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World File Search SystemWLCSP
技术和可靠性
• 为提高性能，晶圆工艺技术的快速发展推动了 HKMG 和 FinFET 等可靠性极限。 • 晶圆上新材料的加速引入：铜、超低 k ILD、气隙、氮化氧化物、高 K 栅极电介质和新互连 • 先进的封装和凸块技术：fcBGA、fcCSP、WLCSP、无铅凸块、铜柱、铜线、微凸块、多层 RDL、TSV/Interposer、3D/2.5D、FanOut WLP 封装和 SiP • 新封装材料：增材制造基板、超低损耗电介质、底部填充材料、塑封材料、基板表面处理、无铅和铜凸块等 • 多级应力相互作用使可靠性失效机制变得复杂 • 日益严格的客户要求和应用 • 快速上市需要可靠性设计以减少认证/批量生产时间
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1.2结论所有可靠性测试均已完成，并取得了积极的结果。在最终电测试中均未检测到功能性和参数拒绝。According to good reliability tests results in line with validated product mission profile and reliability strategy, the qualification is granted for all Finished Goods diffused in TSMC SSMC 8'' (0.18 μ m EMBEDDED FLASH) – for the die F422CCC1, F440CCC2, F444CCC2, F448CCC2, F445CCC1, F442CC1 & F438CCC1 and assembled in the following packages: LQFP48 7x7 ASEKH, LQFP48 7x7 ST Muar, LQFP64 10x10 JSCC, UQFN48 7x7 JSCC, UFBGA64 5x5 ATP3, LQFP100 14x14 ATP1, LQFP100 14x14 ST Muar, WLCSP STATS奇帕克新加坡，UFQFPN28 4x4 Col JSCC，TSSOP20 ST深圳和LQFP48 7x7 JSCC。有关可靠性测试结果，请参阅第2.0节。
optiga™连接消费者OC1230
• Remote SIM provisioning (RSP) compatible with GSMA SGP.22 v2.5.0 • Multiple enabled profiles (MEP) compatible with GSMA SGP.22 v3 • Supports network technologies 3G, 4G (LTE), and 5G • Supported network access applications: SIM, USIM, CSIM, and ISIM • In-field OS update function • Interoperable with worldwide commercial eSIM services following GSMA standards • Up to 1.1 MB free memory for carrier profiles, applications, and data (additional applets integrable) • Tiniest consumer eSIM solution with WLCSP (1.8 x 1.6 x 0.4 mm) and X2QFN20 (3.0 x 3.0 x 0.3 mm) packages • Voltage classes: C (1.8 V), D (1.2 V) • ETSI TS 102 221 and SPI interfaces • Post-Quantum加密准备就绪•根据GSMA SGP.25中指定的BSI-CC-PP-0100-2018评估的安全性•GSMA SAS-SAS-UP认证生产过程•温度范围：-25°C至 +85°C•数据保留：至少10年
HL5095
