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CoolSiC™ MOSFET 栅极驱动电压指南...
通过在各种开关条件下进行长期测试，研究了英飞凌 CoolSiC™ MOSFET 的这种现象的特点。数据显示，开关应力会导致 V GS(th) 随时间缓慢增加。然而，无论选择何种参数，都从未观察到由开关引起的负 V GS(th) 漂移。在相同工作条件下承受应力的不同器件的 V GS(th) 漂移值相似。阈值电压 V GS(th) 的增加会降低 MOS 沟道过驱动 (V GS(on) – V GS(th) )，因此可以观察到沟道电阻 (R ch ) 的增加。这种现象在公式 [1] 中描述，其中 L 是沟道长度，W 是沟道宽度，μ n 是自由电子迁移率，C ox 是栅极氧化物电容，V GS(on) 是正导通状态栅极电压，V GS(th) 是器件的阈值电压 [2]。
高光伏渗透率对电压稳定性的影响
摘要 — 光伏 (PV) 在现代电力系统中的重要性日益凸显。随着光伏发电的发展，可靠性问题也随之而来，因为光伏发电的行为与传统发电机不同。其中一个可靠性问题是电压稳定性。本文使用具有不同光伏渗透水平的动态模型，研究了德克萨斯州电力可靠性委员会 (ERCOT) 系统中奥斯汀地区的电压稳定性。基准情况设定为可再生能源渗透率为 0%。其他情况包括 15% 的风能渗透率和高达 65% 的光伏渗透率。研究结果表明，电压/无功控制能力对电压稳定性至关重要，而光伏发电缺乏这种能力。光伏的电压调节可能会导致过压，并且在区域光伏渗透率高的情况下，电压崩溃可能会更加突然。
TSK550高压绝缘硅胶化合物
电绝缘体，尤其是在暴露于元素时，可能会因灰尘，烟雾或盐颗粒而变得肮脏。绝缘性能可能会逐渐下降，而无需进行适当的清洁和维护。TSK550用于嵌入涂层绝缘体表面上的盐或灰尘颗粒，从而有助于绝缘体表面的清洁度和防水性。当涂层的驱虫剂显着降低并且发生弧形时，TSK550的电弧阻力也有助于防止绝缘子的釉破坏。这种保护有助于在重新涂抹之前完全利用涂层。
自适应恒流恒压模式P&
光伏 (PV) 能量收集已广泛应用于电池充电的能量存储应用中。收集电路有效收集的太阳能越多，充电效率就越高。许多论文使用了不同的 MPPT 方法来增强 PV 收集，这些方法需要 ADC 和 MCU，这不仅成本高昂，而且需要长时间的跟踪。提出了一种用于 20V/5 W 太阳能电池板的具有自适应恒流 (ACC)、恒压 (CV) 和最大功率跟踪 (MPPT) 控制的高压能量收集电路，用于在太阳能电池板的最大功率点变化时对锂离子电池进行恒流充电 (CC) 和恒压 (CV) 充电模式。在不同光强度条件下实施脉冲宽度调制 (PWM) 和脉冲频率调制 (PFM) 以提高效率。由扰动观察 (PBO) MPPT 算法控制的 ACC 模式提高了光源不足或电池电量低时的效率。当电池充满电时，激活 CV 模式可防止锂离子电池过度充电损坏。该能量收集电路采用台积电0.5μm超高压工艺制作，在0.1A~0.3A光电流范围内，该设计的峰值效率达到98%。
高压应用中的聚合物基复合材料
摘要 ：近年来，天然纤维越来越广泛地用作聚合物复合材料的增强材料，以生产低成本产品。聚合物基质中的纤维增强材料使复合材料具有良好的机械和电气性能。根据等级和方向，复合材料的重量可以是钢的五分之一，同时提供相似或更好的刚度和强度。此外，与钢或铝不同，复合材料不会生锈或腐蚀。复合材料的增强相具有耐久性、强度和刚度。复合材料传统上被用作结构材料。由于电气行业的不断发展，复合材料越来越多地用于电气应用，例如套管、断路器、耦合电容器等。由于性能要求的巨大差异，结构和电气复合材料的设计参数有很大不同。根据应用，结构复合材料。结构复合材料优先考虑足够的强度和模量，而电气复合材料优先考虑优异的介电常数、热导率和低热膨胀以及屏蔽效能。在电气行业，低密度是理想的，因为它可以减轻重量。还要求具有较高的强度重量比和介电性能。本文简要回顾了聚合物复合材料的性能及其在高压工业中的应用。
非挥发性电压控制的分子自旋态切换...
