果阿政府,果阿的海拔阿尔托·马尔加恩 - 403 601 6。DNH Power Distribution Corporation Limited,66KV,Amli Ind。庄园,Silvassa - 396 230,Dadar Nagar Haveli 7。电力部,Daman和Diu的管理,地块号35,OIDC Complex,靠近消防局,Daman Somnath - 396 210 8。 印度电力网公司有限公司,沙特阿尼,地块2,第29区,古尔冈122 001 9. 中央电力局SEWA BHAWAN,R.K.PURAM,新德里-110 066 .........在场的受访者:Shri Amit Kapur,RRWTL Poonam Verma女士Shri Amit Kapur,Rrwtl女士Poonam Verma女士,RRWTL女士Aparajita Upadhyay女士Pothiawala,Rrwtl Shri Bhavesh Kundalia,Rrwtl Shri Ravi Sharma,倡导者,Mppmcl Shri Anindya Khare,Mppmcl Shri Pallav Mongia,PGCIL SHRI TUSHAR SRIVASTAVA,PGCIL SHRI TUSHAR SRIVASTAVA,PGCIL SHRI PRASHIN PRASHIN SHRI SHRI SHRINJ ARHAREK SHRHAREN JARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARENJ ARHAREK SHRHARENJ Malhotra,PGCIL SHRI SAHIL SOOD,倡导者,MSEDCL Shri Rahul Sinha,倡导者,MSEDCL Nikita Choukse女士,倡导者,MSEDCL35,OIDC Complex,靠近消防局,Daman Somnath - 396 210 8。印度电力网公司有限公司,沙特阿尼,地块2,第29区,古尔冈122 001 9.中央电力局SEWA BHAWAN,R.K.PURAM,新德里-110 066 .........在场的受访者:Shri Amit Kapur,RRWTL Poonam Verma女士Shri Amit Kapur,Rrwtl女士Poonam Verma女士,RRWTL女士Aparajita Upadhyay女士Pothiawala,Rrwtl Shri Bhavesh Kundalia,Rrwtl Shri Ravi Sharma,倡导者,Mppmcl Shri Anindya Khare,Mppmcl Shri Pallav Mongia,PGCIL SHRI TUSHAR SRIVASTAVA,PGCIL SHRI TUSHAR SRIVASTAVA,PGCIL SHRI PRASHIN PRASHIN SHRI SHRI SHRINJ ARHAREK SHRHAREN JARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARHARENJ ARHAREK SHRHARENJ Malhotra,PGCIL SHRI SAHIL SOOD,倡导者,MSEDCL Shri Rahul Sinha,倡导者,MSEDCL Nikita Choukse女士,倡导者,MSEDCL
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背景是由印度政府和总统的首席科学顾问Ajay Kumar Sood教授的鼓舞人心的视频信息设定的,他强调了迫切需要研究,针对PKI使用案例实施PQC原始人。其他杰出的演讲者包括Sunita Verma女士,科学家G&Hod R&D,Meity,Goi,Shri G. Narendra Nath,NSCS,GOI,GOI,C.E。Veni Madhavan Iisc Bengaluru,Rakesh Kaur博士,科学家G,O/O PSA到GOI,K.K.Soundra Pandian,科学家D,CCA,Meity,Subramanian博士,Sets&Sets&Prem Laxman Das博士,高级科学家Prem Laxman Das博士,将集思广益会议介绍,涉及从持牌认证机构的行业和初创公司的利益相关者(CA)的利益相关者(CA),硬件安全模块(HSM)OMSIISE SECTRIOS,PRECTIES PRECTIES SECTRION,PROCTIES SECTRION AGENIISE AGIISE AGIISE AGIISE AGIISE AGIISE AGISIIIESIISE AGIISE AGIISE AGIES,量化机构,量化量 出去。
r Venkataramani,Agi,Tushar Mehta,SG,K M Nataraj,A.S.G.,Paramjit Singh Patwalia,Sr。adv,(AC),Gopal Sankaranarayan,Sr。ADV,MS。 Harshika Verma,Dipshu Krishan,Gauravjit Singh Patwalia,Manan Daga,MS。 Samradhi Srivstava,Gaurav Agrawal,Kanu Agarwal,MS。 Chinmayee Chandra,K Paremeshwar,Udai Khanna,Akshay Amritanshu,Anmol Chandan,Ankur Talwar,Anandh Venkataramani,MS。 Vinayak Mehrotra,M.S。Vijayalaksshmi Venkataramani Mansi Sood,Chitvan Singhal,Sonali Jain女士,Abhishek Kumar Pandey,Raman Yadav,Kartikye Agagarwal,Arvind Kumar Sharma,Vivek Sharma博士,Anand Nandan,Aakarsh,Aakarsh,M.S。 Shivangi,Hasan Zubair Waris,Mohd夫人。faz,MS。 Savita Kumari,Amit Pawan,Ashwini Kumar Upadhyay,Ashwani Kumar Dubey,MS。 Tanya Srivastva,Vishal Sinha,M.S。 Shivani Vij,Rameshwar Prasad Goyal,Advs。供受访者。
