摘要。背景:正在设计,测试人工智能(AI),并且在许多情况下,从初级保健到公共卫生的医疗保健几乎各个方面都积极使用。目前已经确定,任何AI的应用都承担随之而来的责任,以考虑其发展,部署和影响的道德和社会方面。然而,在AI的快速发展领域中,与例如自动数据处理或更多“基本”算法相比,机器学习,神经网络,生成AI和大型语言模型等发展有可能提出新的和独特的道德和社会问题。方法:本文介绍了与医疗保健中AI有关的道德和社会问题的范围审查,并具有新颖的两管齐下的设计。审查的一条(SR1)包括对限制在最近的时间范围(2021-23)的广泛的学术文献综述,以更好地捕捉最新的发展和辩论。第二链(SR2)由狭窄的审查组成,仅限于对医疗保健中AI伦理的先前系统和范围进行范围的评论,但在更长的时间范围内(2014-2024)延长了以捕获辩论中的长期主题和重复的主题和问题。该策略提供了一种实用的方式来处理有关医疗保健中AI伦理的日益大量文献,以构成文献的深度和演变的方式。结果:SR1捕获了AI Systems提出的受众,医疗领域以及道德和社会主题(以及它们的权衡)的异质性。sr2概念化了有关医疗保健AI的道德和社会问题的范围评论的全面了解,以及所确定的趋势和差距。结论:我们的分析表明,基于对一般原则的吸引力,AI中典型的道德问题方法的典型方法变得越来越不可能对AI在医疗保健中提出的伦理和社会问题的细微差别和特殊性伸张正义,因为技术从摘要辩论和讨论转向现实世界中的应用程序和关注现有的应用程序和关注者。关键字:人工智能;药品;卫生保健;范围审查临床试验编号:不适用1背景1.1上下文
SR952 2005 3 NON-ACTIVE New Flyer 2010 R07470255 FORD 5ISEC6.8HB UNLEADED/HYBRID SR1224 2008 11 ACTIVE New Flyer 2010 R07721220 FORD 9ISEH06.8HB UNLEADED/HYBRID SR1224 2008 3 ACTIVE New Flyer N/A N/A N/A N/A ELECTRIC SR1363 2009 8活跃的新传单2010 R07443458福特9iseh06.8hb无铅/混合SR1362 2009 16活跃的新传单2010 R07454955福特9iseh06.8hb Unled/Hybrid SR1490 2011 3活跃的New Flyer 2010 73165084 ISLG 280 ACESH05401540 sr1 srb. sh0540 sr. ACTIVE New Flyer 2011 73321795 ISLG 280 BCEXH0540LBG CNG SR1683 2013 8 ACTIVE New Flyer 2013 73504250 ISLG 280 DCEXH0540LBG CNG SR2049 2016 7 ACTIVE New Flyer 2016 74015640 ISLG 280 GCEXH0540LBG CNG SR2241 2018 5活跃新飞行员2018 74263223 ISLG 280 JCEXH0540LBM CNG SR2524 2020 1活跃新飞行器2020 74708434 L9N LCEXHO540LBM CNG
巨核细胞系通常是未成熟细胞,不能转化为成熟的巨核细胞并产生血小板。正因为如此,使用细胞系或原代细胞对巨核细胞和血小板进行的一些常规研究被证明是有问题的。在本研究中,我们使用最近从人类诱导多能干 (iPS) 细胞建立的永生化巨核细胞祖细胞系 (imMKCL) 来阐明阿那格雷抑制血小板生成的分子机制。我们按如下方式制备 imMKCL。将含有 c-MYC、BMI1 和 BCL-XL 的强力霉素诱导慢病毒载体引入 imMKCL 以临床生产人工生成的血小板。6-8 去除强力霉素后,三种过表达的转基因被关闭;细胞开始分化,血小板在大约 5-7 天内生成(图 1A)。为了增强血小板的生成,在第 0 天添加了以下化合物:芳基烃受体拮抗剂 (SR1;美国马萨诸塞州默克密理博)、ROCK 抑制剂 (Y-27632;日本东京和光) 和 KP-457 (日本东京 Kaken Pharmaceutical Co. Ltd.)。KP-457 可有效保留糖蛋白 Ib (GPIb),也称为 CD42。如果没有它,GPIb 细胞外结构域的丢失会削弱血小板粘附细胞外基质并形成血栓的能力。9
