换句话说,如果物体的重量小于它排开的水量,它就会漂浮。这就解释了为什么石头会下沉,而一艘大船会漂浮。石头很重,但它排开的水量很小。它下沉是因为它的重量大于它排开的少量水的重量。另一方面,一艘大船会漂浮,因为尽管它很重,但它排开的水量很大,而水的重量甚至更大。挑战:只使用一张铝箔,设计一艘能够容纳尽可能多的硬币而不会下沉的船。材料: 1 张 12 英寸 x 18 英寸的铝箔 一个容器,如水槽、浴缸或水桶,用于漂浮您的船 足够的水,使容器至少装满 5 英寸深的水 大约 50 个硬币或弹珠 实验: 在容器中装满至少 5 英寸深的水 使用下一页上的询问、思考和计划表来提出
产品以及在整个供应链中增强可持续性,对Aurubis至关重要。在2021年,我们引入了标签“明天金属”,其中涵盖了我们为提高可持续性绩效而采取的许多措施。Aurubis处于致力于减少其运营环境影响的行业的最前沿:我们设定了在2050年之前实现碳中性生产的目标。以及我们生命周期评估的结果证实了我们的努力是成功的:来自Aurubis的TIN的碳足迹比全球平均水平低55%以上。
电话:914-945-3070(SETNA 为 603-548-7870)电子邮件:kwlee@us.ibm.com(SETNA 为 eschulte@set-na.com)摘要锡合金被广泛用作电子互连的焊料。锡焊料表面往往有锡氧化物,需要将其去除以提高互连回流工艺(如倒装芯片连接)的产量。传统上,使用强助焊剂去除这些氧化物,但此工艺的缺点是会留下助焊剂残留物,这可能导致底部填充分层或需要高成本的清洁工艺。随着焊料凸块体积和凸块间间距的减小,这些问题在制造过程中变得更加难以处理。我们建议使用大气等离子体来减少凸块表面的这些氧化物,以便使用非常轻的助焊剂,甚至根本不使用助焊剂。此工艺具有等离子表面处理的优点,而没有真空等离子工艺的成本和产量损失。这种工艺可以提高产量和产量,同时降低成本。我们描述了一个实验,其中锡箔用还原化学大气等离子体工艺处理,然后用X射线光电子能谱 (XPS) 和俄歇电子能谱 (AES) 进行分析。AES 深度剖面分析表明,等离子体显著降低了氧化锡的厚度。没有证据表明任何蚀刻底层元素锡。这些结果表明,氧化锡被还原为金属锡,而底层锡金属没有被蚀刻。在另一个使用带有 SnAg 焊料的半导体芯片的类似实验中,XPS 结果表明氧化锡再次被还原为金属锡。在倒装芯片连接中,使用这种大气等离子体处理的芯片的连接工艺实现了高互连产量,即使在质量差且氧化过度的焊球的情况下也是如此。据我们了解,以前没有报道过在环境中用大气等离子体对氧化锡进行纯化学还原。关键词无铅焊料倒装芯片连接、氧化锡还原、大气等离子体和半导体互连
扫描率。循环伏安法曲线将对称形状从0.005 V•s -1至0.1 V•S -1保持,表明电极材料的放大能力。由于法拉第反应时间不足以高扫描速率,特定电容随扫描速率的增加而降低。图5C显示了在不同电流密度下TN-MO-S的充电偏差曲线。几乎对称的三角形轮廓表现出电极的电容和可逆特征。
将氧化成SN IV物种,通过电子陷阱的不良形成和材料的P掺杂导致性能大幅下降。[6]先前的研究报道了这种氧化的许多起源,例如溶剂[7,8]处理条件[9],甚至是通过在锡贫乏环境中占比例的。[10]停止这种氧化是实现高效且稳定的锡卤化物PSC的要求之一。因此,已经进行了几项试验,以应对SN II的氧化。这些包括使用新的溶剂系统来避免二甲基硫氧化物(DMSO)氧化[11],[11]使用还原剂消除SN IV的含量,例如金属sn粉[12]或下磷酸[13]或介入添加剂来减轻诸如Snn IV的形成,snf snf,snf,snf snf snf snf snf。[6,14]
