使用宽度 TWY 指示宽度 在没有 ATS 机构的情况下,夜间和能见度低于 800 米时禁止通行。夜间和能见度低时,翼展小于或等于 24 米的飞机受到限制。 15 米 B1 夜间及能见度低于 800 米且未配备 ATS 时禁止通行。仅限于翼展不超过 24 米的飞机,在夜间和能见度低的情况下使用。在没有 ATS 组织的情况下,夜间和能见度低于 800 米时禁止飞行。夜间和能见度低时,翼展小于或等于 24 米的飞机受到限制。 15 米 B2 夜间及能见度低于 800 米且未配备 ATS 时禁止通行。仅限于翼展不超过 24 米的飞机,在夜间和能见度低的情况下使用。 15 米 B3 夜间及能见度小于 800 米时禁飞。仅可用于进入草地带。 7.5 米 B4 夜间及能见度低于800米时禁飞。仅可用于到达草地。在没有 ATS 组织的情况下,夜间和能见度低于 800 米时禁止飞行。夜间和能见度低时,翼展小于或等于 24 米的飞机受到限制。 23 米 P1 夜间及能见度低于 800 米且未配备 ATS 时禁止通行。仅限于翼展不超过 24 米的飞机,在夜间和能见度低的情况下使用。在没有 ATS 组织的情况下,夜间和能见度低于 800 米时禁止飞行。夜间和能见度低时,翼展小于或等于 24 米的飞机受到限制。 23 米 P2 P3 夜间及能见度低于 800 米且未配备 ATS 时禁止通行。仅限于翼展不超过 24 米的飞机,在夜间和能见度低的情况下使用。 23 米 P4 P5 P6 夜间及能见度小于 800 米时禁飞。 7.5 米 P7 P8 夜间及能见度低于 800 米时禁行。夜间及能见度低于800米时禁止通行。 20 米 T5 T6 夜间及能见度低于 800 米时禁飞。在没有 ATS 组织的情况下,夜间和能见度低于 800 米时禁止飞行。
柠檬酸是全球经济和食品安全中的重要农业部门,但柑橘的障碍之一是疾病的发生,尤其是真菌起源的疾病。由青霉造成的绿色霉菌是橙色培养物(柑橘Sinensis)的主要后疾病,损失可达到90%。化学控制,使用杀菌剂是最常用的方法,可以最大程度地降低柑橘类属于柑橘类的影响。这项工作的目的是确定商业生物产品对a)橙色“梨”中绿模的严重程度的影响; b)在体外控制数字假单胞菌; c)水果的理化质量; d)评估抗性诱导。实验是在位于帕拉伊巴大学/CCA/校园II的植物病理学实验室(LAFIT)进行的。用典型的绿色霉菌症状从鼻梭化水果中分离出所使用的小假单胞菌。治疗由:T1:灭菌的蒸馏水(ADE)组成; T2:Natucontrol®(Trichoderma harzianum); T3:Shocker®(枯草芽孢杆菌); T4:Bio-Imune®(ayloliquefaciens and T. harzianum); T5:Ecotrich®(T。Harzianum); T6:Tricho-Turbo®(Trichoderma aspllum); T7:Auin-CE®(Beauveria bassiana); T8:MacCafé®(cladosporiumsp。); T9:罗密欧SC®(酿酒酵母); T10:杀菌剂(Tiabendazol- Benzimidazole)。处理的水果中绿色霉菌的严重程度降低了69%。,其中平均菌落直径(DM),菌丝体生长速率(IVCM),生长抑制(PIC)的百分比,并评估了(PIE)的繁殖抑制(PIE)。在先前损伤的西南梭状芽孢杆菌的果实中进行体内对照,并用椎间盘菌落的椎间盘接种。将水果经过潮湿室24小时,并每天评估绿色模具的严重程度。物理化学分析是:质量损失,壳牢固,可溶性固体含量,可滴定酸度,SS/AO比,pH和维生素C。酶活性酶活性对应于苯丙氨酸 - 氨基氨基症酶(PAL)(PAL),过氧化物酶(POX)和多酚氧化酶(PPO)。治疗增加了PAL,PPO和POX的活性。所有处理都显着降低了与证人不同的DM,IVCM,PIC和PIE。处理之间的pH和维生素C值有所不同。生物产品不会改变质量后质量参数。在体外和体内条件下,生物学处理,控制疟原虫,并减少橙色“梨”中绿色模具的严重程度。关键词:柑橘sinensis;抗性诱导; digitatum; thevest。
