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van der waals ferroelectrics
在散装3R-TMD晶体中，具有相同堆叠顺序的层组显示为三维双胞胎，被双边界的平面隔开。Here, we propose [10] the formation of two-dimensional (2D) electron/hole gases at twin boundaries, analyse their stable density in photo-doped structures, which appears to be in the range of n * ~8x10 12 cm -2 for electrons at both intrinsic mirror twin boundaries in bulk crystals and twisted twin boundaries in structures assembled from two thin mono-domain films.我们还预测了组装双胞胎之间的扭角值的“魔法”值，为此，累积的载体密度，n *和moiré模式之间的可相差性将促进形成强相关的电子状态，例如wigner晶体。参考文献[1] F. Ferreira等，科学报告11，13422（2021）
范德华异质结构的超干净装配
图1：VDW异质结构的无机组装。（a）几个从硅芯片伸出的悬臂的SEM显微照片。（b）示意图和（c）横截面高角环形暗场（HAADF）扫描透射电子显微镜（STEM）图像，显示了悬臂的多层金属涂层，可容纳2DM标本（样品中显示了多层MOS 2晶体中的样品）。（d）使用能量色散X射线光谱法在（c）中显示的区域的元素映射。（E）涂层过程后悬臂表面的AFM显微照片。均方根粗糙度值（r rms）在图像e上指示。 （F-H）采用的步骤将HBN晶体拾起到制造的悬臂上：（f）对齐，（g）接触和（h）升降。sem（l）和悬臂的光学（M）显微照片，拾取了厚（约40 nm）HBN晶体后。（i，j）拾取石墨烯晶体的步骤：对齐（I），接触和升降（J）。（n）光学显微照片显示了SIO 2上与石墨烯接触的悬臂（用虚线突出显示）。悬臂的灵活性可以准确控制层压过程。（k）石墨烯/HBN堆栈沉积在底部HBN晶体上。在整个底部HBN晶体被悬臂覆盖以选择性释放堆栈而不是将其捡起之前，层压过程要停止。（O）光学显微照片显示了氧化硅晶片上产生的异质结构，显示了较大的均匀区域。可以在补充第2节中找到有关其他样本的更多数据。
两个范德华磁电极转移
* 通讯地址：X.-X.S.(songxx90@ustc.edu.cn), Q.Z.(iamqzhao@njupt.edu.cn), Y.X.(xuyong@njupt.edu.cn) 或 W.Q.(wqin@sdu.edu.cn)
范德华力异常电阻率上升......
10 Junho Seo、Duck Young Kim、Eun Su An、Kyoo Kim、Gi-Yeop Kim、Soo-Yoon Hwang、Dong Wook Kim、Bo Gyu Jang、Heejung Kim、Gyeongsik Eom、Seung Young Seo、Roland Stania、Matthias Wontwiler、Jinwon Lee、Kenji Watana Joe Be、Jon Il Jun Hanigu Tanyung Yeom、Si-Young Choi、Ji Hoon Shim 和 Jun Sung Kim，Science Advances 6 (3)，eaay8912 (2020)。
与范德华异质结构
摘要X射线光学的科学和技术已经走了很远，从而使X射线专注于高分辨率X射线光谱，成像和辐照。尽管如此，在X射线制度中，许多形式的裁缝波对光学状态的应用产生了重大影响。从根本上讲，这种差异源于所有材料在高频上接近统一的折射率的趋势，这使得X射线光分量（例如镜片）和镜像更难创建，并且通常效率更低。在这里，我们提出了一个新概念，用于X射线聚焦，基于将弯曲的波前诱导到X射线生成过程中，从而导致X射线波的内在聚焦。这个概念可以看作是有效地将光学元件整合为发射机制的一部分，从而绕过X射线光学组件施加的效率限制，从而实现了具有纳米级焦点斑点大小和微米尺度的纳米镜的创建。特别是，我们通过设计由自由电子驱动时会塑造X射线的大约VDW异质结构来实现此概念。聚焦热点的参数，例如侧向尺寸和焦点深度，是层间间距chirp和电子能量的函数。期待，创建多层VDW异质结构的持续进展开放了X射线纳米梁的焦点和任意形状的前所未有的视野。
排斥卡西米尔力和范德华力
材料表面之间电磁场的约束会导致后者之间产生力，这是由于前者的量子涨落造成的，这种力有许多有趣的特点。首先，这种力代表了真空量子性质的宏观表现，可以用当前的实验技术测量。其次，对自然界中的几种现象进行仔细研究后，有强有力的证据表明，粘附、摩擦、润湿和粘滞从根本上说是这些量子涨落的结果。第三，随着设备不断向纳米级小型化，设计物体间真空涨落的能力可能为改进设备架构、组装方法或功能铺平道路。在本文中，我们将简要讨论最近对长距离和短距离排斥力的测量、未来实验的测量方案，以及利用修改真空涨落约束产生的这些力的能力的技术机会。
用于节能自旋轨道的范德华材料......