Armando Romani 1,+,Alberto Antonietti 1,Davide Bella 1,Julian Budd 1,3,Elisabetta Giacalone 2,Kerem Kurban 1,3SáraSáray3,4 3,4,Marwan Abdellah 1,Marwan Abdellah 1,Alexis Arnaudon 1,Alexis Arnaudon 1,Elvis Bocina 1,Cristina,coristina,curestina,jorsine,jorsine,jores 14 1,Joanne Falck 5,Cyrille Favreau 1,Michael Gevaert 1,Juan B. Hernando 1,5 Joni Herttuainen 1,Genrich Ivaska 1,Lida Kanari 1,Anna-Kristin 1,Anna-Kristin Kaufmann 1,James King 16 Lange 5,6 Lange 5,6,Huanxiang lu 1,lu lu 1,li anna liarina liina liina liina liina liina liina liina liina liina liina liina liina liina liina liina, ,7 Judit Planas 1,Pranav Rai 1,Srikanth Ramaswamy 1,Michael W. Reimann 1,Juan Luis Riquelme 1,Nadir Guerre 18,RománVinghalSood 1,MohamethFrançoisSy 1,Werner van Geit 1,Werner van Geit 1,liesbeth vanherpe 1,therpe 1,tamás ER 1,*,FelixSchürmann1,*,Alex M. Thomson,Migli,10,20* Kali 3,4,*,+和Henry Markram 1,*,*,+ 11
作为主宾出席会议 布巴内斯瓦尔,2024 年 12 月 28 日:印度理工学院 (IIT) 布巴内斯瓦尔于 2024 年 12 月 28 日举办了第 12 届和第 13 届联合毕业典礼。印度政府教育部部长 Shri Dharmendra Pradhan 作为主宾出席了会议并发表了毕业典礼致辞。印度政府首席科学顾问 Ajay Kumar Sood 教授、印度政府原子能委员会主席兼原子能部秘书 Ajit Kumar Mohanty 博士和印度政府科技部秘书 Abhay Karandikar 教授是贵宾。印度理工学院布巴内斯瓦尔分校董事会 (BoG) 主席 Rajendra Prasad Singh 博士主持了毕业典礼。印度理工学院布巴内斯瓦尔分校校长 Shreepad Karmalkar 教授作了毕业典礼报告,并向学生颁发了学位。在毕业典礼上,学院为 2022-23 学年和 2023-24 学年的 1388 名学生颁发了学位。在这些学生中,8% 为博士,19% 为技术硕士,14% 为理学硕士,14% 为双学位(技术学士和技术硕士),45% 为技术学士。尊敬的部长 Shri Pradhan 在毕业典礼上表示:“印度理工学院布巴内斯瓦尔分校应该努力成为知识、研究和创新的学院。作为印度理工学院的毕业生,他们应该努力成为创造就业机会的人,而不是求职者。他们应该做好准备,成为工业革命 4.0 的贡献者。教育机构和教职员工应该努力重新定义学生对创业的态度和能力。”他强调,印度的研究应超越学术出版物,在创新和创业敏锐度方面达到全球基准。“印度理工学院布巴内斯瓦尔分校及其学生应努力促进创业和创业生态系统,以促进奥里萨邦到 2036 年的增长进程,到 2047 年促进整个国家的增长进程,”他补充道。阿贾伊·库马尔·苏德教授在演讲中强调,要通过研究和创新创造知识,从而提高全球竞争力。学术界和产业界之间的合作伙伴关系、培养多学科方法、为开创性研究和尖端基础设施提供资金和投资以及培养技术熟练和多样化的劳动力,对于研究生态系统的发展至关重要。他提到了阿努桑丹研究基金会 (ANRF) 及其目标。阿吉特·库马尔·莫汉蒂博士说,即使在人工智能和机器学习时代,人类的知识和能力也是不可替代的。他补充说,印度的年轻人具有创新潜力,他们应该利用这种力量促进国家的发展。 Abhay Karandikar 教授在致辞中对印度理工学院布巴内斯瓦尔分校成为尖端研究和创新中心表示赞赏。他提到,印度在科技领域取得了巨大进步,在全球版图上占有一席之地。印度已成为全球第三大创业生态系统国家,这展示了该国的创新和创业实力。印度青年应以此为榜样,努力为印度成为研究和创新领域的领导者做出贡献。
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亲爱的代表,我的名字叫杰西卡·吴(Jessica Wu),我欣喜若狂地担任您的裁军和国际安全委员会(DISEC)的董事。作为Collingwood学校的12年级学生,这将是我联合国模特联合国的第五年也是最后一年。与您的椅子,Devin Yue和助理导演Jayna Sood和Joy Lin一起,我欢迎您加入Vancouver Model Model United Nations 2024。自从我首次加入8年级的学校模特联合国俱乐部以来,我就已经成长为欣赏外交和公开演讲的复杂细节,以及参与与国际事务有关的讨论的机会。每个委员会会议只教会了我妥协和协作的重要性,同时拥抱全球多样性和观点的丰富性。在我的个人和学术旅程中,我在MUN经验中获得的技能都是无价的。在即将到来的VMUN迭代中,我鼓励大家批判性思考并拥抱建设性辩论的精神。今年,裁军和国际安全委员会将讨论南中国海的大规模杀伤性武器以及海事安全。为了在本次会议上获得最大的收获,我敦促大家都尽力利用背景指南以及外部资源,以使这次会议成为令人难忘的变革性体验。祝您准备一切顺利。如果您有任何疑问或疑虑,请随时通过disec@vmun.com与我联系。真诚的,Jessica Wu Disec董事代表Dais团队,我期待与大家见面,度过一个富有成果的辩论!