33.2 一款低于 1 µ J/级的集成思维意象与控制 SoC,适用于 VR/MR 应用,具有师生 CNN 和通用指令集架构 Zhiwei Zhong*、Yijie Wei*、Lance Christopher Go、Jie Gu 西北大学,伊利诺伊州埃文斯顿 * 同等署名作者 (ECA) 虚拟现实 (VR) 和混合现实 (MR) 系统,例如 Meta Quest 和 Apple Vision Pro,最近在消费电子产品中引起了极大的兴趣,在游戏、社交网络、劳动力援助、在线购物等元宇宙中掀起了新一波发展浪潮。AI 计算和多模块人类活动跟踪和控制方面的强大技术创新已经产生了身临其境的虚拟现实用户体验。然而,大多数现有的 VR 耳机仅依靠传统的操纵杆或基于摄像头的用户手势进行输入控制和人体跟踪,缺少一个重要的信息来源,即大脑活动。因此,人们对将脑机接口 (BMI) 整合到 VR/MR 系统中以供消费者和临床应用的兴趣日益浓厚 [1]。如图 33.2.1 所示,现有的集成 EEG 通道的 VR/MR 系统通常由 VR 耳机、16/32 通道 EEG 帽、神经记录模拟前端和用于信号分类的 PC 组成。此类系统的主要缺点包括:(1)佩戴麻烦且用户外观不佳,(2)缺乏低延迟操作的现场计算支持,(3)无法根据大脑活动进行实时思维意象控制和反馈,(4)由于 AI 分类导致的功耗高。为了克服这些挑战,这项工作引入了一种思维意象设备,该设备集成到现有的 VR 耳机中,而无需为 VR/MR 系统的思维控制 BMI 增加额外的佩戴负担。本研究的贡献包括:(1)支持 VR/MR 系统现场心智意象控制的 SoC,(2)与现有 VR 耳机无缝集成并优化 EEG 通道选择,以提高用户接受度和体验,(3)具有灵活数据流的通用指令集架构 (ISA),支持广泛的心智意象操作,(4)混淆矩阵引导的师生 CNN 方案,可在 AI 操作期间节省电量,(5)EEG 信号的稀疏性增强以降低能耗。制造了 65nm SoC 测试芯片,并在各种基于心智意象的 VR 控制上进行了现场演示。虽然先前的研究涉及基于 EEG 的癫痫检测或类似的生物医学应用 [2-6],但本研究专注于 VR/MR 环境中的新兴 BMI。得益于低功耗特性和设计的系统级优化,SoC 的数字核心在计算密集型 CNN 操作中实现了 <1μJ/类的能耗。图 33.2.2 显示了 EEG 通道选择和集成到 Meta Quest 2 VR 耳机中,在准确性和用户便利性之间进行了权衡。为了支持各种思维意象任务,8 个 EEG 通道 T3、T5、O1、O2、T6、T4、PZ、和 CZ 被选中并巧妙地融入头带以保持用户的美感。不同的心理任务会激活八个选定通道的子集,例如用于心理意象的 T3/T5/CZ/T4/T6、用于情感(例如情绪)监测的 T5/CZ 或用于稳态视觉诱发电位 (SSVEP) 的 O1/O2/PZ。通道的减少导致三个主要任务的平均准确率略有下降(从 90.4% 下降到 85.2%),但显着提高了用户体验和可用性。带有生理盐水的商用 Hydro-link 电极用于通过头带上的预切孔捕获 EEG 信号。图 33.2.2 还显示了完全集成 SoC 的顶层图。多达 16 个可编程通道的 AFE 用于信号采集和数字化。 AFE 的每个通道包括一个增益为 45 至 72 dB、带宽为 0.05 至 400 Hz 的两级斩波放大器、一个转折频率为 60 Hz 的低通滤波器和一个工作频率为 128 Hz 至 10 kHz 的 8b SAR ADC。用于集成 AI 操作的数字核心包括一个 8×10 处理单元 (PE) 阵列、控制逻辑和相关存储库。带有专门开发的 ISA 的指令存储器为芯片的操作提供全局控制,以支持一系列思维意象任务。实时分类的大脑状态和思维控制命令通过外部蓝牙模块传输到 VR 耳机,以控制 VR 场景。虽然大多数现有研究仅关注固定数据流 [4] 和 CNN 模型 [2,3],但需要高度灵活的计算架构来支持各种思维意象任务。图 33.2.3 显示了专门开发的通用 ISA,用于数据流控制、模型配置、通道选择等。128b 的超宽 ISA 命令用于监督各种计算任务,例如 IIR 滤波器、卷积 (Conv) 层、离散傅里叶变换 (DFT) 和全连接 (FC) 层,具有很高的硬件效率。为了支持不断变化的 AI 模型,每个子任务的配置(例如内核数量、层数、分支目标地址 (BTA)、稀疏性设置等)也集成到 ISA 中,以便高效地调度和执行不同的任务。图 33.2.3 还显示了数字神经处理器的详细架构。8×10 PE 阵列可以灵活地按行或列打开或关闭。 CNN、FC、DFT 和 IIR 滤波操作可以通过在不同数据流中重复使用相同的 PE 阵列来执行,例如,Conv 层的权重固定,或 FC 层和 DFT 的输出固定。与使用大量流水线触发器的传统脉动阵列不同,此设计有意移除了大部分或 O1/O2/PZ 用于稳态视觉诱发电位 (SSVEP)。通道数的减少导致三个主要任务的平均准确度略有下降(从 90.4% 降至 85.2%),但显著提高了用户体验和可用性。使用带有生理盐水的商用 Hydro-link 电极通过头带上的预切孔捕获 EEG 信号。图 33.2.2 还显示了完全集成 SoC 的顶层图。最多 16 个可编程 AFE 通道用于信号采集和数字化。