摘要:机械应变可用于调整单层过渡金属二核苷(1L-TMD)的光学特性。在这里,从1l-wse 2薄片的上转换光致发光(UPL)用通过十字形弯曲和压痕法诱导的双轴应变调节。发现,随着施加的双轴应变从0%增加到0.51%,UPL的峰位置被大约24 nm红移。同时,对于在-157 MeV至-37 MeV之间的宽范围内的上转换能量差,UPL强度指数增加。在三种不同的激发波长为784 nm,800 nm和820 nm处的1L-WSE 2中,UPL发射在1L-WSE 2中观察到的线性和肌功率依赖性表示多音辅助的一photon photon UpConversion发射过程。1L-TMDS的应变依赖性UPL发射的结果铺平了光子上转换应用和光电设备进步的独特途径。
摘要:范德华 (vdW) 材料的垂直堆叠为二维 (2D) 系统的研究带来了新的自由度。层间耦合强烈影响异质结构的能带结构,从而产生可用于电子和光电子应用的新特性。基于微波显微镜研究,我们报告了门控二硫化钼 (MoS 2 )/二硒化钨 (WSe 2 ) 异质结构器件的定量电成像,这些器件在传输特性中表现出有趣的反双极效应。有趣的是,在源漏电流较大的区域,n 型 MoS 2 中的电子和 p 型 WSe 2 段中的空穴几乎平衡,而异质结构区域的移动电荷则耗尽。局部电导的空间演变可以归因于沿 MoS 2 − 异质结构 − WSe 2 线的横向能带弯曲和耗尽区的形成。我们的工作生动地展示了新传输行为的微观起源,这对于充满活力的范德华异质结研究领域非常重要。关键词:范德华异质结构、微波阻抗显微镜 (MIM)、反双极效应、能带排列、耗尽区
了解哈伯德模型对于研究各种多体状态及其费尔米金和玻色子版本至关重要。最近,过渡金属二分元元素杂叶剂已成为模拟Hubbard模型丰富物理学的有前途的平台。在这项工作中,我们使用托有此杂种颗粒密度的WS 2 /WSE 2异核器设备探讨了费米子和玻色子种群之间的相互作用。我们分别通过电子掺杂和电子孔对的光学注射来独立调整费米子和骨气群。这使我们能够形成强烈相互作用的激子,这些激子在光致发光光谱中表现出很大的能量隙。通过观察激子强度的抑制抑制激子的抑制,而不是玻色子的弱相互作用气体的预期行为,这表明爆发剂的预期行为,这表明形成了玻体莫特绝缘子,进一步证实了激子的不可压缩性。我们使用包括相空间填充的两波段模型来解释我们的观察者。我们的系统提供了一种可控的方法,可以在广义的bose-fermi-Hubbard模型中探索量子多体效应。
基于WSE 2膜的抽象二维层次过渡金属二分元化元素具有有希望的纳米电子和光伏应用的特性。在这项工作中,WSE 2膜是通过硒化的DC启用W前体制备的。研究了WSE 2膜的结构,形态和光学特性的影响。在50°C的间隔下,硒化温度从350°C到450°C变化。使用X-Ray衍射法(XRD),原子力显微镜(AFM)和UV-VIS-NIR分光光度计研究了WSE 2的结构,形态和光学特性。XRD分析表明,所有WSE 2均为多晶,并且表现出C轴垂直和平行底物纹理的共存。在400°C下硒的样品表现出强(00𝑙)的类型 - 晶体方向的类型 - 垂直C-轴轴底物纹理 - 主导的晶体生长。AFM图像进一步揭示了在350°C和450°C下硒的样品的平行和垂直晶体方向的存在。光学测量表明,所有WSE 2样品都是透明的,由在约620 nm的波长处的激子峰组成。估计的带隙值在1.22 eV至1.37 eV的范围内,这比预期的要低一些 - W 5 O 14阶段的存在被认为是主要原因。关键字:过渡金属果酱,二维层次WSE 2膜,晶体
摘要:高接触电阻一直是开发高性能过渡金属二硫属化物 (TMD) 基 p 型晶体管的瓶颈。我们报道了简并掺杂的少层 WSe 2 晶体管,其接触电阻低至 0.23 ± 0.07 k Ω·μ m/接触,其使用氯化铂 (IV) (PtCl 4 ) 作为 p 型掺杂剂,该掺杂剂由与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 制造工艺兼容的离子组成。栅极长度为 200 nm 的顶栅器件表现出良好的开关行为,这意味着掺杂剂扩散到栅极堆栈中并不显著。这些器件在空气中放置 86 天后未进行任何封装,同时在 78 K 温度下保持简并掺杂状态,且压力低于 10 − 5 Torr,突显了掺杂剂的稳定性。所提出的方法阐明了对具有减薄肖特基势垒宽度的晶体管进行图案掺杂以获得低接触电阻器件的高稳定性方法的可用性。关键词:二硒化钨、电荷转移掺杂、场效应晶体管、二维材料、高稳定性
