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高弹性超导SRTIO3薄膜中的异常运输
对半导体转运的微妙影响的研究需要高质量密度的高质量外延结构。使用杂交分子束外延（MBE），低温迁移率超过42,000 cm 2 v -1 s -1的SRTIO 3膜在3×10 17 cm -3的低载体密度下进行。在第二个LIFSHITZ的过渡中观察到了残留电阻率突然而急剧下降，并伴随着超导过渡温度的增强，在该转变中，第三个带被占据，揭示了主要的内映射散射。这些薄膜进一步揭示了由于抗扭曲（AFD）过渡和霍尔散射因子的温度依赖性而导致霍尔载体密度的异常行为。使用混合MBE的生长，现象学模型，依赖温度的转运测量以及扫描超导量子干扰装置成像，我们提供了对srtio srtio srtio和超电导性能的Intera-Inter-trance inter-trance inty vtilus contrative contress inter-trance sctivation和AFD结构壁的重要作用的关键见解。
![arXiv:2004.09081v2 [physics.chem-ph] 2020 年 5 月 26 日](/simg/g:\will\search\icon\source\7\7957e172d57ab267f60b533a81aa5ebeca324ff0.webp)
arXiv:2004.09081v2 [physics.chem-ph] 2020 年 5 月 26 日
SrTiO (3 − x ) H x 和 BaTiO (3 − x ) H x 中氢负离子和氧离子的融合系数
氧化物界面超导相图中的多带效应
LaAlO 3 /SrTiO 3 和 LaTiO 3 /SrTiO 3 异质结构表现出由电子密度控制的复杂相图。 [1,2] 虽然系统在低密度下处于弱绝缘状态，但当通过静电门控（采用背栅、侧栅或顶栅结构）添加电子时，就会出现超导性[1,3,4]（图1）。当载流子密度（n 2D）增加时，超导 T c 升至最大值 c max T ≈ 300 mK，然后随着掺杂的进一步增加而降低。由此产生的圆顶状超导相图类似于在其他超导体家族中观察到的相图，包括高 T c 铜酸盐、Fe 基超导体、重费米子和有机超导体。 [5,6] 在氧化物界面相图中，普遍观察到两个明显的掺杂点：低密度下的量子临界点 (QCP)，它将弱绝缘区与超导区分开；最佳掺杂下的最大临界温度点 (c max T)，它定义了欠掺杂区与过掺杂区之间的边界。尽管进行了大量研究，但对这两个点的起源尚无共识。在 LaAlO 3 /SrTiO 3 异质结构中，电子
1呼吸系，北京儿童医院，首都医科大学，中国国家临床研究中心，NA
人形机器人手机中的触觉感知系统不足 - lators限制了可用机器人应用的广度。在这里，我们为机器人填充剂设计了一种多功能式触觉传感器，该传感器提供了类似于人类皮肤传感方式的功能。该传感器utizes是一种新型的pi-mxene/srtio 3混合气凝胶作为感应单元而开发的，具有电磁透射和热融合的其他能力，可适应某些复杂的环境。此外，聚酰亚胺（PI）提供了高强度的骨骼，MXENE实现了压力感应功能，并且MXENE/SRTIO 3达到了热电和红外辐射反应行为。此外，通过压力响应机制和不稳定状态的传热，这些气凝胶衍生的透气传感器以最小的交叉耦合实现了多模式感应和识别能力。使用决策树算法，它们可以区分13种类型的硬度和四种类型的材料与精度为94％和85％的物体。此外，基于红外介导函数，组装了感官阵列，并成功识别了对象的不同形状。这些发现的示例，即这种pi-mxene/srtio 3气凝胶提供了一个新的概念，可以扩展可振动传感器的多功能性，从而使操纵器可以更接近人类手的触觉水平。这一进步减少了整合人形机器人的困难，并为它们的可能性提供了新的应用程序场景。
在拓扑富含独立的纳米膜中，在空间上可重新配置的抗铁磁状态
我们通过在透射电子显微镜中使用选定的区域电子衍射（SAED）研究了各种独立的AFM膜（type-a，b，c）的结晶度，请参见补充图S1.1A，C，e。A型，B膜是在SAO涂层的α-AL 2 O 3和SRTIO 3底物上生长的未封闭的α-FE 2 O 3层，而C型C膜是缓冲α-FE 2 O 2 O 2 O 3层在SAO涂层的Srtio Srtio 3 sibtrates上生长的3层。缓冲液由老挝和STO层制成（有关详细信息，请参见方法）。SAED模式证实A型膜中的AFM层是多晶的，而B型膜中的AFM层是单个晶体。type-C的缓冲膜不仅是结晶的，而且由于与缓冲液中的老挝层的不匹配，还具有Moiré图案。此外，通过POL图分析和𝜙 -Scans证实了缓冲膜中各个层的外延生长，在补充图S1.2中进行了说明。最后，在补充图S1.1b，d，f中显示的光学显微镜图像表明，未固定的A型，B膜通常会构成更多的裂纹，从而导致较小的完整膜区域。相比之下，缓冲型C膜通常形成较大的面积样品，裂纹较少，这对于实现强弯曲的AFM结构以探索磁结构效应很重要。