AFE 的每个通道包括一个增益为 45 至 72dB 和带宽为 0.05 至 400Hz 的两级斩波放大器、一个转折频率为 60Hz 的低通滤波器和一个工作频率为 128Hz 至 10kHz 的 8b SAR ADC。集成 AI 操作的数字核心包括 8×10 处理单元 (PE) 阵列、控制逻辑和相关存储库。带有专门开发的 ISA 的指令存储器为芯片的操作提供全局控制,以支持一系列思维想象任务。实时分类的大脑状态和思维控制命令通过外部蓝牙模块传输到 VR 耳机,以控制 VR 场景。虽然大多数现有工作仅关注固定数据流 [4] 和 CNN 模型 [2,3],但需要高度灵活的计算架构来支持各种思维想象任务。图 33.2.3 显示了专门开发的用于数据流控制、模型配置、通道选择等的通用 ISA。128b 的超宽 ISA 命令用于监督各种计算任务,例如 IIR 滤波器、卷积 (Conv) 层、离散傅里叶变换 (DFT) 和全连接 (FC) 层,具有高硬件效率。为了支持不断变化的 AI 模型,每个子任务的配置(例如内核数量、层数、分支目标地址 (BTA)、稀疏度设置等)也集成到 ISA 中,以便高效地调度和执行不同的任务。图 33.2.3 还显示了数字神经处理器的详细架构。8×10 PE 阵列可以灵活地按行或列打开或关闭。CNN、FC、DFT 和 IIR 滤波操作可以通过在不同数据流中重复使用相同的 PE 阵列来执行,例如,Conv 层的权重固定,或 FC 层和 DFT 的输出固定。与使用大量流水线触发器的传统收缩阵列不同,此设计有意消除了大部分或 O1/O2/PZ 用于稳态视觉诱发电位 (SSVEP)。通道数的减少导致三个主要任务的平均准确度略有下降(从 90.4% 降至 85.2%),但显著提高了用户体验和可用性。使用带有生理盐水的商用 Hydro-link 电极通过头带上的预切孔捕获 EEG 信号。图 33.2.2 还显示了完全集成 SoC 的顶层图。最多 16 个可编程 AFE 通道用于信号采集和数字化。AFE 的每个通道包括一个增益为 45 至 72dB 和带宽为 0.05 至 400Hz 的两级斩波放大器、一个转折频率为 60Hz 的低通滤波器和一个工作频率为 128Hz 至 10kHz 的 8b SAR ADC。集成 AI 操作的数字核心包括 8×10 处理单元 (PE) 阵列、控制逻辑和相关存储库。带有专门开发的 ISA 的指令存储器为芯片的操作提供全局控制,以支持一系列思维想象任务。实时分类的大脑状态和思维控制命令通过外部蓝牙模块传输到 VR 耳机,以控制 VR 场景。虽然大多数现有工作仅关注固定数据流 [4] 和 CNN 模型 [2,3],但需要高度灵活的计算架构来支持各种思维想象任务。图 33.2.3 显示了专门开发的用于数据流控制、模型配置、通道选择等的通用 ISA。128b 的超宽 ISA 命令用于监督各种计算任务,例如 IIR 滤波器、卷积 (Conv) 层、离散傅里叶变换 (DFT) 和全连接 (FC) 层,具有高硬件效率。为了支持不断变化的 AI 模型,每个子任务的配置(例如内核数量、层数、分支目标地址 (BTA)、稀疏度设置等)也集成到 ISA 中,以便高效地调度和执行不同的任务。图 33.2.3 还显示了数字神经处理器的详细架构。8×10 PE 阵列可以灵活地按行或列打开或关闭。CNN、FC、DFT 和 IIR 滤波操作可以通过在不同数据流中重复使用相同的 PE 阵列来执行,例如,Conv 层的权重固定,或 FC 层和 DFT 的输出固定。与使用大量流水线触发器的传统收缩阵列不同,此设计有意消除了大部分AFE 的每个通道包括一个增益为 45 至 72 dB、带宽为 0.05 至 400 Hz 的两级斩波放大器、一个转折频率为 60 Hz 的低通滤波器和一个工作频率为 128 Hz 至 10 kHz 的 8b SAR ADC。用于集成 AI 操作的数字核心包括一个 8×10 处理单元 (PE) 阵列、控制逻辑和相关存储库。带有专门开发的 ISA 的指令存储器为芯片的操作提供全局控制,以支持一系列思维意象任务。实时分类的大脑状态和思维控制命令通过外部蓝牙模块传输到 VR 耳机,以控制 VR 场景。虽然大多数现有研究仅关注固定数据流 [4] 和 CNN 模型 [2,3],但需要高度灵活的计算架构来支持各种思维意象任务。图 33.2.3 显示了专门开发的通用 ISA,用于数据流控制、模型配置、通道选择等。128b 的超宽 ISA 命令用于监督各种计算任务,例如 IIR 滤波器、卷积 (Conv) 层、离散傅里叶变换 (DFT) 和全连接 (FC) 层,具有很高的硬件效率。为了支持不断变化的 AI 模型,每个子任务的配置(例如内核数量、层数、分支目标地址 (BTA)、稀疏性设置等)也集成到 ISA 中,以便高效地调度和执行不同的任务。