免责声明:1- 为改进产品特性,本文档提供的信息(包括规格和尺寸)如有变更,恕不另行通知。订购前,建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司销售部,获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下(例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备),应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下,SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下,SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司书面许可,不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品(技术)不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方,其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品(技术)时,应根据相关法律法规办理必要的手续。
电子设备通常需要恒定电压才能正常运行。例如,微控制器、集成电路和传感器通常在特定电压范围内工作。如果提供给这些设备的电压偏离所需水平,则可能导致行为不稳定或永久性损坏。因此,无论输入电压或负载条件如何变化,都采用电压调节电路来保持一致的电压水平。
免责声明:1- 为改进产品特性,本文档提供的信息(包括规格和尺寸)如有变更,恕不另行通知。订购前,建议购买者联系 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司销售部,获取最新版本的数据表。2- 在需要极高可靠性的情况下(例如用于核电控制、航空航天、交通设备、医疗设备和安全设备),应使用具有安全保证的半导体器件或通过用户的故障安全预防措施或其他安排来确保安全。3- 在任何情况下,SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司均不对用户根据数据表操作设备期间因事故或其他原因造成的任何损害负责。 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司对任何知识产权索赔或因应用数据表中描述的信息、产品或电路而导致的任何其他问题不承担任何责任。4- 在任何情况下,SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司均不对因使用超过绝对最大额定值的数值而导致的任何半导体设备故障或任何二次损坏负责。 5- 本数据表不授予任何第三方或 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司的任何专利或其他权利。6- 未经 SMC - 桑德斯特微电子(南京)有限公司书面许可,不得以任何形式复制或复印本数据表的全部或部分。7- 本数据表中描述的产品(技术)不得提供给任何其应用目的会妨碍维护国际和平与安全的一方,其直接购买者或任何第三方也不得将其用于此目的。出口这些产品(技术)时,应根据相关法律法规办理必要的手续。
传统的方法可以使用高精度的开放量子系统的动力学,通常是资源消耗的。如何提高目标系统的计算精度和效率为我们带来了最艰难的挑战之一。在这项工作中,将无监督和监督的学习算法结合在一起,引入了深入学习方法,以模拟和预测Landau-Zener动力学。从多个Davydov D 2 Ansatz获得的数据较低的四个ANSATZ用于训练,而来自十个较高多重性的试验状态的数据被用作目标数据来评估预测的准确性。经过适当的训练后,我们的方法可以仅使用随机噪声和两个可调模型参数成功预测和模拟Landau-Zener动力学。与来自多个Davydov D 2 Ansatz的高精度动力学数据相比,多种多数为十个,错误率降至0.6%以下。
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了解正反馈和负反馈系统所需的功能。 UNIT I PN 结器件 9 PN 结二极管 – 结构、操作和 VI 特性、扩散和过渡电容 - 削波和钳位电路 - 整流器 – 半波和全波整流器 – 显示设备 - LED、激光二极管、齐纳二极管特性 - 齐纳反向特性 – 齐纳作为稳压器 UNIT II 晶体管和晶闸管 9 BJT、JFET、MOSFET – 结构、操作、特性和偏置 UJT、晶闸管和 IGBT - 结构和特性。 UNIT III 放大器 9 BJT 小信号模型 – CE、CB、CC 放大器分析 – 增益和频率响应 – MOSFET 小信号模型 – CS 和源极跟随器分析 – 增益和频率响应单元 IV 多级放大器和差分放大器 9 BIMOS 级联放大器、差分放大器 – 共模和差模分析 – FET 输入级 – 单调谐放大器 – 增益和频率响应 – 中和方法、功率放大器 – 类型(定性分析)。单元 V 反馈放大器和振荡器 9 负反馈的优点 – 电压/电流、串联、并联反馈 – 正反馈 – 振荡条件、相移 – 维恩电桥、哈特利、考毕兹和晶体振荡器。
UNIT-I 12 小时 回顾半导体物理、p-n 结二极管、p-n 二极管特性及其操作、p-n 结电容(耗尽和扩散)、p-n 二极管击穿 二极管应用:削波和钳位电路、整流电路、齐纳二极管、齐纳二极管作为调节器、电压倍增器、p-n 二极管的开关行为 双极结型晶体管:晶体管的介绍和类型、结构、CB、CE 和 CC 模式下的 BJT 特性、工作点、交流/直流负载线、漏电流、饱和和截止工作模式、Ebers-moll 模型 偏置稳定:稳定需求、各种偏置方案、相对于 Ico、V BE 和 β 变化的偏置稳定性、稳定因素、热稳定性。
The AH3362Q is an AECQ100 qualified high-voltage high sensitivity Hall Effect Unipolar switch IC designed for position and proximity sensing in automotive applications such as in seat and seatbelt buckle , steering lock/immobilisation, gear stick, transmission actuator and gear position, HVAC compression, wiper, door/trunk closure, etc.为了支持广泛的苛刻应用,该设计已被优化,可在3.0V至28V的供应范围内运行。AH3362Q具有斩波器稳定结构和内部带隙调节器,可为内部电路提供温度补偿的供应,在整个操作范围内提供了可靠的解决方案。为了鲁棒性和保护,该设备在电源上具有反向阻塞二极管。输出具有超过电流极限和齐纳夹。