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Tobias Thaller -Kirchhoff物理研究所
随着纳米级制造技术的高级，光子综合电路的速度和能源效率获得了流动性。一个主要的挑战涉及纤维和纳米光学设备之间的耦合。一个有希望的解决方案是使用光栅耦合器，它可以在芯片上的任何位置正交近似光。虽然已经在SOI平台上牢固地建立，但近年来，它们在诸如罪恶之类的低指数平台上也变得至关重要。这个相对较新的材料平台的特征是其低传播损失和出色的功率处理能力，使其对广泛的应用具有吸引力。虽然标准的光栅耦合器有效地将仅具有一个极化的光，但是无论其极化如何，极化的拆卸光栅耦合器都可以将光线磨合。后者尚未在罪恶平台上实现，使他们的调查特别值得。本文使用FDTD仿真确定了关于sin上2D光栅耦合器设计的操作参数。模拟的最大耦合效率为51。8％，无需使用任何其他返回反射器。此外，还探索了sin上极化的光栅耦合器的发展，其中3D模拟表明这项工作是可以实现的。
存储创新的发现2030：流量电池
流量电池系统的原理是由国家航空和太空管理局的L. H. Thaller于1974年提出的，[1]专注于FE/CR系统，直到1984年。1979年，日本的电工实验室也取得了FE/CR系统开发的进展，该系统是新的能源和工业技术开发组织的一个项目[2]。在1980年代，澳大利亚新南威尔士大学开始开发钒流电池（VFB）。不久之后，由于Zn-Metal阳极对水系统的适应性较高，基于Zn的RFB被广泛报道，其中Zn/Br 2系统是首次报道。在1990年代，Regenesys Ltd发明了RFB系统，NABR在正面，而Na 2 S 4在负面为电解质。在2010年代之前，已经提出了许多类型的RFB系统，包括全铁，非水有机体和有机流量电池[3]。近年来，在提高其绩效和降低成本方面取得了重大进展。目前，RFB，尤其是VFB和锌溴RFB被认为是相对成熟的技术，并且正在积极部署在各种应用中。