图 33.2.3 还显示了数字神经处理器的详细架构。8×10 PE 阵列可以灵活地按行或列打开或关闭。 CNN、FC、DFT 和 IIR 滤波操作可以通过在不同数据流中重复使用相同的 PE 阵列来执行,例如,Conv 层的权重固定,或 FC 层和 DFT 的输出固定。与使用大量流水线触发器的传统脉动阵列不同,此设计有意移除了大部分AFE 的每个通道包括一个增益为 45 至 72 dB、带宽为 0.05 至 400 Hz 的两级斩波放大器、一个转折频率为 60 Hz 的低通滤波器和一个工作频率为 128 Hz 至 10 kHz 的 8b SAR ADC。用于集成 AI 操作的数字核心包括一个 8×10 处理单元 (PE) 阵列、控制逻辑和相关存储库。带有专门开发的 ISA 的指令存储器为芯片的操作提供全局控制,以支持一系列思维意象任务。实时分类的大脑状态和思维控制命令通过外部蓝牙模块传输到 VR 耳机,以控制 VR 场景。虽然大多数现有研究仅关注固定数据流 [4] 和 CNN 模型 [2,3],但需要高度灵活的计算架构来支持各种思维意象任务。图 33.2.3 显示了专门开发的通用 ISA,用于数据流控制、模型配置、通道选择等。128b 的超宽 ISA 命令用于监督各种计算任务,例如 IIR 滤波器、卷积 (Conv) 层、离散傅里叶变换 (DFT) 和全连接 (FC) 层,具有很高的硬件效率。为了支持不断变化的 AI 模型,每个子任务的配置(例如内核数量、层数、分支目标地址 (BTA)、稀疏性设置等)也集成到 ISA 中,以便高效地调度和执行不同的任务。图 33.2.3 还显示了数字神经处理器的详细架构。8×10 PE 阵列可以灵活地按行或列打开或关闭。 CNN、FC、DFT 和 IIR 滤波操作可以通过在不同数据流中重复使用相同的 PE 阵列来执行,例如,Conv 层的权重固定,或 FC 层和 DFT 的输出固定。与使用大量流水线触发器的传统脉动阵列不同,此设计有意移除了大部分IIR 滤波器、卷积 (Conv) 层、离散傅里叶变换 (DFT) 和全连接 (FC) 层,具有很高的硬件效率。为了支持不断变化的 AI 模型,每个子任务的配置(例如内核数量、层数、分支目标地址 (BTA)、稀疏度设置等)也集成到 ISA 中,以便高效调度和执行不同的任务。图 33.2.3 还显示了数字神经处理器的详细架构。8×10 PE 阵列可以灵活地按行或列打开或关闭。可以通过在不同数据流中重用相同的 PE 阵列来专门执行 CNN、FC、DFT 和 IIR 滤波操作,例如,Conv 层的权重平稳,或 FC 层和 DFT 的输出平稳。与传统的脉动阵列不同,该设计特意移除了大部分IIR 滤波器、卷积 (Conv) 层、离散傅里叶变换 (DFT) 和全连接 (FC) 层,具有很高的硬件效率。为了支持不断变化的 AI 模型,每个子任务的配置(例如内核数量、层数、分支目标地址 (BTA)、稀疏度设置等)也集成到 ISA 中,以便高效调度和执行不同的任务。图 33.2.3 还显示了数字神经处理器的详细架构。8×10 PE 阵列可以灵活地按行或列打开或关闭。可以通过在不同数据流中重用相同的 PE 阵列来专门执行 CNN、FC、DFT 和 IIR 滤波操作,例如,Conv 层的权重平稳,或 FC 层和 DFT 的输出平稳。与传统的脉动阵列不同,该设计特意移除了大部分
1技术和过程技术的选择BJT,CMOS和BICMOS集成电路,硅技术与GAAS。2个材料特性。3相图和固体溶解度。4晶体生长。 5热氧化。 6扩散(1)。 7扩散(2)。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积(CVD)。 12金属化。 +第12周考试13过程集成(CMOS和BJT)。 14测试程序和测试模式,测试流程图,计划和策略。 15故障诊断和模拟,测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g&a s s s s s s s s s s s s s s s m n t4晶体生长。5热氧化。 6扩散(1)。 7扩散(2)。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积(CVD)。 12金属化。 +第12周考试13过程集成(CMOS和BJT)。 14测试程序和测试模式,测试流程图,计划和策略。 15故障诊断和模拟,测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g&a s s s s s s s s s s s s s s s m n t5热氧化。6扩散(1)。 7扩散(2)。 +第7周评估 +中期考试。 8离子植入。 