尽管锡是一种非常著名的金属,并被广泛用于工业领域,但就地壳的相对丰度而言,它是一种相当稀有的元素。全世界只有少数几个具有商业价值的锡矿(主要是氧化物锡石),因此纯锡是一种相对昂贵的商品。例如,根据伦敦金属交易所 1993 年的数据,锡的市场价值与镍相当,比铅高出约 20 倍。任何工业过程的目标都是利用最经济的操作条件来生产出高质量的最终产品。因此,鉴于金属成本相对较高,对于任何涉及使用大量锡或锡基合金的过程,充分确定最佳操作参数始终是明智之举。
在光学和电化学等多个领域工作的传感器具有使生物传感比在单一领域工作的传感器更有效的特性。为了将这些领域结合到一个传感设备中,需要提供一组特定特性的材料。本文讨论了氟掺杂氧化锡 (FTO) 薄膜,它具有光学功能以引导损耗模式,同时具有电化学功能,即作为工作电极的导电材料。分析了基于 FTO 的光纤损耗模式谐振 (LMR) 传感器在光学和电化学领域的性能。此外,为了增强传感器的适用性,还开发了类似探针的反射配置。研究发现,FTO 可以被视为其他薄导电氧化物 (TCO) 的有前途的替代品,例如氧化铟锡 (ITO),它迄今为止经常应用于各种双域传感概念中。在光学领域,FTO-LMR 传感器对外部折射率 (RI) 的灵敏度在 1.33 – 1.40 RIU 的 RI 范围内达到 450 nm/RIU。反过来,在电化学领域,1,1 ′-二茂铁二甲醇溶液中 FTO 电极的响应已达到 RedOx 电流低峰峰分离。与 ITO-LMR 传感器相比,FTO-LMR 传感器在很宽的电位范围内表现出施加电位对 LMR 波长偏移的显著影响。使用链霉亲和素作为目标生物材料表明,FTO-LMR 方法的无标记生物传感应用是可能的。双域功能允许在两个域中接收到的读数之间进行交叉验证,并且在应用跨域相互作用时可以增强光学灵敏度。
摘要:锗键(GESN)是CMOS兼容的组IV材料。它的生长受到SN隔离的趋势和GESN层中缺陷的产生的困扰,当它在晶格不匹配的底物上生长时。到目前为止,据报道,在近中音红外光源和光电探测器的直接波段间隙中使用了薄的GESN。在这种交流中,我们报告了高质量的单晶GESN(〜1μm),其压缩应力(-0.3%)和Si基板上的GE缓冲液对GE缓冲液的低缺陷(-0.3%)的生长。然后将生长的GESN制成1.25μm宽度的基座波导。估计的传播损失为1.81 dB/ cm,弯曲损失为0.19 dB/弯曲,测量为3.74μm。在没有GE-O吸收峰在820和550 cm-1处,在最佳制造和测量条件下,提出的GESN波导可能支持超过25μm的波长的光传播。
在光学和电化学等多个领域工作的传感器具有使生物传感比在单一领域工作的传感器更有效的特性。为了将这些领域结合到一个传感设备中,需要提供一组特定特性的材料。本文讨论了氟掺杂氧化锡 (FTO) 薄膜,它具有光学功能以引导损耗模式,同时具有电化学功能,即作为工作电极的导电材料。分析了基于 FTO 的光纤损耗模式谐振 (LMR) 传感器在光学和电化学领域的性能。此外,为了增强传感器的适用性,还开发了类似探针的反射配置。研究发现,FTO 可以被视为其他薄导电氧化物 (TCO) 的有前途的替代品,例如氧化铟锡 (ITO),它迄今为止经常应用于各种双域传感概念中。在光学领域,FTO-LMR 传感器对外部折射率 (RI) 的灵敏度在 1.33 – 1.40 RIU 的 RI 范围内达到 450 nm/RIU。反过来,在电化学领域,1,1 ′-二茂铁二甲醇溶液中 FTO 电极的响应已达到 RedOx 电流低峰峰分离。与 ITO-LMR 传感器相比,FTO-LMR 传感器在很宽的电位范围内表现出施加电位对 LMR 波长偏移的显著影响。使用链霉亲和素作为目标生物材料表明,FTO-LMR 方法的无标记生物传感应用是可能的。双域功能允许在两个域中接收到的读数之间进行交叉验证,并且在应用跨域相互作用时可以增强光学灵敏度。