摘要 本文提出了一种用于改善采样线性度的新型自举开关。该技术通过引入负电压自举电容来降低关键信号节点的寄生电容,从而提高其线性度。采用0.18 µ m互补金属氧化物半导体技术对所提电路进行仿真,其寄生电容比传统结构大约降低30%。在轨到轨输入情况下,在50 MHz采样率下,采用1.2 V电源供电时,所提开关实现了83.3 dB的信噪比 (SNDR) 和82.3 dB的无杂散动态范围 (SFDR)。与传统自举开关相比,所提自举开关的SFDR和SNDR分别提高了11.7和12.7 dB。关键词:自举开关、线性、低电压 分类:集成电路(存储器、逻辑、模拟、射频、传感器)
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