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SNo Full Name M.Tech Branch Internship Company M.Tech (EDT) 1 ARAVIND RAJ A M.Tech Electronic Design Technology FARADTECH INNOVATIVE SOLUTIONS PVT LTD 2 AADITHIYAN SD M.Tech Electronic Design Technology FARADTECH INNOVATIVE SOLUTIONS PVT LTD 3 BADRINATHAN J M.Tech Electronic Design Technology Continental Autonomous Mobility India Pvt Ltd, Bangalore 4 Anagha A S M.Tech电子设计技术VVDN Technologies Pvt Ltd 5 Haneena Beevi M.Tech电子设计技术Bosch全球软件技术6 Deepu Kumar Shah M.Tech M.Tech Electronic Electronic DesignTechnol业M.Tech电子设计技术Ignitarium Technology Solutions PVT Limited M.Tech（ES）1 della ann James M.Tech嵌入式系统大陆汽车组件印度Pvt Ltd. 2 Sivaraman K M.Tech嵌入式系统大陆自动动力学3 Pampana Jyothi Narayan M.Tech M.Tech narayan M.Tech narayan M.Tech embeddect fortition facte facte facted pertative forted p.ltt pertt pertt pertt pertt。4 Lakshmi P N M.Tech嵌入式系统大陆汽车组件印度Pvt Ltd 5 Manikala Manoj Kumar M.Tech嵌入式系统NXP Semiconductors NXP Semiconductors India Pvt Ltd Ltd 6 Athulya J M.Tech J.M.Tech j M.Tech Engected Systems Systems India India India Pvt。Ltd 7 Vishnu Premji M.Tech Embedded Systems Continental Automotive India Pvt.Ltd 8 Prasanth B R M.Tech Embedded Systems VISHISHTA INNOVATORS PRIVATE LIMITED 9 Yelubandi Aravind M.Tech Embedded Systems Bosch Global Software Technologies 10 Ninish Valsan M.Tech Embedded Systems CONTINENTAL AUTONOMOUS MOBILITY INDIA Pvt Ltd BANGALORE 11 Saleeque MP M.Tech嵌入式系统Creopedia Business Intelligence Pvt Ltd（自己的企业）
针对Ca2+通道，激活NRF2并拥有
1大学是弗兰克·科特（Frank-Comt），是1322 LINC，F-25000 BESANCE，FRANK； sweep.angon.inne@gmail.com（i ..- a。）; paul.berrnaard@univ-fcome.fro（P.J.B.）2 Bchemadesry和生物学分子，Pharmachy的教职员工，Madrid完整大学，Plaza Ram n y Cage S/N，西班牙儿童，西班牙28040，西班牙马德里；友好的@uchm.es 3大学来自法国，iNses，正确的UMR，F-25000 BESANCE，法国； Alleksei.ssiksiii.S.Fro.fro（A.S。）; HELENE.MARATINE@UNIVS.FROM（H.M.）4 Biopharmaachy系，卢布林大学。W. Chodzki 4A，波兰Lubble 20-093； butj.maj@umlob.pl（M.M.）; krzyszyszyszyszyszyszyszyszwaak@umlok.pl（k.j.）5制药研究所，AN 4，D-53121波恩，耶利曼尼； new.anna21@gmail.com（A.N。）; wirtyzcarine01@gmail.com（c.l.）; skew@uni-bon.de（M.G。）6神经大学研究大学，马德里大学，马德里大学，云大学28040马德里大学，西班牙7西班牙7墓地（IQG，CSIC，CSIC，CSIC，CSIC）CSIC，280000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000000来了8个双基网络研究中心（Ciberer），Ciber，ICIII，28006，马德里，西班牙 *对应：iqic21@qochog.csic.s（J. – M.C.C.C.）; shehassane.ismails@unival.fro（l.i.）††权利：Eth Zurical，科学院药物研究所，Change Chatzedis，HCI H 413，Vladimir-Prolog-Wig。‡这些作者为这项工作做出了贡献。
在Nafepo4阴极中采用Na2Co3和NaCl作为钠的来源：关于结构和电化学性质的比较研究
摘要：受到磷酸锂（Lifepo 4）的巨大成功的鼓励，类似的Nafepo 4被预测显示出与LifePo 4相同的特性。使用具有钙化温度的变化和起始材料作为Na 2 Co 3和NaCl的来源的SOL-GEL方法，在Maricite相中的Nafepo 4材料合成。根据X射线衍射法（XRD）表征，所得的Nafepo 4 maricite相具有40％至85％的纯度。通过扫描电子显微镜（SEM）观察到的样品中颗粒的形态和晶粒大小倾向于在较高温度下钙化时增大。钙化温度的增加增加了样品中的Nafepo 4 Maricite相。阻抗数据分析表明，使用Na 2 CO 3的Na +离子的扩散系数和样品的电导率高于NaCl。这项全面的研究提供了一种可行的方法，并为连续研究NA-ON电池开辟了新的机会。
