XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemVishay
RAIK045A、RAIK045I 旋转绝对感应套件...
关于产品是否适用于某些类型的应用的声明是基于 Vishay 对 Vishay 产品在通用应用中通常提出的典型要求的了解。此类声明不是关于产品是否适用于特定应用的约束性声明。客户有责任验证具有产品规格中所述属性的特定产品是否适用于特定应用。数据表和/或规格中提供的参数可能因不同应用而异，性能也可能随时间而变化。所有操作参数（包括典型参数）必须由客户的技术专家针对每个客户应用进行验证。产品规格不会扩大或以其他方式修改 Vishay 的购买条款和条件，包括但不限于其中表达的保修。
WSBM8518 Power MetalStrip®电池电池电阻器W/ ... div>
有关产品适用于某些类型应用程序的陈述是基于Vishay对典型要求的了解，这些要求通常在通用应用中的Vishay产品上放置。此类陈述不是关于产品适用于特定应用的适用性的约束性陈述。有责任验证具有产品规范中描述的特定属性的特定产品适合在特定应用程序中使用。数据表中提供的参数和 /或规格在不同的应用程序中可能会有所不同，并且性能可能会随着时间而变化。客户的技术专家必须为每个客户应用程序验证所有操作参数，包括典型参数。产品规格不会扩展或以其他方式修改Vishay的购买条款和条件，包括但不限于其中表达的保修。
在汽车应用中从12-V转移到42-V系统
版权所有©2004 IEEE。从2002年5月27日，路易斯安那州新奥尔良的52个电子组件和技术会议（ECTC）的会议记录中转载。此材料已在IEEE的许可下发布。IEEE的这种许可并不意味着IEEE认可Vishay Intertechnology，Inc。的产品或服务。允许内部或个人使用此材料。但是，必须通过写信给pubs-permissions@ieee.org来从IEEE获得转售或重新分配的新材料或重新出版此材料以进行广告或促销目的或创建新的集体工作。选择查看本文档，您同意保护其版权法的所有规定。在汽车应用中从12-V转移到42-V系统Kandarp I. Pandya和Klaus Pietrczak Vishay Vishay Siliconix 2201 Laurelwood Road，Santa Clara，CA 95054电子邮件：
HV-IBSS-USB参考设计高压智能...
2.3。用户承认（i）参考设计是在实验室条件下创建的，除了参考设计中可以明确描述的任何其他测试，（ii）与参考设计相关的参考设计中的任何信息，或者使用参考设计或评估套件中包含的第三方组件（第三方产品”（“第三方产品”）不使用任何第三方或任何第三方产品或任何第三方产品或任何第三方产品，或者使用任何第三方产品，或任何第三方产品，或任何第三方的产品，服务可能需要根据专利或其他知识产权获得第三方的许可，并且（iii）Vishay可以对其各自的产品和服务，参考设计或评估套件进行更正，增强，改进以及其他更改，并停止任何产品或服务。vishay没有义务，也没有对参考设计或评估套件中包含的第三方产品的索赔，陈述，保证或保证。
单线双向对称（BISY）ESD保护二极管二极管Vlin系列用于汽车网络（例如Lin-Bus）提供±16 V
此文档如有更改，恕不另行通知。本文和本文档所描述的产品受特定的免责声明的约束，请访问www.vishay.com/doc?91000©2024 Vishay Intertechnology，Inc。保留所有权利。www.vishay.com 1/1 SS36196317-2402
597D固体触觉芯片电容器，Tantamount™最大简历，用于高级共形涂层技术的体积挑战设计
此文档如有更改，恕不另行通知。本文和本文档所描述的产品受特定的免责声明的约束，请访问www.vishay.com/doc?91000©2023 Vishay Intertechnology，Inc。保留所有权利。www.vishay.com 1/2 SS34737551-2311
AEi 系统产品手册
电源设计人员的强大解决方案 • 启用您的 PSpice 电源仿真 • 热门部件：UC184x、UC152x、LT124x、UC182x、TL431、IR2110、UC3854、UCC3895、UC1846 • TI、Intersil、ON Semiconductor、Linear Technology、National Semiconductor、IR、Micrel、Vishay • PWM 控制器、开关稳压器、PFC、LDO、Magnetics、光耦合器、Mosfet 驱动器 • 执行逐周期仿真以显示真正的大信号性能 • 分析大信号效应：启动瞬态、功率级应力、阶跃负载响应 • 计算组件应力并测试过度功率耗散 • 准确且经过基准数据验证 • 附带应用示例和完整的符号集
白皮书整流器二极管 - 新开发项目