9蚀刻和清洁。 10种现代印刷技术。 11外延和化学蒸气沉积(CVD)。 12金属化。 +第12周考试13过程集成(CMOS和BJT)。 14测试程序和测试模式,测试流程图,计划和策略。 15故障诊断和模拟,测试设备。 s t u d e n t g r a d i n g&a s s s s s s s s s s s s s s s m n t6扩散(1)。7扩散(2)。+第7周评估 +中期考试。8离子植入。9蚀刻和清洁。10种现代印刷技术。11外延和化学蒸气沉积(CVD)。12金属化。+第12周考试13过程集成(CMOS和BJT)。14测试程序和测试模式,测试流程图,计划和策略。15故障诊断和模拟,测试设备。s t u d e n t g r a d i n g&a s s s s s s s s s s s s s s s m n t
Technical data T6 T12 T20 UT6 UT12 UT20 Outer dimensions Depth mm/inch 540/21.3 540/21.3 720/28.3 540/21.3 540/21.3 720/28.3 Width mm/inch 552/21.7 696/27.4 754/29.3 552/21.7 696/27.4 754/29.3 Height mm/inch 663/26.1 814/32.0 876/34.5 663/26.1 814/32.0 876/34.5 Wall clearance mm/inch 80/3.1 80/3.1 80/3.1 80/3.1 80/3.1 80/3.1 Base distance Width mm/inch 506/19.9 650/25.6 708/27.9 506/19.9 650/25.6 708/27.9 Depth mm/inch 340/13.4 340/13.4 520/20.5 340/13.4 340/13.4 520/20.5 Exhaust air connection, side clearance mm/inch 276/10.9 348/13.7 377/14.8 184/7.2 184/7.2 184/7.2 Internal dimensions Depth mm/inch 370/14.6 370/14.6 550/21.7 330/13.0 320/12.6 500/19.7宽度mm/Inch 352/13.9 496/19.5 554/21.8 378/14.9 522/20.6 522/20.6 580/22.6 580/22.8高度毫米672/26.5卷L 57 110 199 64 112 210架子(电线网架)标准数量。2 2 2 2 2 2最大数量。10 15 17 9 14 16 Wire-mesh shelf dimensions Depth mm/inch 365/14.4 365/14.4 545/21.2 333/13.1 323/12.7 503/19.8 Width mm/inch 336/13.2 480/18.9 538/21.2 362/14.3 506/19.9 564/22.2 Maximum load per tray kg 20 20 15 20 20 15 Total kg 50 50 70 50 50 70 Weight (empty instrument) kg 40 55 75 40 55 75 Operating temperature from TA 1) +10 °C to °C 250 250 250 250 250 250 Heating-up time to specified temperature min 63 60 55 42 30 40 Heat emission to the environment (at 250 °C) Wh/h 500 700 1000 700 850 1100 Air exchange rate per hour 8 10 5 50 40 20 Electrical数据(额定值)额定电压(1N / PE)V 230 /120 230/208 230/208 230/208 230/208 230/208 230/208 230/208频率HZ 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 50 - 60 - 60 - 60 POWER输入KW