1 内布拉斯加大学林肯分校物理和天文系，内布拉斯加州林肯市 68588，美国；888tke405@gmail.com (TKE)；guanhuahao@huskers.unl.edu (GH)；neojxy@gmail.com (XJ)；andrew.yost@okstate.edu (AJY)；xiaoshan.xu@unl.edu (XX) 2 劳伦斯伯克利国家实验室先进光源，加利福尼亚州伯克利市 94720，美国 3 印第安纳大学普渡大学印第安纳波利斯分校物理系，印第安纳州印第安纳波利斯 46202，美国；aamosey@iupui.edu (AM)；daleas@iupui.edu (ASD) 4 俄克拉荷马州立大学物理系，俄克拉荷马州斯蒂尔沃特市 74078，美国 5 桑迪亚国家实验室先进材料科学系，新墨西哥州阿尔伯克基市 87185，美国； krsapko@sandia.gov (KRS); gtwang@sandia.gov (GTW) 6 分子铸造厂，劳伦斯伯克利国家实验室，伯克利，加利福尼亚州 94720，美国；JianZhang@lbl.gov 7 德克萨斯大学达拉斯分校电气工程系，理查森，德克萨斯州 75080，美国；Andrew.Marshall@utdallas.edu 8 佐治亚理工学院电气与计算机工程学院，791 Atlantic Drive NW，亚特兰大，乔治亚州 30332，美国；azad@gatech.edu * 通信地址：atndiaye@lbl.gov (ATN); rucheng@iupui.edu (RC); pdowben1@unl.edu (PAD)；电话：+1-510-486-5926 (ATN)；+1-317-274-6902 (RC)； +1-402-472-9838 (PAD) † 对本工作有同等贡献。
SiC-MOSFET阈值电压漂移的测量与分析
法国里昂 摘要 碳化硅功率 MOSFET 在许多研究中用于提高电力电子转换器的效率或性能。然而，栅极氧化物技术弱点是碳化硅 MOSFET 晶体管的主要可靠性问题。阈值电压漂移是解决工业电源应用可靠性的关键现象。更好地理解栅极阈值电压漂移中隐含的现象非常重要。在此背景下，本文提出了一种基于 JEDEC 标准的静态老化测试，并研究和讨论了由此产生的栅极氧化物应力。进行了补充测试，包括动态可靠性和栅极氧化物特性，例如电荷泵技术。获得的结果用于为当前有关 SiC MOSFET 稳健性的讨论增添见解。此外，还详细介绍了测试台和测量协议。 * 通讯作者 quentin.molin@supergrid-institute.com 电话：+33 6 68 30 16 52 1. 简介 由于 SiC 具有比硅更优越的电气性能，因此它是一种很有前途的高压高温器件材料。然而，仍有许多可靠性问题有待解决，例如氧化物退化 [1]、阈值电压不稳定性 [2]、[3] 和短路行为 [4]、[5] 和 [6]。其中一些关键点对于开发用于工业应用的可靠功率器件至关重要 [7]。
ERCOT 超高压 (EHV) 基础设施计划
– 增加负荷中心之间的传输能力 – 发电资源选址的灵活性 – 停电协调能力 – 由于通行权要求减少，减少了对德克萨斯州消费者的影响 – 降低线路损耗 – 可能淘汰串联补偿装置 – 一些当前通用传输约束的潜在退出策略
HV-IBSS-USB参考设计高压智能...
2.3。用户承认（i）参考设计是在实验室条件下创建的，除了参考设计中可以明确描述的任何其他测试，（ii）与参考设计相关的参考设计中的任何信息，或者使用参考设计或评估套件中包含的第三方组件（第三方产品”（“第三方产品”）不使用任何第三方或任何第三方产品或任何第三方产品或任何第三方产品，或者使用任何第三方产品，或任何第三方产品，或任何第三方的产品，服务可能需要根据专利或其他知识产权获得第三方的许可，并且（iii）Vishay可以对其各自的产品和服务，参考设计或评估套件进行更正，增强，改进以及其他更改，并停止任何产品或服务。vishay没有义务，也没有对参考设计或评估套件中包含的第三方产品的索赔，陈述，保证或保证。