在单层FR-4样式的PCB上，焊接垫的大小是整体热量升压的主要贡献者。两层和4层PCB降低了热电阻。使用热vias是另一个不错的选择。在更高的功率设计中，有时会发现更昂贵的IMS基材。在所有这些设计中，总体热沉积较少依赖于非常大的焊料垫，而小型化是一种选择，并且可以增加功率散发。TSC还推出了2个新软件包-SMPC4.0和TO277A - 带有裸露的垫子。这些软件包为Diodes Inc和Vishay提供了第二来源。裸露的垫子可以大大帮助减少与消散功率相关的板空间。他们还通过降低RTHJ-l来减少TJ，从而提高可靠性。也是一个称为SOD123HE软件包的较小包装。
Maketronics Communications LLP 联系方式
Actel Halo Electronics NEC Sipex Aeneon Hitachi NIC Sony Agere Hynix Nichicon Spansion Allegro Microsystems IBM Numonyx ST Microelectronics Alliance Semiconductor IDT NVIDIA Symbios Logic Altera Intel NXP (飞利浦) SynQor AMCC International Rectifier Oak Technology (Zoran) Teccor AMD Intersil OKI Semiconductor Temic Anadigics ISSI/ICSI On Semiconductor Texas Instruments Analog Devices ITT Cannon Panasonic (松下) Toshiba ATI Kemet Pericom TranSwitch Atmel Kingston Technology PLX Technology TriQuint Semiconductor Avago (安捷伦) Lattice Semiconductor PMC-Sierra Tundra Semiconductor AVX Legerity Pulse Engineering Tyco Bourns Linear Technology Qimonda (英飞凌) V3 Semiconductor Brilliance Semiconductor LSI (Agere) QLogic Via Tech (Cyrix) Broadcom Macronix Qualcomm Vishay Cirrus Logic Marvell 半导体（英特尔）
能量收获
材料法案数量指示符描述Vishay P / N 1 B1 196 HVC Enycap™4 F / 4.2 V，堆叠水平MAL219691113E3 4 B2，B3，B4，B4，B5 SMD ENYCAP™，每个2.1 V，每个（8 mm x 11 mm，9 mm x 22 mm x 22 mm x 22 mm） ILSB0603ER100K 1 C1 Ceramic capacitor: 100 nF, 10 V, 10 %, X7R, 0402 VJ0402V104ZXQPW1BC 1 C2 Ceramic capacitor: 1 nF, 50 V, 5 %, X8R, 0402 VL0402H102JxAPxxx 1 C3 Ceramic capacitor: 10 nF, 10 V, 10 %, X7R, 0402 1 C4 Ceramic capacitor: 1 μF, 25 V, 20 %, X5R, 0402 1 CBOOST Ceramic capacitor: 22 μF, 10 V, 20 %, X5R, 0603 1 CSRC Ceramic capacitor: 10 μF, 10 V, 20 %, X5R, 0603 2 CBATT, CSRC2 150 μF, ± 20％，6.3 V陶瓷电容器X5R，1206（3216公制）3 CBUCK，CHV，CLV陶瓷电容器：10μF，10 V，20％，20％，X5R 1 D1 Schottky BAT54 300 MA，40 V BAS16D-E3 1 D4 LED 0402 RED替代：VLMS15002 d5 d5 d5 04 04 VLMG1500-GS08 1 D6齐纳5.1 V，300 MW，2针SOD-323 BZX384C5V1-E3 1 lboost低剖面，高电流，屏蔽电感器IFSC1008ABER100M01 1 PIN，3杆，3杆1 Q1 N-CHANNEL 60 v，30 v，1 Q1 N-CHANNEL 60 v，SOT23，1.SOT：8 Ω 2N7002K-T1-E3 1 R1 Thick film resistor: 7.15 M Ω , 0603, ± 1 %, AEC-Q200 CRCW06037M15FKEA 1 R1b Thin film resistor: 100 k Ω , 0603, ± 0.1 % MCT06030C1003FP500 1 R2 Thick film resistor: 3.48 M Ω , 0603, ± 1 %, AEC-Q200 MCT06030C3834FP500 1 R2_b Resistor: 0 Ω - 0603, resistor 0 Ω - 0603 solder bridge CRCW06030000Z0EA0C 1 R3 Thick film resistor: 383 k Ω , 0402, ± 1 % CRCW0603383KFKEA