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Torii STaTion 损失和损坏通知（常见问题解答）
丢失和损坏通知是向运输服务提供商 (TSP) 发出的书面通知，其中详细列出了在货物中发现的丢失和损坏情况。通常，当家居用品 (HHG) 或非随身行李 (UB) 货物送达住所时，TSP 会给您一份表格，让您填写。此表格是交货时丢失或损坏的通知。该表格为白色，应在搬家工人离开住所前填写。搬家工人离开后，可以填写交货后丢失或损坏通知，但必须在交货之日起 180 个日历日内发送给 TSP。虽然丢失和损坏通知会告知 TSP 货物中存在丢失和损坏，但它也可能生成丢失货物的追踪器。TSP 也可能使用“损失和损坏通知”表格来确定是否应进行检查。如果您的货件中有缺失物品，您还应联系目的地运输办公室以启动追踪行动。2.如何向 TSP 提供“损失和损坏通知”？
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木材部门本年度税前亏损为 1270 万令吉，较上一期 2180 万令吉的亏损有所收窄。尽管经济形势严峻且来自其他地区的竞争激烈，但原木平均售价上涨 16%，主要原因是汇率有利、原木供应紧缩以及印度需求持续，而由于当局对巴勒水力发电厂洪水区沿线特许经营区实施停产，原木产量下降了 41%。
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木材部门本年度税前亏损为 1270 万令吉，较上一期 2180 万令吉的亏损有所收窄。尽管经济形势严峻且来自其他地区的竞争激烈，但原木平均售价上涨 16%，主要原因是汇率有利、原木供应紧缩以及印度需求持续，而由于当局对巴勒水力发电厂洪水区沿线特许经营区实施停产，原木产量下降了 41%。
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木材部门本年度税前亏损为 1270 万令吉，较上一期 2180 万令吉的亏损有所收窄。尽管经济形势严峻且来自其他地区的竞争激烈，但原木平均售价上涨 16%，主要原因是汇率有利、原木供应紧缩以及印度需求持续，而由于当局对巴勒水力发电厂洪水区沿线特许经营区实施停产，原木产量下降了 41%。
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木材部门本年度税前亏损为 1270 万令吉，较上一期 2180 万令吉的亏损有所收窄。尽管经济形势严峻且来自其他地区的竞争激烈，但原木平均售价上涨 16%，主要原因是汇率有利、原木供应紧缩以及印度需求持续，而由于当局对巴勒水力发电厂洪水区沿线特许经营区实施停产，原木产量下降了 41%。
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木材部门本年度税前亏损为 1270 万令吉，较上一期的 2180 万令吉亏损有所收窄。尽管经济形势严峻且来自其他地区的竞争激烈，但原木平均售价上涨了 16%，这主要是由于汇率有利、原木供应紧缩以及印度需求持续，而由于当局对巴勒水力发电厂洪水区沿线特许经营区实施了暂停，原木产量下降了 41%。
基于石墨烯和独立单晶 BaTiO3 的超薄压电谐振器
5G 滤波器。[1] 特别是，独立薄膜体声波谐振器 (FBAR) 已被广泛用作 5G 频段的首选滤波器技术。FBAR 滤波器由夹在电极之间的压电材料薄膜组成，其呈电容器形状，悬浮在腔体上方。最先进的 FBAR 滤波器的厚度需要减小以满足不断增加的电信通信频率的要求，因为谐振频率与厚度成反比。然而，缩小当前设备几何形状具有挑战性，这不仅是因为制造这种超薄悬浮异质结构的复杂性，还因为多晶陶瓷的压电性能 [2,3] 和击穿电压会降低。[4,5] 此外，实现具有足够高电导率和低质量的纳米厚度均匀电极变得越来越困难。在这里，我们研究了独立的结晶复合氧化物作为替代材料平台，它可以减轻上述一些缺点并提高谐振滤波器的性能。众所周知，单晶比多晶具有更大的电介质击穿电压 [6]，而 BTO 和 PbZr x Ti 1 − x O 3 (PZT) 等材料比常用的 AlN 具有更高的压电系数，因此可以在薄膜形式下处理更高的电压和功率密度。此外，超薄独立形式的单晶复合氧化物具有机械强度 [7]，可承受高达 8% 的大应变，[8–10] 具有足够的柔韧性以允许较大的曲率 [11]，并且已经被证明是可行的纳米机械谐振器。 [12–14] 同时，电极也需要缩小尺寸，以支持 5G 和 6G 应用的高 GHz 频率。在这方面，石墨烯是一种理想的电极材料。石墨烯可将电传导至单原子层，[15] 具有超高迁移率，[16,17] 机械强度高，[18,19] 能够承受大应变 [20]，并且已证明可支持高达 300 GHz 的工作频率。[21] 因此，石墨烯在各种纳米机电系统 (NEMS) 应用中的使用已得到广泛探索。[22–29]
实现 BaTiO3 中的超低压开关
用于计算超越互补金属氧化物半导体的铁电体。双极晶体管和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 晶体管的微缩（即减小尺寸或增加总数 1 ）取得了巨大成功，但随着半导体工艺的每一代发展，随着器件接近基本尺寸极限 2 ，微缩变得越来越困难。虽然摩尔微缩定律一直在延续，但工作电压的降低速度要慢得多，因为 Dennard 的微缩方案 3 只持续到 2003 年左右。研究人员目前正在探索其他方法，以继续遵循摩尔定律，使器件具有低工作电压（< 100 mV）和相应的低工作能量（每位 1-10 aJ），同时保持可接受的器件开关延迟（< 0.1 ns）。这推动了一系列替代的、超越 CMOS 的计算途径（例如，基于自旋、极化、应变等的途径）4、5 的研究。铁电体可实现非挥发性和低读/写能量，在存储器（例如铁电随机存取存储器）、逻辑或存储器内逻辑（例如铁电场效应晶体管 (FeFET) 应用 6、7 和负电容场效应晶体管）8、9 中引起了越来越多的关注。尽管引起了人们的关注，但问题在于大多数铁电器件都在高电压 6、7 (> 1 V) 下工作，因此与低功率操作不兼容 5。解决这个问题将标志着向前迈出的重要一步，并可能为铁电材料在超 CMOS 器件的出现中开辟道路。