XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemSelmi
阿尔茨海默病的多靶点药物研发 - IRIS-AperTO
*F. A. de Simone博士，P。Bisignano博士，A。Armirotti博士，M。Summa博士，D。Pizzirani博士，R。Scarpelli博士，AD Favia博士，G。Bottegoni博士，A。CavalliItalian Institute of Technology博士，D3 VIA MOREGO GAIRE GENOVA（ITALY）F. PRATI博士，Morego Genova（Morego）阿里·博洛诺大学药学和生物技术系通过Belmeloro 6/selmi 3，40126博洛尼亚（意大利）A。de Simone博士，博洛斯诺·科索·科索（V. Andrisano）生命质量研究系教授Maetzu 9, 28040 马德里（西班牙） Dr. A. Perez-Castillo 生物医学研究所，CSIC-UAM Arturo Duperier 4, 28029 马德里（西班牙）和神经退行性疾病生物医学研究中心 (CIBERNED)（西班牙） Dr. L. Polito Golgi Cenci 基金会 Corso San Martino 10, 20081 Abbiategrasso（米兰）（意大利） Prof. Dr. M. Racchi 药物科学-药理学系，帕维亚大学 viale Taramelli 12, 27100 帕维亚（意大利）
氧化还原流量电池 - Padua Research Archive
替代能源合作研究中心（CIC Energigune），巴斯克研究与技术联盟（BRTA），Alava Technology Park，Albert Einstein 48，01510，Vitoria-Gasteiz，Vitoria-Gasteiz，西班牙B伯戈斯大学化学系B Burgos，Burgos，PZA。Misael ba〜Nuelos S/N，E-09001，西班牙Burgos，C关键原材料国际研究中心 - 伯戈斯大学，伯戈斯大学，Misael ba〜nuelos s/nuelos s/n，E-09001，Burgos，Burgos，西班牙d padua材料，PADUA，PARDUA和PADUA，PARDUA和PADUA，PADEENIGO 6A，3513A，科学，化学工程学院，阿尔托大学，16100年，fi-00076，芬兰AALTO，芬兰F电化学工艺单元，Imdea Energy，AVDA。ram´在德拉萨格拉3，28935上，西班牙o骨，西班牙g化学系“ giacomo ciamician”，母亲母校Studiorum Universit的大学di bologna。共和国I表面化学和纳米技术部门，Tekniker，i〜naki Goenaga 5，20600，Eibar，西班牙
2014 年第 37 届国际信息与... 会议
2014 年第 37 届信息和通信技术、电子学和微电子学国际大会（MIPRO） 微电子学、电子学和电子技术纳米技术，从近代历史到（不）可预测的未来 - 特邀论文 1 J. Turkovic 基于低温（α）和高温（β）GeS 2 晶相的簇共存的光谱证据，位于玻璃状二硫化锗基质中 7 V. Mitsa、R. Holomb、G. Lovas、M. Veres、M. Ivanda、T. Kovach 银胶体纳米粒子的合成和表征及其在表面增强拉曼光谱中的应用 11 L. Mikac、M. Ivanda、M. Gotic、T. Mihelj 碲酸盐玻璃的拉曼光谱 15 H. Gebavi、D. Ristic、V. Djerek、L. Mikec、M. Ivanda、D.用于尖端光子学应用的米兰涂层球形微谐振器 18 D. Ristic、M. Mazzola、A. Chiappini、C. Armellini、A. Rasoloniaina、P. Féron、R. Ramponi、G.N.Conti、S. Pelli、G.C.Righini、G. Cibiel、M. Ivanda、M. Ferrari 使用 THz 时域光谱检查硅材料特性 22 B. Pejcinovic 微带宽度和退火时间对微尺度石墨烯 FET 特性的影响 27 M. Poljak、M. Wang、S. Zonja、V. Djerek、M. Ivanda、K.L.Wang, T. Suligoj 具有优化发射极和电介质的石墨烯基晶体管 33 S. Venica, F. Driussi, P. Palestri, L. Selmi 厚度低于 20 nm 的双栅极锗 MOSFET 中受声子限制的空穴迁移率 39 V. Ivanic, M. Poljak, T. Suligoj 20 nm 栅极体和 SOI FinFET 之间的 RF 性能比较 45 S. Krivec, H. Prgic, M. Poljak, T. Suligoj CMOS 二进制加法器老化的模拟研究 51 T. An, C. Hao, L. Alves de Barros Naviner 多故障下并发检查电路可靠性评估的分析方法 56 T. An, K. Liu, L. Alves de Barros Naviner CMOS 乘法器结构的合成使用多功能电路 60 C. Popa