我想感谢以下人员以各种形式给予我的帮助。Ray Tedman 博士是一位出色的导师,他付出了额外的时间和精力,帮助我成长为一个会走路、会说话的解剖学家。Greg Bain 博士是一位出色的联合导师,他总是说正确的话。你们对这个项目的热情给了我不可估量的帮助。Wesley Fisk 先生为博士生提供了所有可能需要的技术和社会支持。感谢你们所做的一切,希望你们能给予我更多帮助。Stelios Michas 先生(你该有自己的产品线了!)感谢你的帮助和友谊。每当事情看起来行不通时,你总能找到办法让它成功。医学和兽医学研究所的 Rob Moore 博士和他的技术人员 Greg 和 Beverly 对脱钙标本进行了 x 射线检查。妇女儿童医院的 Nick Zabanias 先生负责做所有的 x 射线和 CT 检查。 Aman Sood 博士完成了四角融合手术,并给出了许多很好的建议。医学和兽医学研究所的 Nicola Fazzalari 博士提供了所有建议并允许我使用您的大冰箱!Tavik Morgenstern 先生是一位好伙伴,不时借给我艺术眼光。我保证不会再弄乱您的扫描仪了!Maciej Henneberg 教授和阿德莱德大学解剖科学系的全体工作人员,激励我(有意或无意地)成为最好的解剖学家,让上班感觉不那么像工作。Ian Gibbins 教授看到了别人没有看到的东西,给了我工作,并时不时地问我“可怕的问题”。Don 是一位很棒的好朋友,尽管写这样的东西会让我感到疯狂,但他总是在我身边。妈妈和爸爸从第一天起就给予我所有的支持和建议。最后,但绝非最不重要的一点,感谢 Kara,她是我生命中最重要的人,我珍惜她。这是献给你的。
摘要:本文旨在确定3D打印参数的影响,例如填充密度,挤出温度,栅格角度和层厚度,对机械性能,即在果酸酸(PLA)的情况下,即在破裂的情况下,即在破裂的情况下,即最终的拉伸强度,屈服强度,弹性和伸长率。另一个目的是研究PLA的吸水,其目标是通过涂层剂最小化。使用方差分析(ANOVA)评估每个印刷参数对每个机械性能的影响。关键字:( 3D打印,PLA,机械性能,吸水,打印参数)近年来,3D打印机的使用量显着增加,并且可以预期这种趋势的延续。3D打印机现在通常用于制造各种产品,范围从休闲物品到医疗组件(Gibson等人2015a)。从所有3D打印技术中,由于大量开发和销售这种打印机及其相对低成本的公司,公众更容易获得的公众访问的技术(FDM)(Gibson等人。2015b)。为了使用FDM技术打印对象,需要定义一定数量的打印参数。由于最终产品的质量受这些参数的大多数影响,因此知道其中哪种是最有影响力的(Sood等人。2012; Anitha等。2001; Wang等。 2007; Tymrak等。 2015)。2001; Wang等。2007; Tymrak等。 2015)。2007; Tymrak等。2015)。2014; Lanzotti等。2015a; Wittbrodt等。研究人员使用了实验方法的设计(DOE),以计划实验室工作,以使结果值得信赖。DOE中有三个主要方面:因素,水平和响应。设计矩阵,这些是具有不同因素之间所有级别组合的表(Anderson等人。2016; Lanzotti等。2015a)。作为FDM定向沉积的材料,结果是具有各向异性行为的分层标本。,由于过程的方法,空气口袋形式,会影响机械性能