蛋白质结构处于遗传控制之下;' - 3然而,DNAT影响蛋白质中特定氨基酸序列的形成的确切机制尚不清楚。几年前,发现具有某些有毒的噬菌体的大肠杆菌感染诱导了具有高代谢率的RNA馏分的形成,既具有高代谢率率,又是与感染病毒的DNA相对应的基础成分。4-6在非注射细胞中的存在中,也证明了无源性RNA成分的存在。然而,在这种情况下,RNA的基础组成类似于细胞DNA的基础组成。78这些观察结果集中在这种类型的RNA在蛋白质合成中的可能作用上,并且最近已经概述了与这种观点一致的某些证据。直到最近,最近还没有已知的DNA酶机制用于DNA指定的RNA的DNA酶机制。多核苷酸磷酸化酶'°11虽然催化了多吡丁而生核苷酸的合成,但本身并不能提供具有特定核苷酸序列的RNA的机制。产生独特的核苷酸序列的一个实例涉及核苷酸仅限于预先存在的多核苷酸链的结束。12-14因此,我们的努力是针对检查RNA合成的替代机制,尤其是DNA可能决定RNA的核苷酸序列的机制。实验过程。物质:未标记的核糖核苷二磷酸和三磷酸盐购自Sigma Biochemical Corporation和加利福尼亚州的生物化学研究公司。在本文中,我们希望报告来自大肠杆菌的RNA聚合酶的分离和某些特性,在DNA和四个天然存在的核糖核苷三磷酸中,它会产生与DNA的碱基成分相互补充的RNA。在过去的一年中,几个实验室报告了类似的发现,并从细菌以及动植物来源的酶制剂中进行了类似的发现。15-24在以下论文中,酶促合成的RNA对大肠杆菌核糖体在蛋白质核糖体中掺入氨基酸的速率和程度对蛋白质的蛋白质的影响。8-C14标签的ATP购自Schwartz生化公司; the other, uniformlv labeled, C14 ribonucleoside triphosphates were prepared enzymatically from the corresponding monophosphate derivatives25 isolated from the RNA of Chromatium grown on C1402 as sole carbon source.26 CTP labeled with p32 in the ester phosphate was obtained by enzymatic phosphorylation of CMP"2 prepared according to Hurwitz.27 The通过Lehman等人的过程获得了脱氧核苷三磷酸。25小牛胸腺和鲑鱼精子DNA通过Kay等人的方法分离。28DNA来自Perolocter Aerogenes Aerogenes Aerogenes,phlei和phlei phlei和细菌T5,T5,T5,T5,T5,T5,T5的phage。如前所述制备了来自大肠杆菌的未标记和p32标记的DNA。根据Schachman等人的32和Radding等人,制备了3'D-AT和D-GC聚体,“ 3”,“ 3,” 3。从枯草芽孢杆菌34的trans形成DNA是E. W. Nester的礼物,DNA来自噬菌体0x
苏迪普托;巴斯,拉维·N;戈萨尔,苏吉特; Padmanabham,G 智能制造杂志,2018,29,175-190 54. Sahoo, Santosh Kumar;比绍伊,比布杜塔;莫汉蒂,乌彭德拉·库马尔; Sahoo,Sushant Kumar;萨胡,贾姆贝斯瓦尔;沐浴,拉维·纳图拉姆 (Ravi Nathuram);激光束焊接对工业纯钛微观结构和力学性能的影响印度金属研究所学报 70 1817-1825 2017 55. S. Pradheebha、R. Unnikannan、Ravi N. Bathe、K. Chandra Devi、G. Padmanabham 和 R. Subasri;纹理对溶胶-凝胶纳米复合涂层表面润湿性的影响国家技术杂志 13 3 19-23 2017 56. Narsimhachary,D;巴斯,RN; Dutta Majumdar,J;帕德马纳巴姆,G;巴苏,A; 6061-T6铝合金双道激光焊缝组织与力学性能。工程中的激光 (Old City Publishing) 33 2016 57. Rikka, Vallabha Rao; Sahu,Sumit Ranjan;塔德帕利,拉贾帕;巴斯,拉维;莫汉,泰雅加拉詹;普拉卡什,拉朱;帕德玛纳布姆,加德;戈帕兰,拉加万;用于锂离子电池外壳的脉冲激光焊接不锈钢和铝合金的微观结构和力学性能 J Mater Sci Eng B 6 9–10 218-225 2016 58. Moharana, Bikash Ranjan; Sahu,Sushanta Kumar; Sahoo,Susanta Kumar;巴斯,拉维;通过 CO2 激光对 AISI 304 至 Cu 接头的机械和微观结构性能的实验研究工程科学与技术,国际期刊 19 2 684-690 2016 59. Bathe, Ravi;赛克里希纳,V;尼库姆布,SK; Padmanabham,GJAPA;灰铸铁的激光表面纹理化以改善摩擦学行为应用物理 