HL5095 带可调电流限制的背靠背 OVP 概述 HL5095 是一种斜率控制、低 Rds(on) 过压保护装置。它用于电源和负载之间，以保护和隔离电源免受不必要的异常电压和电流情况的影响。特别是在智能手机的 OTG 模式下，HL5095 可以放置在 OTG 升压调节器和 USB 端口之间。HL5095 可以保护升压调节器免受智能手机中 USB 过压或过流情况的影响。为了在高压应用（9V 或以上）下使用，HL5095A 和 HL5095B 采用了高压设备功率 FET 开关，最大输入电压为 13.5V。其过压保护水平在 HL5095A 版本中设置为 14.2V，在 HL5095B 中设置为 10.4V，在 HL5095C 中设置为 5.8V。为了防止输入电压过高或电池电压因大浪涌电流而下降，HL5095 还实现了多种保护功能，例如输出过压和输入欠压保护、带 FLTB 标志的过流保护和过热保护。HL5095 采用 9 引脚 WLCSP 封装。
CW2217B
CW2217B 是一款超紧凑型系统侧或电池组侧电量计 IC，适用于可穿戴和便携式设备中使用的锂离子电池。CW2217B 跟踪电池运行状况并执行最先进的算法来计算各种电池化学系统的充电状态 (SOC)，包括 LiCoOx、聚合物锂离子和 LiMnOx 等。CW2217B 包括两个高精度 ADC、电压参考电路和内置 NTC 热敏电阻偏置电路。它持续监测电池电压和温度，并测量流过检测电阻的电流。所有测量值和电池特性数据均由 IC 嵌入式 FastCali 算法利用，并在各种运行条件下报告和刷新准确的电池 SOC。CW2217B 还提供报警功能。当 SOC 或温度达到预编程阈值时，将生成相关中断以提醒主机 MCU。 CW2217B 使用 2 线 I 2 C 兼容串行接口，可在标准模式或快速模式下运行。该 IC 采用无铅 0.5mm 间距、1.58mmx1.53mm、9 球 WLCSP 封装。
先进封装季度市场监测 2022 年第 1 季度
封装行业动态：2021 年顶级参与者的收入 2021 年对于先进封装来说是丰收的一年，ASE 继续主导市场收入，其次是 Amkor。英特尔保持第三的位置，其次是长电科技和台积电。Yole 的季度先进封装监测器提供了 2021 年收入和同比增长排名前 30 位的外包半导体组装和测试 (OSAT) 公司。与 2020 年相比，2021 年的同比收入增长更大，增长最快的 OSAT 主要是中国的。先进封装 (AP) 市场的总收入在 2021 年达到 321 亿美元，预计将录得 10% 的复合年增长率 (CAGR)，到 2027 年达到 572 亿美元。5G、汽车信息娱乐/高级驾驶辅助系统 (ADAS)、人工智能 (AI)、数据中心和可穿戴应用的大趋势继续推动 AP 向前发展。在此监测器中，显示了主要先进封装类型的季度数据更新，包括倒装芯片芯片级封装 (FCCSP)、倒装芯片球栅阵列 (FCBGA)、晶圆级芯片级封装 (WLCSP)/扇入、扇出封装、3D 堆叠封装和系统级封装 (SiP)。
CW6308
CW6308 是一款高精度线性充电器 IC，具有电源路径管理功能，适用于使用单节锂离子/锂聚合物电池的可穿戴设备和物联网设备。该设备嵌入充电管理模块并完成完整充电阶段，包括预充电、快速充电恒流 (CC)、快速充电恒压 (CV) 和充电终止。该设备集成了电源路径管理 (PPM)，即使电池电量耗尽，设备也可以在为电池充电的同时为系统运行提供电源。它还支持完整系统重置和运输模式。CW6308 通过限制从输入到系统的电流和从电池到系统的电流来提供系统过流保护 (OCP)。当电池电压低于电池欠压锁定 (UVLO) 阈值时，电池到系统的放电路径将被切断。CW6308 可以通过 NTC 引脚（支持 10K 或 100K NTC 热敏电阻）监控电池组温度，并在电池处于热或冷状态时暂停充电。该设备还集成了充电安全定时器和预充电定时器。当其中任何一个定时器到期时，正在进行的充电将被关闭。I 2 C 控制接口允许主机配置充电器参数并获取 IC 状态。充电和放电期间可使用 I 2 C 看门狗。该设备采用微型无铅 0.4mm 间距、1.25mm x 1.25mm、9 球 WLCSP 封装。
新闻稿
UF 120LA：下一代高可靠性、100% 助焊剂残留物兼容且可返工的底部填充材料 2025 年 2 月 3 日（纽约州奥尔巴尼）——YINCAE 推出了 UF 120LA，这是一款专为先进电子封装而设计的高纯度液态环氧底部填充材料。UF 120LA 具有出色的 20μ 间隙流动性，可免除清洁工艺，降低成本和环境影响，同时确保在 BGA、倒装芯片、WLCSP 和多芯片模块等应用中的卓越性能。UF 120LA 可承受 5x260°C 回流循环而不会发生焊点变形，优于需要清洁的竞争对手。其在较低温度下的快速固化提高了生产效率，使其成为存储卡、芯片载体和混合电路的理想选择。UF 120LA 卓越的耐热性和机械耐久性使制造商能够开发更紧凑、更可靠、更高性能的设备，加速小型化、边缘计算和物联网连接的趋势。这项进步可以提高任务关键型应用的生产效率，例如 5G 和 6G 基础设施、自动驾驶汽车、航空航天系统和可穿戴技术，这些应用的可靠性和使用寿命至关重要。此外，通过简化制造工作流程，UF 120LA 可以缩短消费电子产品的上市时间，从而有可能重塑供应链效率并为规模经济创造新的机会。从长远来看，这项技术的广泛采用可能会彻底改变半导体封装格局，为越来越复杂的电子设备铺平道路，这些电子设备更轻、更高效、在极端环境下更具弹性。主要优势：
