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高效收集和储存全太阳能...
以化学能形式释放能量。9–16 该领域最新发展的一个例子是 Yangen 等人设计的 SRFB，它使用 I3/I 和 Br/Br3 作为氧化还原活性对。17 SRFB 由 WO3 装饰的 BiVO4 光阳极驱动，可提供 1.25% 的太阳能到输出能量转换效率。Yan 等人报道了一种由 Li2WO4/LiI 氧化还原对和染料敏化 TiO2 光电极组成的 SRFB，在放电密度为 0.075 mA cm2 时可实现 0.0195 mA h mL1 的电池容量。1 最近，Amirreza 等人构建了一个串联结构，其中有一个裸露的赤铁矿光阳极和两个串联的染料敏化太阳能电池； 2仅使用赤铁矿作为光阳极的AQDS（蒽醌-2,7-二磺酸盐）/碘化物SRFB从太阳能到化学能的转化效率约为0.1％。全钒氧化还原流电池，包括钒基SRFB，由于其高可逆性和快速的反应动力学，在世界范围内得到了广泛的研究和开发。3 – 6郝等人将氮掺杂的TiO 2光阳极应用于微流体全钒光电化学电池，平均光电流密度为0.1 mA cm 2。7Zi等人。展示了一种 AQDS/V 4+ SRFB，它使用负载在氟掺杂氧化锡 (FTO) 上的 TiO 2 纳米粒子作为光阳极，能够产生 0.14 mA cm 2 的相对稳定的光电流。8
透明导电氧化物
会议主题：用于太阳能收集的宽带隙材料 16:00 Luis Pereira 教授 (*) 里斯本新大学，葡萄牙 氧化物纳米结构在机械能收集中的应用 16:45 Frank Herklotz 博士 德累斯顿工业大学，德国 SnO 2 中的间隙氢供体：全面的光谱研究 17:00 Dwight R. Acosta Najarro 博士 墨西哥国立自治大学，墨西哥城，墨西哥 通过气动喷雾热解沉积的掺杂铼的 WO3 薄膜的电致变色性能恢复 17:15 Lars Korte 博士 (*) 柏林亥姆霍兹材料与能源中心，德国 高效钙钛矿/硅串联太阳能电池：材料和界面设计方面的挑战 19:00 特邀发言人晚宴(“Auerbachs Keller”) 2024 年 9 月 24 日，星期二 10:00 游览莱比锡美术馆 - MdbK (www.mdbk.de) 地点：Katharinenstraße 10 12:30 午餐（Aula） 会议主题：非晶态和非化学计量 TCO 14:00 Julia Medvedeva 教授（*）美国密苏里大学 材料基因组方法研究非晶态氧化物半导体中的缺陷 14:45 Takashi Koida 博士 日本筑波国家先进工业科学技术研究所 (AIST) 具有优异导电性的非晶态 SnO ₂ 薄膜：生产方法、特性和与非晶态 In ₂ O ₃ 薄膜的比较分析
宽带隙器件特刊社论：设计、制造和应用
新兴的宽带隙 (WBG) 半导体有望推动全球产业发展，就如同 50 多年前硅 (Si) 芯片的发明推动了现代计算机时代的到来一样。基于 SiC 和 GaN 的器件正开始变得更加商业化。与同类的基于 Si 的元件相比，这些 WBG 器件更小、更快、更高效，在更严苛的操作条件下也能提供更高的可靠性。此外，在此框架下，一种新型微电子级半导体材料被创造出来，其带隙甚至比之前建立的宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）还要大，因此被称为“超宽带隙”材料。这些材料包括 AlGaN、AlN、金刚石和 BN 氧化物基材料，它们在理论上具有更优越的性能，包括更高的临界击穿场、更高的工作温度和潜在的更高辐射耐受性。这些特性反过来又使得革命性的新器件可用于极端环境成为可能，例如高效功率晶体管（因为巴利加品质因数有所提高）、超高压脉冲功率开关、高效 UV-LED、激光二极管和 RF 电子设备。本期特刊发表了 20 篇论文，重点关注基于宽带隙的器件：设计、制造和应用。三篇论文 [1-3] 涉及未来 5G 应用和其他高速高功率应用的 RF 功率电子设备。其中九篇论文 [4-12] 探讨了宽带隙高功率器件的各种设计。其余论文涵盖了基于宽带隙的各种应用，如用于提高 GaN 基光子发射器光子提取效率的 ZnO 纳米棒 [13]、InGaZnO 薄膜晶体管 [14]、宽带隙 WO3 薄膜 [15]、银纳米环 [16、17] 和 InGaN 激光二极管 [18-20]。特别是在 RF GaN 器件方面，Kuchta 等人 [1] 提出了一种基于 GaN 的功率放大器设计，该设计降低了透射率畸变。Lee 等人 [2] 展示了一种用于 2.5 至 6 GHz 干扰系统的紧凑型 20 W GaN 内部匹配功率放大器，它使用高介电常数基板、单层电容器和分流/串联电阻器实现低 Q 匹配和低频稳定。 Lin 等人 [3] 通过集成厚铜金属化层实现了 Ka 波段 8.2 W/mm 的高输出功率密度。