A 117 117-123 2014 60. Bathe, R;帕德马纳巴姆,G;热障涂层高温合金中激光钻孔的评估材料科学与技术 30 14 1778-1782 2014 61. Bathe, Ravi;辛格,阿希什 K;帕德马纳巴姆,G;脉冲激光修整金属结合剂金刚石砂轮对切削性能的影响材料与制造工艺 29 3 386-389 2014 62. Narsimhachary,D;巴斯,拉维·N;帕德马纳巴姆,G;巴苏,A; 6061 T6铝合金激光焊接温度分布对微观组织和力学性能的影响材料与制造工艺 29 8 948-953 2014 63. Yagati, Krishna P;巴斯,拉维·N; Rajulapati,Koteswararao V; Rao,K Bhanu Sankara;帕德马纳巴姆,G;铝合金与钢的无焊剂电弧焊接钎焊材料加工技术杂志 214 12 2949-2959 2014 64. Nikumb, Suwas;巴斯,拉维;克诺夫,乔治 K;汽车、柔性电子和太阳能领域的激光微加工技术 太阳能、显示器和光电子设备的激光加工和制造 III 9180 17-26 2014 65. Padmanabham, G;克里希纳·普里亚,Y;帕尼·普拉巴卡,KV;拉维,N;洗澡,BhanuSankara Rao;P-MIG 和冷金属转移 (CMT) 工艺制成的铝钢接头界面特性和力学性能比较焊接研究趋势:第 9 届国际会议论文集 227-234 2013 66. Bathe, G. Padmanabham 和 Ravi;材料激光加工的应用 Kiran 24 2 2013 年 3 月 14 日 67. Padmanabham, G; Priya, Y Krishna; Prabhakar, KV Phani; Bathe, Ravi N;脉冲 MIG 和冷金属转移 (CMT) 工艺制成的铝钢接头界面特性和力学性能比较焊接研究趋势 2012:第 9 届国际会议论文集 227 2013 68. Chaki, Sudipto;Ghosal, Sujit; Bathe, Ravi N; 使用 GA-ANN 混合模型对脉冲 Nd:YAG 激光切割铝合金板的切口质量预测和优化国际机电一体化与制造系统杂志 5 4-Mar 263-279 2012 69. Sanikommu, Nirmala;Bathe, Ravi;Joshi, AS;激光冲击钻孔中的突破检测。工程激光(Old City Publishing)17 2007 70. Jejurikar, Suhas M;Banpurkar, AG;Limaye, AV;Patil, SI;Adhi, KP;Misra, P;Kukreja, LM;Bathe, Ravi;通过脉冲激光沉积在 Si(100)上沉积的异质外延 ZnO 薄膜的结构、形态和电学特性:空气中退火(800 C)的影响 应用物理学杂志 99 1 2006 71. Sahasrabudhe, MS; Patil, SI; Date, SK; Adhi, KP; Kulkarni, SD; Joy, PA; Bathe, RN;磁性(Fe+ 3)和非磁性(Ga+ 3)离子掺杂在 Mn 位对 La0. 7Ca0. 3MnO3 传输和磁性的影响 固态通信 137 11 595-600 2006 72. Ogale, SB; Bathe, RN; Choudhary, RJ; Kale, SN; Ogale, Abhijit S; Banpurkar, AG; Limaye, AV;边界效应对薄沉降颗粒堆稳定性的影响 Physica A: 统计力学及其应用 354 49-58 2005 73. Alves, G; Doerr, TP; Arenzon, JJ; Levin, Y; Avelar, AT; Monteiro, PB; Bai, BD; Jiang, W; Banpurkar, AG; Ogale, SB;第 354 卷作者和论文索引 psychology 354 463 2005 74. Sahasrabudhe, MS; Bathe, RN; Sadakale, SN; Patil, SI; Date, SK; Ogale, SB;La0. 7Ca0. 3MnO3 中 Mn 位金属离子取代的影响:电荷、自旋、离子半径和Ravi N; 使用 GA-ANN 混合模型对脉冲 Nd:YAG 激光切割铝合金板的切口质量预测和优化国际机电一体化与制造系统杂志 5 4-Mar 263-279 2012 69. Sanikommu, Nirmala;Bathe, Ravi;Joshi, AS;激光冲击钻孔中的突破检测。