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薄膜siox，sioxny和sic ...
摘要。目标。确保可植入设备的寿命对于它们的临床实用性至关重要。这通常是通过密封在不可渗透的外壳中密封敏感的电子产品来实现的，但是，这种方法限制了微型化。另外，有机硅封装已显示出对植入的厚膜电子设备的长期保护。然而，当前的许多保形包装研究都集中在更刚性的涂层上，例如丙烯烯，液晶聚合物和新型无机层。在这里，我们考虑使用薄膜技术保护植入物的潜力，其特征是厚膜的33倍。方法。在血浆增强化学蒸气下沉积的钝化（Sio X，Sio X N Y，Sio X N Y + SIC）下的铝合作的梳子结构封装在医疗级硅硅酮中，共有六种钝化/硅酮组合。在连续的±5 V双相波形下，在67天的磷酸盐生理盐水中将样品在磷酸盐生理盐水中陈化多达694天。周期性的电化学阻抗光谱测量值监测了金属痕迹的泄漏电流和降解。使用傅里叶转换红外光谱，X射线光电光谱，聚焦离子束和扫描电子显微镜来确定任何封装材料变化。主要结果。在衰老过程中未观察到硅酮分层，钝化溶解或金属腐蚀。对于这些样品，唯一观察到的故障模式是开路线键。明显的能力。阻抗大于100gΩ，在铝轨道之间保持了硅胶封装和SIC钝化的封装。相比之下，Sio X的进行性水合导致其阻力减小数量级。这些结果表明，当与适当的无机薄膜结合使用时，有机硅封装对薄膜进行轨道的良好保护。该结论对应于先前的有机硅
解决 Cu-WTi-SiOx-Si 多层中各个成分的断裂特性
随着现代材料应用（例如微电子、传感器、执行器和医疗植入物）的尺寸不断减小，量化材料参数变得越来越具有挑战性。具体而言，解决系统的各个组成部分（例如多层结构中的界面或埋层）成为一个重要课题。本文展示了一种基于扫描电子显微镜中的原位微悬臂测试来评估 Cu-WTi-SiO x -Si 模型系统不同界面的断裂参数的技术。相对于感兴趣的界面定位初始缺口位置可以选择不同的裂纹路径，而额外叠加的正弦信号允许连续测量刚度变化，从而对实际裂纹扩展进行实验测量。因此，我们对 Cu 和 WTi 之间的界面、块体 WTi 以及 WTi 和 SiO x 之间的界面实现了连续的 J-D 曲线测量。这种新方法的局部性质使其普遍适用于测试特定界面。
SiO2-环氧纳米复合材料的开发及其热机械性能
环氧树脂广泛用于电路板层压板、结构复合材料、粘合剂和表面涂层 [1]。热固性聚合物的交联度更高。环氧树脂具有更好的机械、物理和摩擦学性能，因此被用于结构应用。环氧树脂具有高模量、抗疲劳、低蠕变，并且在高温下也能很好地工作 [2-4]。交联密度越高，断裂韧性、抗裂纹起始和生长的刚度越低，这反过来限制了环氧树脂在现代应用中的使用 [5]。在环氧树脂固化过程中，交联链中会产生应力，这会降低断裂韧性、降低抗裂纹起始能力以及由于塑性变形而限制空隙的增长 [6,7]。通过改变环氧树脂的组成并混合不同的纳米填料作为第二阶段，可以应对这些挑战，从而实现高级复合材料应用 [8,9]。环氧树脂与纳米填料的混合可提高断裂韧性、刚度和强度[10]。这些纳米填料包括无机纳米颗粒，如粘土[11]、Al2O3[12]、ZrO2[13,14]和TiO2[4]。加入无机纳米填料如碳纳米管[15]和SiO2[5]后，表现出良好的机械性能，有趣的是，环氧树脂的韧性增加了，而基本性能没有改变。基质形态的变化主要是由于纳米填料渗透到致密的环氧交联网络之间。在目前的研究中，我们尝试生产SiO2/环氧树脂纳米复合材料。选择超声波技术，通过改变纳米填料的浓度来改变填料的粒径。
植入或妊娠/哺乳高脂饮食改变成人后代的代谢和神经发生在PT/TiO2/Sio2/Si上的金红石TiO2薄膜的生长（SSTOP ...
