taas是第一个实验发现的Weyl半分材料,由于其高载流子迁移率,高各向异性,非磁性特性以及与光的强烈相互作用,引起了很多关注。这些使其成为研究量子计算,热电设备和光电检测中Weyl Fermions和应用的理想候选者。迫切需要进行进一步的基本物理研究和潜在的应用,大尺寸和高质量的TAAS漏洞。然而,由于AS在生长过程中的挥发,生长出色的taas纤维很难。为了解决这个问题,我们尝试使用脉冲激光沉积(PLD)使用具有不同AS化学计量比的靶标在不同底物上生长TAAS漏洞。在这项工作中,我们发现在生长过程中,部分作为GAAS底物的离子可能会扩散到TAAS纤维中,这是由结构表征,表面地形和组成分析最初确认的。结果,提高了TAAS纤维中的AS含量,并实现了TAAS相。我们的工作提出了一种使用PLD制造TAAS漏洞的有效方法,从而使Weyl SemimetalFim可以用于功能设备。
摘要:本研究报告了空间群为I 4 1 md 的磁性外尔半金属候选材料NdAlGe单晶的成功生长。该晶体采用浮区技术生长,该技术使用五个激光二极管(总功率为2 kW)作为热源。为了确保在生长过程中稳定形成熔融区,我们采用了钟形分布的垂直辐射强度曲线。将电弧熔炼锭粉碎后的标称粉末在静水压力下成型,然后在由氧化钇稳定的氧化锆制成的氧气泵产生的超低氧分压(<10 − 26 atm)的氩气气氛中烧结进料棒和种子棒,加热至873 K。成功生长出长度为50 mm 的NdAlGe单晶。生长的晶体在 13.5 K 时表现出块状磁序。基本物理特性通过磁化率、磁化强度、比热、热膨胀和电阻率测量来表征。这项研究表明,磁序在 NdAlGe 中诱导各向异性磁弹性、磁熵和电荷传输。
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利用其电子结构的特性来观察独特的物理现象,例如手性[15–17]和轴引力异常、[18]圆形光电效应、[19–20]手性声波、[21–22]表面态增强的埃德尔斯坦效应[23]或最近提出的手性霍尔效应。[24]大多数这些效应的观察取决于是否可以轻松访问WSM的拓扑电子态。在这方面,抑制非拓扑(平凡)表面态以及修改费米能级位置以获得所需费米面拓扑的能力将允许充分揭示拓扑表面态对物理可观测量的作用,此外,还可以按需构造费米面以利用电、声或光可测输出。到目前为止,电子结构的多样性是通过探索不同的 WSM 实现的,但对同一材料中拓扑能带形状和大小的真正控制仍然难以实现,主要是因为缺乏自下而上的超高真空合成方法,无法控制表面终止和费米能级位置,例如通过掺杂或应变。需要克服这一挑战才能实现费米能级设计的韦尔半金属异质结构,从而产生大量新平台来探索基于拓扑的基本现象和设备应用。在这项工作中,我们展示了 I 型韦尔半金属 NbP 电子结构的两种显著修改,这得益于成功的外延薄膜生长合成路线。 [25] 首先,由于表面悬空键被有序磷终端饱和,NbP 的蝴蝶结状(平凡)表面态被完全抑制,表现为(√2×√2)表面重构。其次,通过用 Se 原子化学掺杂表面,费米能级发生约 + 0.3 eV(电子掺杂)的大幅偏移,同时保留了原始的 NbP 能带结构特征,从而首次在实验中可视化了远高于 Weyl 点的拓扑能带色散,并强调了通过分子束外延过程中的表面化学掺杂可以实现的大费米能级可调性。我们的工作为实现最近的理论提议开辟了可能性,例如依赖于纯拓扑
其电子结构的特性观察到独特的物理现象,例如手性[15-17]和轴向重力异常,[18]圆形光钙效应,[19-20]手性声波,[21-22]表面状态增强的Edelstein效应[23]或最近提出的Chiral Hall-Chiral Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-Hall-feff。[24]大多数这些效果的观察取决于WSM的拓扑结构是否可以轻松访问。In this regard, the ability to sup- press non-topological (trivial) surface states, as well as to modify the Fermi-level posi- tion to get a desired Fermi surface topology, would allow full access to unveil the role of topological surface states on physical observables, and, in addition, to construct on-demand Fermi-surfaces to harness electrical, acoustic or optical measurable outputs.到目前为止,通过探索不同的WSM来实现电子结构的多样性,但是对同一材料中拓扑带的形状和大小的真实控制仍然存在,这主要是由于缺乏自下而上的超高维库姆合成方法,从而可以控制表面终端和Fermi-Level的位置,以通过dopsing或Fermi-Level的位置来控制。