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110、72 和 63 nm SDRAM 中卡住位和单粒子翻转的技术依赖性
在质子辐照下，使用扫描电子显微镜 (SEM) 研究了来自同一制造商的三种 SDRAM，其技术节点尺寸分别为 110、72 和 63 nm。表征了辐射引起的故障，并比较了不同部件类型之间的故障。被测设备 (DUT) 经过质子辐照，并以卡住位和单比特翻转 (SBU) 的形式经历了单粒子效应 (SEE)。对具有 SBU 并在辐照期间卡住的比特的数据保留时间进行分析，结果显示保留时间退化模式相似，这表明这三种部件类型中的 SBU 和卡住位可能是由相同机制引起的。还在辐照前后进行了详细的数据保留时间分析，以研究辐照后和退火一段时间后数据保留时间的变化。发现最大的辐射引起的保留时间损失发生在退火过程中，但辐照后直接受影响最小的比特的数据保留时间随着退火时间而减少。 SEM 成像显示，不同测试部件类型之间的存储单元结构存在差异。节点尺寸最大的器件对辐射最敏感，无论是 SEE 还是累积辐射效应。
基于微束辐照的28nm工艺静态随机存取存储器单粒子翻转研究
摘要：静态随机存取存储器(SRAM)器件作为重要的星载电子设备,在其执行空间任务过程中不可避免地受到空间高能粒子辐照的影响。为揭示高能粒子对28nm工艺SRAM造成单粒子效应(SEE)的机理,基于针孔重离子微束装置,对单粒子翻转(SEU)敏感区定位和多单元翻转(MCU)分布特性进行了研究。结果表明:微束辐照引起的SEU实际范围为4.8μm×7.8μm。通过小步长(每步1μm)移动设备台,建立了SEU敏感区的一维定位方法,可以降低定位精度对束斑尺寸的依赖,定位精度可提高到1μm。 MCU测试表明，翻转模式与相邻SRAM单元内敏感区域的间距密切相关，并且通过阱接触和位交错可以降低MCU的概率。
欧洲二氧化碳运输和储存基础设施如何实现创新型工业转型
CO 2 捕获站点 • Fortum 在 Klemetsrud 和 Norcem 在 Brevik 捕获 CO 2 并将其存储在本地码头 • 每个站点的存储量必须考虑到每四天船舶到达的情况以及整个链条中任何意外情况的缓冲 • 码头作业假定由捕获工厂完成
采用 16nm 工艺设计抗辐射 SRAM 单元...
与过去的技术节点相比，器件的缩小可能会导致常规（未硬化）六晶体管 (6T) SRAM 单元的 SEU 敏感度增加 [8]。尽管 SEU 是一种非破坏性事件，但 SEU 概率的增加可能会对更大规模 SRAM 器件的使用造成越来越大的问题。这在使用高性能数字信号处理器的商用现货产品、太空任务和核电反应堆中尤其如此。由于多个位翻转可能导致同一个字中出现多个错误，因此这是一个更大的问题 [9]。在本文提出的设计中，标准 SRAM 单元经过辐射硬化处理，以减轻 SEU 和 DEU。TICE 存储单元可以自我纠正最多两个同时发生的翻转。为了进一步提高整体可靠性，我们应用布局技术将关键节点尽可能地放置在 TICE 存储单元中。在假设三个同时发生的翻转很少见的情况下，这降低了关键节点同时被击中的可能性。与标准 8T 存储单元和 DICE 存储单元相比，本研究提出的存储单元具有更高的耐辐射性。
硬件加速器设计具有太阳粒子事件预测的有监督的机器学习
摘要 - 在太阳粒子事件（SPE）的几个小时或几天内，宇宙辐射的强度可能在五个数量级上有所不同，从而增加了多个数量级的空间应用中单事件Upsets（SEU）的概率（SEU）。因此，至关重要的是要尽早检测SEU速率变化，以确保及时激活辐射硬化措施。在本文中，提出了用于预测IN-FIRKIT SEU变化的硬件加速器，以预测SPE。嵌入的片上SRAM用作实时粒子检测器。专用硬件加速器实现了监督的机器学习模型，以预测SRAM SEUS提前一个小时，每小时在SPE和正常条件下对SEU变化进行细粒度的小时跟踪。整个设计旨在用于在空间应用中采用的高度可靠和自适应的多处理系统。因此，目标系统可以在高辐射水平发作之前驱动适当的辐射硬化机制。
Doc 9868，空中导航服务程序 - 培训
是商业航空中导致人员死亡的主要原因。认识到需要确定并有效实施缓解策略，预防飞机失控很快成为国际民航组织的优先事项。在与民航当局 (CAA)、航空事故调查机构、LOC-I 焦点小组、行业协会、原始设备制造商和来自世界各地的主题专家合作对 LOC-I 现象进行了广泛研究后，很明显，当前培训实践中的缺陷是导致大多数飞机失控相关事故的因素。因此，PANS-TRG 的修正案 3 通过引入飞机失控预防和恢复培训 (UPRT) 要求，改进了现有的国际民航组织标准和建议措施 (SARP) 和支持指导材料。1.6 2015 年，下一代航空专业人员工作组制定了航空能力框架
微电子可靠性 - ETIS 个人页面
本文介绍了一种非侵入式故障原因捕获方法，用于作为知识产权 (IP) 集成的基于处理器的片上系统 (SoC)。它在辐射技术鉴定的背景下提供有关单粒子翻转 (SEU) 起源的诊断信息。由于结合了跟踪事件缓冲和错误检测与触发机制，该模块能够仅使用 1 KB 内存捕获包含错误传播的执行跟踪。执行跟踪由一组可配置的流水线寄存器补充。对于单粒子功能中断 (SEFI)，我们还提出了一种基于机器学习算法的技术来查找 SEU 来自哪个寄存器。捕获的 CPU 跟踪由分类算法处理，在故障注入活动数据库上进行训练，并提供高达 87 % 的准确率。
核研究所和物理研究方法，A
本文研究了低能质子诱导多特征尺寸NAND闪存单粒子效应灵敏度。在0.41 MeV质子作用下，25nm和16nm闪存器件出现了单粒子效应截面峰值。SRIM模拟揭示了这种现象产生的主要原因，低能质子直接电离引起的单粒子翻转比高能质子核反应引起的单粒子翻转要高几个数量级。此外，还研究了累积剂量对闪存器件单粒子效应灵敏度的影响。随着累积剂量的增加，单粒子翻转截面显著增加。这种现象的出现是由于质子和累积剂量的结合引起的阈值电压偏移造成的。