增强的系统级 ESD 性能，符合 IEC 61000-4-x 标准 低功耗工作 5 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.6 mA 10 Mbps 时每通道最大值 3.7 mA 3.3 V 工作电压 0 Mbps 至 1 Mbps 时每通道最大值 1.4 mA 10 Mbps 时每通道最大值 2.4 mA 双向通信 3.3 V/5 V 电平转换 高温工作：125°C 默认低输出 高数据速率：直流至 10 Mbps (NRZ) 精确的时序特性 最大脉冲宽度失真为 3 ns 最大通道间匹配度为 3 ns 高共模瞬变抗扰度：>25 kV/μs 16 引脚 SOIC 宽体封装版本 (RW-16) 16 引脚 SOIC 宽体增强型爬电距离版本 (RI-16) 安全和法规批准(RI-16 封装) UL 认证：5000 V rms，持续 1 分钟，符合 UL 1577 标准 CSA 元件验收通知 5A IEC 60601-1：250 V rms（加强型） IEC 60950-1：400 V rms（加强型） VDE 合格证书 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10)：2006-12 V IORM = 846 V 峰值 符合汽车应用要求 应用 通用、高压、多通道隔离 医疗设备 电源 RS-232/RS-422/RS-485 收发器隔离 混合动力电动汽车、电池监视器和电机驱动器 一般描述
先进封装季度市场监测 2021 年第 4 季度
• 供需 • 最终用户应用和关键增长动力/领域 • 工艺技术 • 设备应用组合 • 生产、资本支出、收入和封装 ASP • 3D 堆叠封装包括逻辑和 DRAM 晶圆：3D 堆叠封装包括 HBM、3DS DRAM、3D NAND、3D SoC/SoIC、3D 堆叠 CMOS 图像传感器 • 收入和 ASP 仅反映封装。不包括最终测试。 • **RF-SiP 封装中使用的 WLCSP 组件不包含在 WLCSP 类别中 - 这将在监视器的未来更新中提供 • SiP 封装级市场规模正在确定，不包括 SiP 晶圆级市场。
高级包装季度市场监视器Q3 2021
• Supply and demand • End-user applications and key growth drivers/areas • Process technologies • Device application mix • Production, CapEx, revenue and package ASP • 3D stacked package includes Logic & DRAM wafers: 3D Stacked package includes HBM, 3DS DRAM, 3D NAND, 3D SoC/SoIC, 3D stacked CMOS Image Sensors • Revenue & ASPs reflect packaging only.不包括最终测试。•** RF-SIP软件包中使用的WLCSP组件不包含在WLCSP类别中 - 这将在未来的Monitor更新中提供•SIP软件包级市场的大小，不包括SIP WAFER级市场。
16kV 接触放电 ESD 保护 - 德州仪器
以使用 Bourns (2093-250-SM) 的 GDT 测试 ISO7741 为例，测试 15 kV 接触放电 ESD。选择 2.5 kV GDT 可使 ISO7741 达到其额定工作电压 2 kV DC（根据 IEC 60747-17）。具有 8 毫米间隙的 DW-16 SOIC 封装能够支持高达 12 kV 的 ESD，并且所需的保护仅在 ESD 介于 12 kV 至 15 kV 之间的持续时间内。Bourns 2093-250-SM 2.5 kV GDT 的脉冲火花放电为 3.1 kV。这意味着 ESD 脉冲从 3.1 kV 到 12 kV 的持续时间为 GDT 完全触发和保护设备提供了更多时间。图 1 展示了带 GDT 的 ISO7741。
面向芯片的选择性钴原子层沉积...
为了满足人工智能 (AI) 和高性能计算 (HPC) 等数据密集型应用的需求，需要更紧密的集成以最大限度地减少电气互连延迟和能耗。遗憾的是，随着器件规模缩小，片上互连寄生效应变得越来越重要，因此纳米级 CMOS 技术的传统器件规模缩小正在放缓。因此，人们对 3D 异构集成技术的兴趣日益浓厚，台积电的 SoIC [1] 和 AMD 的 3D V-Cache [2] 技术就是明证。3D 异构集成技术具有高密度互连、带宽和低功耗的潜力 [3]，但由于材料和小尺寸，键合技术存在局限性，这可能会带来挑战。例如，μ 凸块已采用回流或热压工艺制造，然而，随着其间距缩小，凸块下金属化 (UBM) 厚度开始成为瓶颈 [4- 5]。