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具有非对称边际可靠性输入装置的高效人机控制
诸如运动想象脑机接口 (BCI) 之类的输入设备通常不可靠。理论上，人机回路中可以使用通道编码来通过嘈杂的输入设备稳健地封装意图，但标准前馈纠错码实际上无法应用。我们为噪声水平非常高的二进制输入设备提供了一个实用且通用的概率用户界面。我们的方法允许实现任何级别的稳健性，而不管噪声水平如何，只要有可靠的反馈（例如视觉显示）即可。特别是，我们展示了基于反馈通道代码的高效缩放界面，用于噪声水平为基于运动想象的 BCI 等模态特征的二分类问题，准确率 < 75%。我们概述了基于分离通道、线路和源编码的人机回路设计中的一般原则。我们开发了一种新颖的选择机制，可以使用嘈杂的双态按钮实现任意可靠的选择。我们展示了对变化的通道统计数据的自动在线适应，以及无需精确校准错误率的操作。我们使用一系列可视化来构建用户界面，这些界面以对用户透明的方式隐式编码这些通道。我们通过一组蒙特卡罗模拟和人机交互实验的实证结果验证了我们的方法，结果表明，该方法在一系列通道条件下可有效运行，达到理论最佳值的 50-70%。
MOF 衍生的 Bi2O3@C 微棒作为先进非对称超级电容器的负极
表现出高比容量（2 A g 1 时 576 C g 1）。Shinde 等人 11 在室温下通过快速化学法生长了 3D Bi 2 O 3，在电流密度为 2 A g 1 时其比容量为 447 C g 1。刘等人 12 设计了缺氧 r-Bi 2 O 3 /石墨烯柔性电极，在 1 mA cm 2 时具有 1137 C g 1 的高比容量。尽管如此，Bi 2 O 3 对于 ASC 仍然存在缺点，例如其本质上较差的电子和离子电导率，充电 - 放电过程中的体积膨胀很大。进一步的研究表明，碳可以作为缓冲层，有效减少形貌变化，保护电极结构。Bi 2 O 3 /C复合材料的简便设计和制备策略仍需继续研究，以调整形貌和电子结构。13 – 16
高性能Terahertz连贯的完美吸收与非对称石墨烯Metasurface
摘要：在这项工作中，我们引入了一种新颖的连贯的完美吸收器，通过强调通过使用不对称石墨烯元素的宽带宽度，厚度减小，可调性和直接设计来突出其新颖性。此设计均包含在硅基板两侧排列的正方形和圆形石墨烯贴片。具有优化的结构设计，该吸收器始终在1.65至4.49 THz的频率范围内捕获超过90％的传入波，而石墨烯费米水平为0.8 eV，整个设备的测量仅为1.5 um。这使我们的吸收器比以前的设计更有效和紧凑。通过将元表面的几何设计与石墨烯费米水平相结合，可以显着增强吸收器的有效性。可以预料，这种超薄的宽带连贯的完美吸收装置将在出现的芯片上通信技术中起着至关重要的作用，包括光调节器，光电探测器等。
在数字微流体平台上用于定向液滴运动的不对称电极
开发具有大量集成功能的大规模电解式 - 电气（EWOD）平台需要大量电极。传统上通过针计算最小化策略和路线路线方案来解决这一挑战，但我们提出了心形电极，当液滴运动是单向运动时，允许使用更少的引脚。此电极几何形状可确保液滴与前电极的重叠相比，而不是后部电极，从而产生了净毛细管将液滴向前拉的净毛细管。底部直径在0.8到1倍的底部液滴可以在长距离内可靠地驱动电极宽度，仅使用两个交替应用的驱动信号。最大信号开关频率使液滴的可靠运动与施加电压的平方和间隙高度成正比，但与电极直径成反比。互连电路的每个段仅跨越两个电极长度，这简化了电路路由并避免了大规模电极阵列中可能的迹线重叠。通过最小化销钉数，这种不对称设计为多功能大规模的EWOD平台中的电极布置提供了有希望的策略。
AK132，一种不对称的Claudin18.2/CD47双特异性抗体的癌症免疫疗法
CD47在许多类型的癌细胞上过表达，并且可以与先天免疫细胞上的配体SIPRα相互作用并抑制肿瘤吞噬作用。尽管CD47被认为是癌症免疫疗法的有希望的靶标，但由于明显的红细胞（RBC）毒性，CD47单克隆抗体的治疗效用在很大程度上受到了损害，因为CD47在外周血细胞上也表达了CD47。为了克服这些局限性并进一步提高治疗功效，我们设计了一种不对称的单价双特异性抗体Claudin18.2（Cldn18.2）/CD47，具有野生型IgG1 Fc。claudin18.2是一种紧密的连接蛋白，已被确定为胃和胰腺癌的宝贵靶标。AK132旨在通过减弱CD47-SIPRα相互作用来促进CLDN18.2+肿瘤细胞的吞噬作用，并进一步通过FC效应子功能增强肿瘤细胞杀死。