第 23 章：晶圆级封装 (WLP)
范围和章节大纲 本章旨在简要概述晶圆级封装 (WLP)，包括晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 和扇出型封装，作为这些技术未来发展路线图的背景。本文并非旨在提供详细的历史，也不是与这些技术相关的所有可能的结构、工艺和材料的详细描述。在有关该主题的各种文章和书籍中可以找到更详细的信息。本章试图回顾 WLP 技术迄今为止的发展，并预测未来的需求和挑战。 晶圆级封装是指在晶圆仍为晶圆时对芯片进行封装，可以单独封装，也可以与其他芯片或其他组件（例如分立无源器件）或功能组件（例如微机电系统 (MEMS) 或射频 (RF) 滤波器）组合封装。这允许使用异构集成进行晶圆级和面板级封装。尽管从定义上讲，WLP 历来都是使用直径为 200 毫米或 300 毫米的圆形晶圆格式生产的，但多家供应商正在将类似的制造方法扩展到矩形面板格式。这将允许不仅在晶圆级基础设施（晶圆级封装，或 WLP）上制造异构封装，而且还可以在面板级基础设施（面板级封装，或 PLP）上制造异构封装。本章将包括异构集成路线图 (HIR) 的 WLP 和 PLP 格式。本章分为 7 个部分：1. 执行摘要 2. 晶圆级封装的市场驱动因素和应用 3. 晶圆级封装概述：技术、集成、发展和关键参与者 4. 技术挑战 5. 供应链活动和注意事项 6. 总结、最终结论和致谢 7. 参考文献
SmartBond™DA14585产品简介
¡ Complies with Bluetooth 5.0, ETSI EN 300 328 and EN 300 440 Class 2 (Europe), FCC CFR47 Part 15 (US) and ARIB STD-T66 (Japan) ¡ Supports up to 8 Bluetooth LE connections ¡ Fast cold boot in less than 50 ms ¡ Processing units - 16 MHz 32 bit ARM Cortex-M0 with SWD interface - Dedicated Link Layer Processor - AES-128 bit encryption Processor ¡ Memories - 64 kB One-Time-Programmable (OTP) memory - 96 kB Data/Retention SRAM - 128 kB ROM Operating System and protocol stack ¡ Power management - Integrated Buck/Boost DCDC converter - P0, P1, P2 and P3 ports with 3.3 V tolerance - Easy decoupling of only 4 supply pins - Supports coin (typ.3.0 V）和碱（典型1.5 v）电池单元-1.8 V冷靴支撑模式-0.9 V冷靴支撑模式-10位用于电池电压测量的ADC。 - System & Power On Reset in a single pin ¡ General purpose, Capture and Sleep timers - Digital interfaces - Gen. purpose I/Os: 14 (WL-CSP34), 25 (QFN40), 32 (QFN48) - 2 UARTs with hardware flow control up to 1 MBd - SPI+™ interface - I²C bus at 100 kHz, 400 kHz - 3-axes capable Quadrature Decoder ¡模拟接口-4通道10位ADC¡无线电收发器 - 完全集成的2.4 GHz CMOS收发器 - 单线天线：无RF匹配或需要RX/TX切换 - 电源电压等于3 V：•TX：•TX：•TX：3.4 MA，RX：3.4 MA，RX：3.7 MA（带有理想的DC -DC） - Indus dc -dc -dc dod dbm' - +0 dc - +0 dbm' - 20 -93 dbm接收器敏感性â键 - QFN 40引脚，5 mm x 5 mm x 0.9 mm -WLCSP 34销，2.40 mm x 2.66 mm x 0.39 mm