图2。（a）电气测试前PT顶电极的SEM地形，（b）电气测试前PT信号，（c）电测试后的顶电极，以及（d）电测试后PT的信号。
类似于无定形 SiO2 表面，用于重金属吸附
图 1：非晶态 SiO 2 块体模型结构的对分布函数 (PDF)。图中用颜色对不同的对进行编码，Si-O 对用蓝线表示，Si-Si 用绿线表示，OO 用红线表示。y 轴表示归一化的对数，x 轴表示相应的距离（单位为 Å）。对于块体非晶态 SiO 2 模型结构和后续图中，Si 原子用黄色球体表示，O 原子用红色表示。
利用硫-（TiO2/SiO2）蛋黄壳纳米结构提高锂硫电池性能
锂硫 (Li-S) 电池被视为近期下一代锂电池的有希望的候选材料之一。然而，这些电池也存在某些缺点，例如由于多硫化物的溶解导致充电和放电过程中容量衰减迅速。本文成功合成了硫/金属氧化物 (TiO 2 和 SiO 2 ) 蛋黄壳结构，并利用该结构来克服这一问题并提高硫阴极材料的电化学性能。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线衍射 (XRD) 技术对制备的材料进行了表征。结果表明，使用硫-SiO 2 和硫-TiO 2 蛋黄壳结构后电池性能显著提高。所得硫-TiO 2 电极具有较高的初始放电容量（>2000 mA h g −1 ），8 次充电/放电循环后的放电容量为 250 mA h g −1 ，库仑效率为 60% ，而硫-SiO 2 电极的初始放电容量低于硫-TiO 2 （>1000 mA h g −1 ）。硫-SiO 2 电极在 8 次充电/放电循环后的放电容量为 200 mA h g −1 ，库仑效率约为 70%。所得恒电流结果表明硫-TiO 2 电极具有更强的防止硫及其中间反应产物溶解到电解质中的能力。
信函 无回弹的 RC-LIGBT，其 LDMOS 和 LIGBT 由 L 形 SiO 2 层隔开
摘要 提出并研究了一种用L形SiO 2 层将LDMOS和LIGBT隔离的RC-LIGBT。L形SiO 2 层显著增强了击穿状态下的体电场，并大大降低了表面电场。正向传导时，A点之前电流以单极模式（LDMOS）为主，B点之后电流以双极模式（LIGBT）为主，由于电导率调制受到LIGBT区的抑制，A点和B点之间消除了回弹。反向传导状态下，LDMOS区实现了续流二极管（FWD）。与传统RC-LIGBT相比，所提出的器件表现出无回弹特性，同时将BV提高了107％。 关键词：RC-LIGBT，击穿电压，回弹现象 分类：功率器件与电路
深sio2用al和aln面具用于mems设备
摘要。氧化硅基材料（例如石英和二氧化硅）被广泛用于微机电系统（MEMS）。增强其深等离子体蚀刻能力的一种方法是通过使用硬面膜来提高选择性。尽管以前研究了这种方法，但有关在200 mM底物上使用硬面膜来蚀刻基于硅氧化物材料的信息很少。我们提出了使用Al和Aln掩模的无定形氧化硅蚀刻过程开发的结果，并展示了用于蚀刻二氧化硅和石英的结果。在具有两个血浆源的工业反应性离子蚀刻室（RIE）室中比较了三个气体化学（C 4 F 8 /O 2，CF 4和SF 6）及其混合物。已经确定，纯SF 6是最好的蚀刻剂，而ALN比Al更好地提供了较高的选择性和靠近垂直的侧壁角度。建立了无微量蚀刻的一系列蚀刻参数，并使用蚀刻速率为0.32-0.36m/min的工艺在21M-厚的氧化物中创建了高达4：1纵横比的蚀刻结构，并且对（38-49）的Aln Mask的选择性为0.32-0.36m/min。
SiO2胶片由APCVD带有Teos/ozone ...
二氧化硅SIO 2薄膜使用大气压化学蒸气沉积APCVD与四乙基硅酸盐Teos和臭氧O 3作为反应剂气体。这些纤维用作低温多晶型甲甲硅硅LTP薄膜晶体管TFTS的栅极介电。O 3气体而不是氧气O 2气体，因为后者与LTPS TFT的低温处理不兼容。SiO 2在低温下沉积的纤维纤维对栅极绝缘体材料所需的Si – OH含量和电性能低。尽管使用APCVD沉积的低成本SIO 2纤维制造了LTPS TFT，但制造的设备表现出49 cm 2 / v s的效果迁移率和490 mv / dec的subs Thresshord Swist。结果表明，APCVD用TEOS和O 3沉积的SIO 2是一种有前途的材料，用于低成本和高质量的LTPS TFTS。©2009电化学学会。doi：10.1149/1.3267039保留所有权利。