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热处理对增材制造复合材料拉伸性能的影响
本研究调查了制造后热处理对激光粉末定向能量沉积 (LP-DED) 制备的 15-5 PH 不锈钢 (SS) 的微观结构和力学性能的影响。进行了各种热处理程序 (CA-H900 和 CA-H1150) 以评估它们对 LP-DED 15-5 PH SS 拉伸行为的影响。使用扫描电子显微镜来表征微观结构特征和断裂表面。进行拉伸试验以评估低温和室温下的力学性能。CA-H1150 处理试样在拉伸试验后的面积减少率明显高于 CA-H900 试样，而 CA-H900 试样的极限拉伸强度和屈服强度高于 CA-H1150 试样。根据微观结构和断裂表面，讨论了 LP-DED 15-5 PH SS 在不同热处理条件下的力学行为。
柏林工业大学课程（英语授课）
E 长度：您至少可以在以下几个学期内完成该模块 周期：WS = 冬季（10 月至 3 月），SS = 夏季（4 月至 9 月），WS/SS = 两个学期均可 考试类型：W（笔试）；O（口试）；P（作品集考试 - 多项考试/测验/项目/家庭作业）；-（未指定）
获得具有原子阈值的MOS2晶体管 -
基本的玻尔兹曼限制决定了子阈值摇摆（SS）的最终限制为60 mV dec -1，这阻止了供应电压的持续扩展。具有原子较薄的身体，2D半导体为高级低功率电子设备提供了新的可能性。在此，通过将原子量表的抗性金属集成与常规MOS 2晶体管相结合，表明超低SS在房间温度下以低于1 mv的12 dec-1来表明，超高斜率的MOS 2电阻式晶体管晶体管（RG-FET）通过将原子尺度抗性的细节整合在一起。纳米抗抗性的光膜的突然电阻过渡可确保门电势的急剧变化，并切换设备，并导致超强的SS。同时，RG-FET表现出高度/效率为2.76×10 7，具有出色的可重复性和可靠性。使用超级SS，可以轻松地使用RG-FET来构建具有超高增益2000的逻辑逆变器，这表明未来的低功率电子设备和单片整合的令人兴奋的潜力。
光滑的一般营销报告咨询 - 检测
* Waterproof IP68/69K * Water resistant electrical control box * Integrated hygienic wheels and feet * Grease free / maintenance free hygienic bearings * SS cross pusher / retracting belt / belt stop alarm and other configurations available * Basic sensitivity in 350x150 mm FE 0,5 mm / 1 mm SS product sensitivity depends on product.
科学期刊
微型超级电容器 (MSC) 作为微电子和微型便携式/可穿戴设备的有前途的电源而备受关注。然而，它们的实际应用受到制造复杂性和尺寸限制的阻碍。在这里，我们通过电流体动力学 (EHD) 喷射打印在芯片上开发了一类新型超高面积数密度固态 MSC (UHD SS-MSC)。据我们所知，这是第一项在 MSC 中利用 EHD 喷射打印的研究。活性炭基电极墨水采用 EHD 喷射打印，从而形成具有精细特征尺寸的交错电极。随后，引入免干燥、紫外线固化固态凝胶电解质以确保 SS-MSC 之间的电化学隔离，从而实现芯片上密集的 SS-MSC 集成和按需（串联/并联）电池连接。所得片上 UHD SS-MSC 表现出优异的面积数密度[芯片上集成 36 个单元格（面积 = 8.0 mm × 8.2 mm），54.9 个单元格 cm −2 ] 和面积工作电压（65.9 V cm −2 ）。
辍学：一种社会心理方法
1«摩洛哥的实验室：历史，神学和语言»，心理学系，艺术与人类科学学院Fès-Saïss，Sidi Mohamed Ben Abdellah University，Fez-Morocco。电子邮件：hilalmeryem@live.fr。 orcid：0009-0000-0223- 1185 2«摩洛哥：历史，神学和语言»，心理学系，艺术与人类科学系心理学系，Sidi Mohamed Ben Abdellah University，Fez-Morocco，Sidi Mohamed Ben Abdellah University。 终身学习天文台（联合国教科文组织/ USMBA）主任。 电子邮件：hichamcogn@gmail.com。 orcid：0000-0001-9587-2829 3«摩洛哥：历史，神学和语言»，心理学系，艺术与人类科学系心理学系，Sidi Mohamed Ben Abdellah University，Fez-Morocco。 电子邮件：driss.aitali@usmba.ac.ma。 orcid：0000-0001- 5043-9677 *通信电子邮件：hilalmeryem@live.fr。orcid：0009-0000-0223- 1185 2«摩洛哥：历史，神学和语言»，心理学系，艺术与人类科学系心理学系，Sidi Mohamed Ben Abdellah University，Fez-Morocco，Sidi Mohamed Ben Abdellah University。终身学习天文台（联合国教科文组织/ USMBA）主任。电子邮件：hichamcogn@gmail.com。 