摘要:这项研究的目的是使用反射率光谱计算WSE 2层厚度,并使用Nemess 2D材料反射光谱使用NanoHub.org进行与石墨烯进行比较,该研究的数据被收集了。根据ClinicalCalc.com,将样品分为WSE2层的(n = 20),石墨烯层(n = 20)。在保持以下值的同时计算了总样本量:alpha误差阈值= 0.05,入学率= 0.1,95%置信区间= 80%,而G-power = 80%。使用SPSS软件通过独立样本测试进行比较。与石墨烯层(2.0669)相比,WSE 2层和石墨烯层的厚度具有统计学上的显着差异。WSE2层(3.4717)显示出更好的结果。与石墨烯层相比,WSE 2层具有更大的厚度。
蓝色有机发光二极管(OLED)技术需要进一步的进步,而超荧光(HF)OLED已成为解决稳定性和颜色纯度问题的有希望的解决方案。影响HF-OLEDS性能的关键因素是Förster共振能量转移(FRET)。在这里,我们使用对比鲜明激活的延迟荧光(TADF)敏化剂研究了蓝色HF-OLED的FRET机制。我们证明,敏化剂的分子结构深刻影响了FRET效率,以螺旋罗连接的TADF Molecule Acrsa为例,TADF Molecule acrsa抑制了二面 - 角度的不均匀性和任何低能源构象异构体,这些构象异构体对末期发射极端发射极小。因此,可以将FRET效率优化至近100%。此外,我们演示了近乎理想的敏化剂的性质与理想的TADF发射器的分歧。与非HF设备相比,使用绿色敏化剂的蓝色HF-oleds具有外部量子效率的三倍(约30%)。这种新的理解为敏化剂设计打开了途径,表明绿色敏化器可以有效地泵送蓝色端子发射器,从而减少设备激素激素能量并改善蓝色OLED稳定性。
磁性隧道连接点(MTJ)是非挥发性随机访问记忆(MRAM)技术的领先存储成分。1,2它由夹在两个磁层层之间的薄隧道屏障层组成,提供快速开关速度,高耐力和低功耗。3,随着大数据和物联网的不断增长,优化了MTJ的运营,以实现较低的能源消耗以获得高密度记忆,并且更快的数据处理变得至关重要。4一种有效且易于访问的方法来操纵MTJ,正在使用电场,该电场在铁磁/铁电力多性异质结构中实现。5 MTJ Spintronic设备的行为和性能受到异质结构之间的界面的显着影响。4因此,实现MTJ的高质量接口对于充分利用其功能并增强数据处理速度至关重要。二维(2D)范德华(VDW)磁铁的出现为结构VDW异质结构提供了有前途的途径,与原子尖锐的互相互相互相互相耦合,6 - 14,这使得它使IT可以探索MTJ Pertronic设备的新颖电子控制。4,15近年来,在全VDW MTJ中,在带有隧道屏障HBN,MOS 2和INSE的全VDW MTJ中,在自旋阀设备中进行了显着的前进。16 - 21个最近的研究在低温下通过VDW异质结构中的电子均值报道了TMR。23 - 2516然而,在室温下实现TMR操作的电气控制仍然是一个持续的挑战,迄今为止,VDW异质结构尚未实现室温可调TMR。永远,发现2D VDW铁磁(FM)金属Fe 3 Gate 2,22,其在室温高于室温(居里温度≈350 - 380 K)上表现出强烈的铁磁作用,并稳健的大型垂直磁性各向异性,可以打开VDW旋转器件中房间温度旋转操作的可能性。
(gimpa)。电子邮件:wdzisah@gimpa.edu.gh orcid:0000-0002-8888-3615摘要这项研究研究了Techiman South区的卫生和固体废物的社会和行为改变沟通。卫生和固体废物管理提出了巨大的挑战,影响了生活的各个方面。尽管有广泛的研究和干预措施来帮助解决这一威胁,但由于城市和城市周边地区的人们继续从事使此事复杂化的行为,因此几乎没有成功。该研究采用了混合方法。通过调查问卷,半结构化访谈和观察来收集数据。使用目的抽样和简单的随机抽样技术来选择参与者。调查结果表明,废物管理中的社区动员工作不足,这主要是由于社区参与此类努力。卫生和废物管理政策中的较弱的沟通计划进一步加剧了这个问题,强调了增强社区参与的需求。该研究得出的结论是,研究领域的沟通和意识工作存在差距。建议该地区的职责责任优先考虑社区动员和参与工作,例如定期清理练习,并让社区领导者计划和传播有关Techiman South地区卫生和固体废物管理的信息。
