Saff

经 Charles F. Saffle 批准 微电路，存储器，数字，CMOS，2M X 32 位 (64Mb)，抗辐射，SRAM，多芯片模块

1/ 超过绝对最大额定值的应力可能会对器件造成永久性损坏。在最大水平下长时间运行可能会降低性能并影响可靠性。2/ 所有电压均以 V SS 为参考。3/ 最大施加电压不得超过 4.4 V。4/ 如果 SRAM 断电，则必须在“断电时间”内保持电源关闭状态，然后才能重新打开。5/ 此处指定的辐射特性和测试限值基于 16Mb 单芯片 SRAM 测试结果 (5962-08202/08203)。有关这些 RHA 参数和测试结果的详细信息，请联系器件制造商。6/ 基于 CREME96 结果预测的性能，该结果适用于太阳活动极小期无耀斑条件下的地球同步轨道，位于 100mil 铝屏蔽后面，使用从实际测试数据得出的威布尔参数（参见 4.4.4.4）。供应商可提供威布尔参数，用于计算其他轨道/环境（如 Adams 90% 最坏情况）的翻转率，并使用不同的翻转率计算程序（如 Space Radiation 5.0）。7/ 保证但未针对 1MeV 当量中子进行测试。