工程激光(Old City Publishing)17 2007 70. Jejurikar, Suhas M;Banpurkar, AG;Limaye, AV;Patil, SI;Adhi, KP;Misra, P;Kukreja, LM;Bathe, Ravi;通过脉冲激光沉积在 Si(100)上沉积的异质外延 ZnO 薄膜的结构、形态和电学特性:空气中退火(800 C)的影响 应用物理学杂志 99 1 2006 71. Sahasrabudhe, MS; Patil, SI; Date, SK; Adhi, KP; Kulkarni, SD; Joy, PA; Bathe, RN;磁性(Fe+ 3)和非磁性(Ga+ 3)离子掺杂在 Mn 位对 La0. 7Ca0. 3MnO3 传输和磁性的影响 固态通信 137 11 595-600 2006 72. Ogale, SB; Bathe, RN; Choudhary, RJ; Kale, SN; Ogale, Abhijit S; Banpurkar, AG; Limaye, AV;边界效应对薄沉降颗粒堆稳定性的影响 Physica A: 统计力学及其应用 354 49-58 2005 73. Alves, G; Doerr, TP; Arenzon, JJ; Levin, Y; Avelar, AT; Monteiro, PB; Bai, BD; Jiang, W; Banpurkar, AG; Ogale, SB;第 354 卷作者和论文索引 psychology 354 463 2005 74. Sahasrabudhe, MS; Bathe, RN; Sadakale, SN; Patil, SI; Date, SK; Ogale, SB;La0. 7Ca0. 3MnO3 中 Mn 位金属离子取代的影响:电荷、自旋、离子半径和Ravi N; 使用 GA-ANN 混合模型对脉冲 Nd:YAG 激光切割铝合金板的切口质量预测和优化国际机电一体化与制造系统杂志 5 4-Mar 263-279 2012 69. Sanikommu, Nirmala;Bathe, Ravi;Joshi, AS;激光冲击钻孔中的突破检测。工程激光(Old City Publishing)17 2007 70. Jejurikar, Suhas M;Banpurkar, AG;Limaye, AV;Patil, SI;Adhi, KP;Misra, P;Kukreja, LM;Bathe, Ravi;通过脉冲激光沉积在 Si(100)上沉积的异质外延 ZnO 薄膜的结构、形态和电学特性:空气中退火(800 C)的影响 应用物理学杂志 99 1 2006 71. Sahasrabudhe, MS; Patil, SI; Date, SK; Adhi, KP; Kulkarni, SD; Joy, PA; Bathe, RN;磁性(Fe+ 3)和非磁性(Ga+ 3)离子掺杂在 Mn 位对 La0. 7Ca0. 3MnO3 传输和磁性的影响 固态通信 137 11 595-600 2006 72. Ogale, SB; Bathe, RN; Choudhary, RJ; Kale, SN; Ogale, Abhijit S; Banpurkar, AG; Limaye, AV;边界效应对薄沉降颗粒堆稳定性的影响 Physica A: 统计力学及其应用 354 49-58 2005 73. Alves, G; Doerr, TP; Arenzon, JJ; Levin, Y; Avelar, AT; Monteiro, PB; Bai, BD; Jiang, W; Banpurkar, AG; Ogale, SB;第 354 卷作者和论文索引 psychology 354 463 2005 74. Sahasrabudhe, MS; Bathe, RN; Sadakale, SN; Patil, SI; Date, SK; Ogale, SB;La0. 7Ca0. 3MnO3 中 Mn 位金属离子取代的影响:电荷、自旋、离子半径和SB;第 354 卷作者和论文索引 心理学 354 463 2005 74. Sahasrabudhe,MS;Bathe,RN;Sadakale,SN;Patil,SI;Date,SK;Ogale,SB;La0.7Ca0.3MnO3 中 Mn 位金属离子取代的影响:电荷、自旋、离子半径和SB;第 354 卷作者和论文索引 心理学 354 463 2005 74. Sahasrabudhe,MS;Bathe,RN;Sadakale,SN;Patil,SI;Date,SK;Ogale,SB;La0.7Ca0.3MnO3 中 Mn 位金属离子取代的影响:电荷、自旋、离子半径和