图 1：MRAM 示意图。(a) STT-MRAM 单元，(b) 和 (c) 具有电流诱导平面外和平面内自旋极化的 SOT-MRAM 单元。(b) 和 (c) 仅显示了 SOC 层顶面附近的自旋极化。
温度依赖性范德华外延 - repositiTUm
本研究探索了 SrF 2 在高取向热解石墨 (HOPG) 上的分子束外延 (MBE) 生长，重点介绍了生长形态、晶体结构和电子特性随温度的变化。使用原子力显微镜 (AFM)、反射高能电子衍射 (RHEED)、紫外光电子能谱 (UPS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 SrF 2 /HOPG 界面进行了全面表征。光谱数据表明，氟化物与基底的化学相互作用在沉积过程中的每个沉积厚度和基底温度下都很弱，表明在范德华外延状态下生长。沉积在 HOPG 上的 SrF 2 纳米结构在晶体度和成分方面表现出独特的块状特征，即使在最初的生长阶段也是如此。值得注意的是，温度在驱动生长模式中起着至关重要的作用，从室温下树枝状岛的聚结转变为在较高温度（400 ◦ C）下沿 HOPG 梯田台阶边缘诱导近 1D 行。
范德华异质结构的腔电动力学
*通讯作者。1 Max Planck物质结构和动态研究所，德国汉堡。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。 3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。 4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。 5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。 6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。 7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。 8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。2物理系，哥伦比亚大学，美国纽约，美国。3 rwth Aachen University和Duture Information Technology的Jara-Fundamentals，Aachen，Aachen，Div foreire der der der statistischen physik。4日本杜斯库巴国家材料科学研究所电子和光学材料研究中心。5日本杜斯库巴国家材料科学研究所材料纳米构造研究中心。6计算量子物理中心，西蒙斯基金会基金研究所，美国纽约，美国。7 Cnano-BiospectRoscopy Group，Dectionalmo de Fisica de Materiales，San Sebasti´an，San Sebasti´an大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。 9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。 法国德国大学学院10大学。8理论物理学研究所和不来梅计算材料科学中心，德国不来梅大学，德国不来梅大学。9 Laboratoire de Lecole de L'Ecole Normale Sup´erieure，Universit´e PSL，CNRS，Sorbonne Universit´e，Paris-Cit´eo，Paris-cit´eo，Paris，Paris，France。法国德国大学学院10大学。
二维范德华铁磁体中的磁振子应变电子学......
图 1. (a) 单个 CrSBr 层晶体结构的顶视图。青色、黄色和粉色球分别代表铬、硫和溴原子。连接 Cr 原子的箭头表示第一、第二和第三邻域的 J 1 、 J 2 和 J 3 磁交换相互作用。 (b) 相同 CrSBr 结构的侧面图，显示沿 b 的自旋方向。 (ch) 计算的最大局部化 Wannier 轨道。绿色箭头表示最相关的磁性超交换通道，即 J 1 (c、f)、J 2 (d、g) 和 J 3 (e、h) 的 t 2g -eg (FM)、t 2g -t 2g (AFM) 和 eg -eg (AFM)。