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
C L1 平衡-不平衡线圈 33.7 34.1 33.8 12.5 12.8 13.5 L2 平衡-不平衡线圈 33.5 31.6 31.8 12.7 12.3 13.1 L31 扼流圈 43.8 46.1 45.0 29.4 30.3 30.4 L51 扼流圈 69.9 70.6 68.2 23.7 23.8 23.9 T21 传输脉冲 37.2 38.2 36.7 23.1 24.4 24.6 T32 传输脉冲 46.2 45.9 44.2 20.2 20.6 20.8 D1 桥式二极管 33.6 36.0 36.2 16.6 17.4 18.2 D2 LLD 34.2 37.3 36.2 15.3 17.5 17.8 D51~D52 SBD 48.2 43.1 40.8 20.7 18.9 18.8 D53~D54 SBD 55.3 51.8 50.0 24.2 23.0 23.2 Q1~Q2 MOS管 40.4 41.6 41.2 19.0 20.4 21.0 Q31~Q32 MOS管 45.8 45.8 45.0 25.0 25.2 25.3 SR1晶闸管 39.1 41.8 41.8 17.4 19.7 20.2 A102 芯片 IC 28.7 30.2 30.1 18.7 20.9 21.3 A152 芯片 IC 29.9 31.1 30.2 21.1 22.3 22.5 A351 芯片 IC 30.0 29.7 29.0 20.1 21.0 21.7 C12 电容量 19.4 20.3 19.7 11.2 12.5 12.8 C13 电容量 11.3 11.5 11.3 3.7 4.4 4.9 C51 电容量 33.5 34.2 32.5 13.8 14.4 14.8 C52 电容量23.1 23.7 23.0 11.0 12.0 12.1 C53 E.CAP。 24.3 24.2 23.8 11.2 11.8 11.8 C54 E CAP。 29.8 31.1 29.0 12.8 13.3 13.3
1 印度大诺伊达,夏尔达大学基础科学与研究学院 (SBSR) 生命科学系,邮编 201310 2 印度北方邦,阿米蒂大学分子医学与干细胞研究中心 (AIMMSCR),邮编 201313 诺伊达,印度北方邦,Sec-125 3 英国伦敦德里,科莱拉尼,克罗莫尔路,阿尔斯特大学药学院与制药科学学院,邮编 BT52 1SA 4 印度大诺伊达,夏尔达大学工程与技术学院 (SET) 生物技术系,邮编 201310 5 英国桑德兰大学药学院,邮编 SR1 3SD,桑德兰,切斯特路 6 印度北方邦,勒克瑙,工程与技术学院,邮编 226021 7 印度索纳教育城,GD 戈印卡大学基础与应用科学学院生物科学系路,古尔冈,哈里亚纳邦,122103,印度 8 塞浦路斯大学生物科学系,纯科学与应用科学学院,塞浦路斯尼科西亚 9 埃及亚历山大法罗斯大学药剂学与制药技术系 10 阿联酋大学医学与健康科学学院药理学与治疗学系,邮政信箱 17666,阿联酋艾因 11 玛哈希达亚南德大学药剂学系,哈里亚纳邦罗塔克,124001,印度 12 斋浦尔国立大学药学院,斋浦尔,302017,印度 13 洛夫利专业大学药学院,旁遮普邦帕格瓦拉,144001,印度 14 国际医科大学 (IMU) 药学院生命科学系,马来西亚吉隆坡,57000 15澳大利亚新南威尔士州悉尼科技大学健康研究生院药学专业,2007 年 * 通讯作者:ankur.sharma7@sharda.ac.in ** 通讯作者:电话:+61 295 147 387;kamal.dua@uts.edu.au ‡ 作者贡献相同