XPS化学状态映射在光学和微电子中
摘要。XPS成像的强度在于它具有（i）在样品表面上找到小图案的能力，（ii）以微分辨率分辨率告知有关在表面检测到的元素的化学环境。在这种情况下，由于它们的可调性和可变性，基于锶的钙钛矿似乎对这种光发射实验进行了很好的适应。这些功能性氧化物在新兴的光电和微电源应用中具有巨大的潜力，尤其是对于透明的导电氧化物。图案化的异质结构Srtio 3 /srvo 3是使用脉冲激光沉积使用阴影掩模生长的。然后通过串行采集模式下的XPS映射分析此堆栈。Ti2p和V2P核心水平成像清楚地介绍了SRTIO 3和SRVO 3域。将广泛讨论SR3D核心水平的XPS映射：锶是两种具有非常相似化学环境的氧化物的共同元素。尽管SR3D图像中的对比度较低，但由于地形的影响，这两种材料还是可辨别的。添加，使用SR3D FWHM图像是证明这两个阶段的真正资产。最后，通过主成分分析进行数据处理使我们能够在锶原子上提取重要的光谱信息。
可扩展且高度可调的导电氧化物界面
导电氧化物界面引起了广泛关注，这既是因为基础科学的原因，也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径，这可能会缩小设备工程空间。在这里，我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理，并将其持续时间用作电性能的调整参数，其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品，我们的结果与使用最先进的外延生长技术（例如脉冲激光沉积）制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径，具有广泛的参数空间，为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
可扩展且高度可调的导电氧化物界面
导电氧化物界面引起了广泛关注，这既是因为基础科学的原因，也是因为氧化物电子设备的潜力。这种设备技术成熟的一个重要差距是可扩展性和控制电子特性的途径，这可能会缩小设备工程空间。在这里，我们展示并解释了高度可调的导电氧化物界面的机制。我们使用可扩展且与行业兼容的原子层沉积 (ALD) 技术合成了非晶态-结晶态 Al 2 O 3 /SrTiO 3 界面。在 ALD 室中使用 NH 3 等离子体预处理，并将其持续时间用作电性能的调整参数，其中在室温下观察到三个数量级的薄层电阻跨度。对于导电性最强的样品，我们的结果与使用最先进的外延生长技术（例如脉冲激光沉积）制备的全晶态氧化物界面的最高载流子密度值相当。我们将导电性的起源确定为 NH 3 等离子体预处理引起的 SrTiO 3 还原引起的氧空位。这些结果提供了一种实现导电氧化物界面的简单、可扩展且与工业兼容的途径，具有广泛的参数空间，为氧化物器件工程提供了多功能且灵活的工具包。
在光子平台上将溶液处理的BATIO3薄膜与高蛋白系数的整合
在硅（SI）和氮化硅（SIN）基于光子整合电路（PICS）的基于硅（SI）上的薄膜（SIN）上的薄膜（PICS）的异质整合在未来未来的纳米光子薄片调制器的发展中起着至关重要的作用。由于铁电薄膜的电形（EO）特性在很大程度上取决于它们的晶体相和质地，因此在这些平台上的Batio 3薄系统的整合远非微不足道。到目前为止，已经开发了使用SRTIO 3模板结合使用SRTIO 3模板纤维与高真空沉积方法结合使用的常规集成途径，但是它的吞吐量较低，昂贵，需要单晶基板。要缩小这一差距，需要一种成本效率，高通量和可扩展的方法来集成高纹理的Batio 3薄膜。因此，提出了使用LA 2 O 2 CO 3模板膜与化学溶液沉积（CSD）过程结合使用LA 2 O 2 CO 3模板膜整合的替代方法。在这项工作中，溶液处理的BATIO 3薄片的结构和EO特性是表征的，并评估了其整合到光圈谐振器中。BATIO 3纤维表现出纹理，其大型皮孔系数（r E e镜）为139 pm v-1，并且在基于环的谐振器调制器中积分显示为1.881 V cm的V le，带宽为40 GHz。这可以使Batio 3薄膜在PIC平台上进行低成本，高通量和富裕整合，并在PIC平台上以及潜在的大规模制造纳米光子BATIO 3薄片调制器。