多模式脑行为跨年龄组的不对称概括
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氮化硅弯曲的不对称耦合波导与部分Euler弯曲
光子集成电路（图片）最初是为满足光纤数据传输系统的需求而设计的[1]。近年来，我们目睹了光子整合技术的爆发，并具有不断增长的应用范围。高度活跃的字段包括光传感器[2]，医疗应用[3]，光学频率梳子生成[4]和量子技术[5]仅举几例。综合光子技术的持续进展是由大型生态系统的开发引起的，包括提供开放访问制造服务的铸造厂[6]。硅光子学基于高度成熟的CMOS制造过程，在此scenario中起着重要的作用[6]。尽管传统的绝缘体硅（SOI）技术仍然在CMOS平台中占主导地位，但基于氮化硅波导的图片对于某些应用来说尤其重要[7]。与硅引导结构相比，用氮化硅制造的结构可提供较小的线性和非线性固有传播损失，较低的热光系数以及一个较大的透明度区域，该区域为从可见的中部到中央验收的应用打开了平台。在负面，氮化硅的主要缺点源于其折射率小于硅的折射率。因此，氮化硅波导中的场限制较差，并且弯曲波导切片中的辐射损失变大[8]。这最终限制了集成设备中曲率的最小可接受半径，因此限制了集成规模。可以通过结合次波长的光栅[9]或侧凹槽[10，11]来修改波格的几何形状来减少弯曲整合波导中的辐射损失。尽管如此，这些设计策略需要其他非标准制造步骤。使用匹配的弯曲[12]允许通过将弯曲的总范围调整为前两种模式的节拍长度的倍数，从而减轻恒定曲率部分与直线输入和输出波导之间的过渡处的损失。可以应用于任意长度的弯曲部分的替代方法是通过将相对侧向移动应用于直的和弯曲的波导[13，14]，以最大化不连续性的模式耦合。其他方案基于弯曲波导宽度[15-18]的进行性修改或使用三角学[19]，Spline [10，20，21]，Euler [22-25]，Bezier [16，26]或N -djustable [27]功能。弯曲辐射损失也可以使用不同的算法最小化[28 - 34]。
非对称自共源共栅和分级通道 SOI nMOSFET 中跨电容的模拟性能比较
区域（对应于 MS 晶体管）电子密度从反转开始并经历耗尽，当它到达轻掺杂区域时，电子密度变为反转。因此，A-SC 上的电子密度行为（从反转到耗尽再回到反转）发生在每个晶体管上，而 GC 发生在整个器件长度上。这解释了 A-SC 器件上的凸起如此突出的原因。
探索外延非对称多层异质结构的相变和磁电耦合
完整作者列表： Pradhan, Dhiren；田纳西大学诺克斯维尔工程学院，材料科学与工程；橡树岭国家实验室纳米相材料科学中心， Kumari, Shalini；宾夕法尼亚州立大学帕克分校，材料科学与工程系 Puli, Venkata；圣卡洛斯联邦大学，化学 Pradhan, Dillip；NIT Rourkela，物理与天文系 Kumar, Ashok；国家物理实验室 (CSIR)，顶级标准与工业计量 (ALSIM) Kalinin, Sergei；橡树岭国家实验室，凝聚态科学 K Vasudevan, Rama；橡树岭国家实验室，纳米相材料科学中心 Katiyar, Ram；波多黎各大学，Rio-piedras，物理学 Rack, Philip；田纳西大学；橡树岭国家实验室纳米相材料科学中心
具有统计和强度波动的非对称双场量子密钥分配
摘要 双场量子密钥分发（TF-QKD）是一种颠覆性创新，它能够克服无需可信中继的 QKD 速率-距离限制。自第一个 TF-QKD 协议提出以来，人们在理论和实验上不断取得突破，以增强其能力。然而，仍有一些实际问题有待解决。在本文中，我们研究了具有不稳定光源和有限数据量的非对称 TF-QKD 协议的性能。使用 Azuma 不等式估计参数的统计波动。通过数值模拟，我们比较了具有不同数据量和不同强度波动幅度的非对称 TF-QKD 协议的密钥速率。我们的结果表明，统计和强度波动都对非对称 TF-QKD 的性能有显著的影响。