orcid：0000-0001-9587-2829 3«摩洛哥：历史，神学和语言»，心理学系，艺术与人类科学系心理学系，Sidi Mohamed Ben Abdellah University，Fez-Morocco。 电子邮件：driss.aitali@usmba.ac.ma。 orcid：0000-0001- 5043-9677 *通信电子邮件：hichamcogn@gmail.com。orcid：0000-0001-9587-2829 3«摩洛哥：历史，神学和语言»，心理学系，艺术与人类科学系心理学系，Sidi Mohamed Ben Abdellah University，Fez-Morocco。电子邮件：driss.aitali@usmba.ac.ma。 orcid：0000-0001- 5043-9677 *通信电子邮件：driss.aitali@usmba.ac.ma。orcid：0000-0001- 5043-9677 *通信
教学大纲，植物病理
通用原理。antaryandphyto s anitaryi s ss ue s of tri ps和p ra。p roductionofdi s efree s eed s and plantingmaterial s。s eedcertification.phemicalnatu reand cla ss ificationofficeoffungicide s andantibi o tic s：他们的bioa ss ss ayandCompatibility Withotheragriricultu r al al al chemical s; re s i s i s i s i s i s I s I s /s i s tancetofofungicide s /at ant and and and ant tancetofipide s /ant and and ant tanceTofipide s /ant and抗生素s;抗生素;效应型环境。S prayinganddusting equipment s ,theircareandmaintena n ce s .Importantculturalpractice s andtheirroleindisease manageme n t, s olarization,integrateddi s ea s emanagement.m icroorgani s M s antagogani s tictoplant病原体，石油，Rhizo s phereandphyllo s phereandtheiru s eintheconthecontecontecontrolofplantdi s s;p lantgrowthpromotingrhizobacteria。Biotechnology forcropdi s ea s emanagement
LTM8071 (Rev. B) - ADI 公司
TR/SS（引脚 B2）：TR/SS 引脚用于提供软启动或跟踪功能。内部 2μA 上拉电流与连接到此引脚的外部电容器相结合，产生电压斜坡。输出电压跟踪到此电压。为了进行跟踪，请将电阻分压器从跟踪的输出连接到此引脚。在关机和故障条件下，此引脚通过内部 MOSFET 接地；如果从低阻抗输出驱动，请使用串联电阻。如果不需要跟踪功能，则此引脚可以悬空。在启动期间，如果在 TR/SS 上使用相对较低的电容器，输出电压可能需要比预期更长的时间才能达到调节效果。如果需要准确的启动时间，请参考 LTspice 中的 LTM8071 仿真模型，以帮助选择合适的软启动电容器。
数据科学硕士课程：暂定课程目录
261-5130-00 Research in Data Science AS/SS 6 all 227-0155-00 Machine Learning on Microcontrollers AS/SS 6 D-ITET 252-1414-00 System Security AS 7 yearly D-INFK 252-3005-00 Natural Language Processing AS 5 yearly D-INFK 263-0006-00 Algorithms Lab AS 8 yearly D-INFK 263-0009-00 Information Security Lab AS 8 yearly D-INFK 263-2400-00 Reliable and Trustworthy Artificial Intelligence AS 6 yearly D-INFK 263-2800-00 Design of Parallel and High-Performance Computing AS 9 yearly D-INFK 263-3210-00 Deep Learning AS 8 yearly D-INFK 263-5005-00 Artificial Intelligence in Education AS 5 yearly D-INFK 263-5056-00 Applications of Deep Learning on Graphs AS 4年度D-INFK 263-5210-00概率人工智能为8年D-INFK 263-5300-00的机器学习保证金为7年度D-INFK 263-5902-00计算机愿景为8年度D-ITET D-ETET 252-0211-00