KCA2 FE4 AS4 F2中的多播级超导性 - JETP字母
简介。在过去的十年中，超导性的物理学一直在经历新的青年。对铁基超导体（IBSC）和Hy-Drides的发现和深入研究，这在很大程度上是促进的，而且还取决于对丘比特的基本和应用研究的进展。在这项工作中，我们报告了对差距结构，订单参数对称性和超流体密度行为的联合研究，并在互补技术的帮助下 - 对符号超导型非正式金属 - 正态正态正态金属 - 超导管（S-N-S-S-S）点（S-N-S）点接触和自我自我触发和自我自我firfird per-Prication Critister Perture Pristion。实验性distalis。测量细节。传输测量是在氦低温恒温器系统中进行的，温度控制器在±0之内稳定温度。01 K.使用定制的低噪声变量增益放大器测量电流 - 电压特性（IVC），然后是国家仪器采集系统。用量子设计MPMS XL-7 Squid磁力计对磁性交流敏感性测量进行了测量。综合和表征。在这项工作中，批量KCA 2 Fe 4 AS 4 F 2是从金属Ca，K，Fef 3粉末（作为碎片）中合成的，作为零件和预先合成的群体作为开始材料的起始材料6：3：3：3：3：2：2：10。XRD建立的单元格参数为a = 3。8612（2），C = 30。9367（13）°a r p = 6。 4％，与文献中给出的数据相吻合[1]。 通过RIR方法估计，1111和122杂质阶段的体积约为10％。9367（13）°a r p = 6。4％，与文献中给出的数据相吻合[1]。通过RIR方法估计，1111和122杂质阶段的体积约为10％。结果和讨论。有限的技术研究多晶样品中的超导能隙。这种方法之一是固有的多个Andreev Refrotions Spectroscopy
位点选择性模板导向抗体FC结合物与伴随配体释放
作者的完整列表：Polyakov，Alexander； Chonbuk国立大学，Vasilev，a。;国立科学技术大学Misis，Kochkova，Anastasia；国立科学技术大学伊万·史密斯罗夫（Isis Schemerov）；国立科学技术大学“ MISIS”，新材料和纳米技术系Yakimov，Evgeniy；微电子技术和高纯度材料Miakonkikh，Andrew； Ras Chernykh的Valiev物理与技术研究所，A。；国立科学技术大学Misis，Lagov，Peter；国立科学技术大学“ MISIS”，尤里高级太阳能帕夫洛夫实验室；弗鲁姆金物理化学与电化学研究所RAS，辐射技术实验室Doroshkevich，A。; Isaev，r；核研究所联合研究所；罗曼诺夫联合研究所，安德烈；国立科学技术大学Misis，Alexanyan，L；国立科学技术大学“ MISIS”，n高级太阳能Matros的实验室；亚历山大国立科学技术大学Misis Azarov；奥斯陆大学物理学系Kuznetsov，Andrej；奥斯陆大学，史蒂芬物理学系； Univ.Florida，MSE
SLC35A2的损失改变了小鼠大脑皮层的发展
。cc-by-nc-nd 4.0国际许可证（未经同行评审证明）获得的是作者/资助者，他授予Biorxiv授予Biorxiv的许可，以永久显示预印本。这是该版本的版权所有，该版本发布于2023年11月30日。 https://doi.org/10.1101/2023.11.29.569243 doi：Biorxiv Preprint
遗传和慢性人类心脏病和实验动物模型中Ca2+通道的功能障碍
摘要：慢性心脏病，例如冠心病，心力衰竭，继发性动脉高血压以及扩张和肥厚的心肌病，是广泛的，并且死亡率和残疾的发生率很高。这些疾病大多数的特征是心律不齐，传导和收缩率疾病。此外，心脏的电活动的中断，广泛的异位焦点和心力衰竭的出现都是许多严重的遗传性疾病的症状。导致心脏病发展的分子机制与细胞膜的渗透性和兴奋性受损相关，主要是由于心脏Ca 2+通道的功能障碍引起的。在过去的50年中，在心血管细胞中发现了100多种离子通道。这些通道和心脏病理的活性以及一般细胞生物学功能之间的关系已在体内和原位进行了多种细胞类型和实验动物模型的深入研究。在这篇综述中，我讨论了人类L-和T型电压基因通道的遗传Ca 2+通道病的起源核苷酸门控（HCN）和瞬态受体电位（TRP）通道，在人类心脏病理发展中，以及对动物模型或体外进行的这些通道功能障碍的有希望的实验研究的各个方面。
一种用于在RebA2CU3O7涂层导体中创建缓冲层流动散开架构
摘要当前流动分解器（CFD）是一个已知的概念，已被证明可以有效地降低REBA 2 Cu 3 O 7（Rebco; re = Rare Earth）涂层导体（CC）的破坏性热点的可能性，通过提高正常区域的传播速度。但是，CFD概念的实现需要在制造过程中的其他步骤，该过程已经很复杂，并且一直在努力找到一种简单的卷轴到卷式制造方法。这项工作报告了使用固体蒸气银硫化技术的缓冲层CFD（BCFD）架构的制造途径的细节，以在高温超导体胶带中调整金属稳定剂的几何形状。在不同条件下处理的AG 2 S/AG/GDBCO三层型的微观结构和超导属性的分析显示了我们如何使用BCFD体系结构实现了新的定制功能CC。在DC限制实验中，由于NPZV的强大增强，这种BCFD-sulfide结构允许比常规体系结构（60 V s-1 vs. 1.2 V s-1）发电速度快得多。
定性和定量数据-Adda247
•定量数据：它是指可以用数字术语量化的任何信息。可以使用统计技术来测量或分析。定量数据是固定且通用的。它是通过测量和计算事物来收集的。当研究人员试图量化问题或解决研究问题的频率多少，多少和频率时。这是定量数据的一些示例：高度，体重和长度等测量值：她高5英尺和7英寸，例如销售量或收入数量：XYZ Ltd Company生成的2，00，000卢比。定量数据的类型：