需要克服这一挑战,以实现Fermi级工程的Weyl Semimetal异质结构,从而导致了众多的新型平台,以探索基于拓扑的基本质量和设备应用。在这项工作中,我们展示了I型Weyl Semimetal NBP的电子结构的两个引人注目的修改,它们由于成功的外延薄膜生长合成途径而变得可访问。[25]首先,由于有序的磷末期表面悬挂键的饱和,因此获得了NBP的弓形状(琐碎)表面状态的完全抑制,这表现在A(√2×2×√2)表面重构中。第二,通过化学对表面进行化学掺杂,fermi-Energy经历了大约 + 0.3 eV(电子掺杂)的实质转移,同时保留原始的NBP NBP的谱带特征,从而使拓扑范围的范围优点和点亮点能够达到较大的范围,从而实现了第一个实验性的视觉效果,并实现了范围的范围,并实现了范围的范围,并实现了范围的范围。分子束外延过程。我们的工作打开了实现最新理论建议的可能性,例如依赖纯拓扑>
量子技术目前正在开发能够操纵单量子系统的量子技术。在量子领域的嫁妆中,纠缠是新型量子革命的基本资源之一。在这种情况下,当操纵系统状态时,人们面临着保护纠缠的问题。在本文中,我们研究了经典驾驶场对两个量子与波体环境相互作用的发电纠缠的影响。我们讨论了经典领域对两个(不同)量子位之间的纠缠产生的影响,以及它在保护初始状态纠缠免受其环境引起的衰减中具有建设性作用的条件。尤其是在类似Qubit的情况下,我们找到了系统的固定子空间,希尔伯特空间的固定子空间的特征是不取决于环境属性以及经典驾驶场上。因此,我们能够确定与环境短暂相互作用后达到最大纠缠的固定状态的条件。我们表明,总体而言,经典驾驶领域在强耦合体制中对纠缠保护具有建设性作用。另外,我们说明可以在与环境相互作用后的纠缠状态,甚至是在纠缠的稳态中驱动的可分解初始状态。
近年来,外尔半金属(WSM)在固态研究中引起了广泛关注。它们的独特性质是由电子能带结构中导带和价带的单个接触点决定的,该结构具有线性电子色散。[1,2] 在这种所谓的外尔锥中,电子表现为无质量的准相对论费米子,并由狄拉克方程的相应解外尔方程描述。[3] 这些外尔节点总是以相反手性的成对出现,在动量空间中分开并由拓扑保护的表面态(费米弧)连接。 [4,5] 这种特殊的电子结构产生了许多材料特性,例如高电子迁移率、[6,7] 低温超导性、[8–10] 巨大的磁阻、[11,12] 强烈的异常霍尔效应、[7,11,13] 以及 Adler–Bell–Jackiw 异常。[14–17]
摘要:最近,提出了某种全息 Weyl 变换 CFT 2 来捕捉 AdS 3 /BCFT 2 对应关系的主要特征 [ 1 , 2 ]。在本文中,通过调整 Weyl 变换,我们模拟了一个广义的 AdS/BCFT 设置,其中考虑了 Karch-Randall (KR) 膜的涨落。在 Weyl 变换 CFT 的重力对偶中,由 Weyl 变换引起的所谓截止膜起着与 KR 膜相同的作用。与非涨落配置不同,在 2 d 有效理论中,额外的扭曲算子插入的位置与插入膜上的位置不同。虽然这在 Weyl 变换的 CFT 设置中是众所周知的,但在 AdS/BCFT 设置中,有效理论应该位于膜上的哪个位置却令人困惑。这种混淆表明 KR 膜可能是通过 Weyl 变换从边界 CFT 2 中出现的。我们还计算了波动膜结构中的平衡部分纠缠 (BPE),发现它与纠缠楔截面 (EWCS) 一致。这是对 BPE 和 EWCS 之间对应关系的非平凡测试,也是对 Weyl 变换 CFT 设置的非平凡一致性检查。
热带降水极端及其随着表面变暖的变化,使用全球风暴解析模拟和高分辨率观察结果进行了研究。模拟表明,对流的中尺度组织是不能以常规的全球气候模型来物理代表的过程,对于热带每日累积降水极端的变化很重要。在模拟和观察结果中,每日降水极端在更有条理的状态下增加,与较大但频繁的风暴有关。重复模拟以使气候变暖会导致每月均值每日降水极端的增长。较高的降水百分位数对对流组织具有更大的敏感性,预计随着变暖而增加。没有组织变化,热带海洋上最强烈的每日降水量以接近Clausius-Clapeyron(CC)缩放的速度增加。因此,在未来的温暖状态下,组织的增加,海洋的每日极端降水量最高的速度比CC缩放更快。
Wang及其同事对3DMoiré晶体结构范围的数学演示可以实现,从而使非亚伯式物理学的结果令人着迷。值得注意的是3D晶体独有的特征:Weyl点的存在[9]。Weyl点是类似于2D晶体中出现的狄拉克点的线性分散能带的相交。合成一种材料的材料,其能带结构包含Weyl点为探索各种有趣现象(例如拓扑保护的表面状态和手性异常)打开了大门。近年来,研究人员成功地设计了各种复杂的3D结构来生成Weyl点[9,10]。令人惊讶的是,王和同事的数值工作表明,仅通过扭转两个立方格的晶格,最终的3DMoiré晶体容纳了许多Weyl点和节点线。此结果表明3DMoiré晶格代表了创建拓扑材料和相应异国情调状态的替代途径。