关于 GaN 功率器件，Wu 等人 [4] 研究了一种双 AlGaN 势垒设计以实现增强模式特性。Ma 等人 [5] 介绍了一种使用 GaN 的数字控制 2 kVA 三相分流 APF 系统。Tajalli 等人 [6] 通过进行缓冲分解研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿的起源。可以确定每个缓冲层与垂直漏电和击穿电压相关的贡献。Sun 等人 [7] 研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿电压的分布。[7] 提出了一种利用 TCAD 实现常关型 GaN HEMT 的新方法。该概念基于将栅极沟道方向从长水平方向转置为短垂直方向。Mao 等 [8] 在 IGBT 的集电极侧引入了一部分 p-polySi/p-SiC 异质结，以在不牺牲器件其他特性的情况下降低关断损耗。Kim 等 [9] 实现了 SiC 微加热器芯片作为下一代功率模块的新型热评估设备，并评估了其耐热性能。
自动化、视觉与工业系统控制 (AVCSI) 实验室自动化工程系，科学技术大学
工业系统自动化、视觉与控制 (AVCSI) 实验室 阿尔及利亚奥兰科技大学自动化工程系。 ORCID：https://orcid.org/0000-0002-3781-9779 doi:10.15199/48.2023.03.43 使用 3D-TLM 方法和 COMSOL Multiphysics 软件对基于 MEMS 的气体传感器进行微加热器热分析 摘要。带有金属氧化物 (MOx) 的气体传感器为 MEMS 传感器提供了新的机会，因为它们拥塞少、灵敏度高、响应速度快。微热板是这些传感器中控制传感层温度的关键组件。在这项工作中，已经制造并设计了一种蜿蜒的铂基加热器。传输线矩阵 3D-TLM 方法和 COMSOL 软件用于预测均匀的温度分布。因此，在设计任何气体传感器和 MEMS 之前，微加热器热区的温度控制非常重要。压力。使用金属 (MOx) 技术可以将 MEMS 技术与其他技术结合起来。 Płyta grzejna jest kluczowym elementem tych czujników do kontrolowaniaTemperature Warstwy czujnikowej。 W tej pracy wykonano i zaprojektowano Meandrowy grzejnik na bazie platyny。 Metoda 3D-TLM 是一种通过 COMSOL 程序传输的 Macierz 语言，可用于测量温度。控制温度和微机电温度是 MEMS 项目中的一个重要问题。 ( 分析方法 3D-TLM i oprogramowaniem COMSOL Multiphysics dla czujnika gazu MEMS ) 关键词：基于 MEMS 的气体传感器、微型加热器、3D-TLM、COMSOL Multiphysics、均匀温度分布。主题：基于 MEMS 的气体传感器、微控制器、3D-TLM、COMSOL Multiphysics、温度传感器。简介基于 MEMS 的气体传感器（微机电系统）具有相当有趣的特点，例如高灵敏度、低成本和越来越小的尺寸。MOX 传感器是家庭、商业应用和工业安全设备中最主要的固态气体检测设备。然而，这种传感器的性能受到其加热板的显著影响，加热板控制传感层的温度，传感层应在加热器区域所需的温度范围内，以便检测不同的气体。这些传感器是由 Taguchi [1] 首次开发的。它们的工作原理基于金属氧化物层的电导率随周围气体性质的变化而变化。然后，这些传感器的结构可以小型化，因为它们的制造与微电子工艺兼容。这样可以降低成本，并可以将这些传感器和相关电子电路集成到单个组件中。许多研究都集中在微传感器的设计和建模上，例如 M. Dumitrescu 等人 [2] 和 S.Semancik 等人 [3] 的研究，他们在兼容的 SiO 2 平台上引入了多晶硅微加热板平台并集成了片上电路。M. Afridi 等人 [4] 设计了一种带有多晶硅微加热器的单片 MEMS 气体传感器。之后，J. Cerda Belmonte 等人 [5] 描述了检测 O 2 和 CO 气体的制造工艺。2007 年，Ching-Liang Dai 等人 [6] 设计了一种基于 WO3 纳米线的片上湿度传感器，JF Creemer 等人 [7] 提出了一种 TiN 微加热板。而 G.Velmathi 等人 [8] 提出了一种基于 TiN 微加热板的传感器。 [8] 提出了各种微加热器几何形状，M. Gayake、Jianhai Sun [9, 10] 通过有限元法模拟比较了这些基于聚酰亚胺的微加热器几何形状。2017 年，T. Moseley [11] 介绍了半导体金属氧化物气体传感器技术的发展进展，刘奇等人 [12] 综述了基于单层 SiO2 悬浮膜的新型形状微加热板的热性能可能性。R. Jagdeep 等人 [13] 提到