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乌迪内大学 - UNIUD
在过去十年中，石墨烯因其独特的电气特性（如高电子迁移率和高饱和速度 [1]）而备受关注。遗憾的是，由于没有带隙，石墨烯不适合数字电路应用。在模拟 RF 电路中，传统的 MOSFET 结构（如石墨烯场效应晶体管 (GFET)）能够达到约 400 GHz 的截止频率 (f T ) [2]，但输出特性的非饱和行为 [3] 导致重要 RF 性能指标的下降，因为固有电压增益 A V = g m / g ds 。出于这个原因，最近提出了新的基于石墨烯的晶体管概念，如石墨烯基晶体管 (GBT, [4])，利用通过薄电介质的量子隧穿，如热电子晶体管 (HET, [5])。GBT 由垂直结构组成（图1 中的插图），其中石墨烯片用作控制电极，即基极 (B)，位于图1 中的 x = 0 处。基极通过发射极-基极和基极-集电极绝缘体（分别为 EBI 和 BCI）与金属或半导体发射极 (E) 和金属集电极 (C) 隔开 [4]。在正常运行中（即正基极-发射极偏压，V BE > 0 和正集电极-基极偏压，V CB > 0），电子隧穿 EBI，垂直于石墨烯片 (GR) 穿过基极，然后沿着图1 中的 x 方向漂移穿过 BCI 的导带 (CB)。尽管其单原子厚度，
基于 TFET - 乌迪内大学 - UNIUD
本研究中的 TFET 为浮体 SOI 器件，因此应首先评估执行电荷泵浦测量的可行性 [19]。当用具有恒定基极电平和幅度的方波脉冲栅极时，漏极和源极保持在相同的电位，该电位扫过 0 至 1.5 V 的适当范围，以激活 Si/栅极电介质界面处的生成-复合过程。发现在 P+ 源极接触处测得的电流与栅极脉冲的频率成正比，证明了电荷泵浦装置的正确性 [20]，[21]。因此，即使我们的基于 SOI 的 TFET 中没有体接触，由于源极和漏极具有相反的掺杂类型，我们仍然可以执行电荷泵浦测量来评估 N it 。对于下面所示的电荷泵结果，栅极由 500 kHz 方波驱动，其边沿时间为 100 ns，幅度为 1.5 V，基准电平为 0 V，脉冲占空比为 50%。
