过渡金属三卡构基化(TMTC)是准二维(1D)MX 3-Type van der wa wa waals分层半导体,其中M是IV和V组的过渡金属元素,X表示chalcogen元素。由于独特的准1D晶体结构,它们具有多种新型的电气特性,例如可变的带镜,电荷密度波和超导性,以及高度各向异性的光学光学,热电和磁性。TMTC的研究在1D量子材料字段中起着至关重要的作用,从而在材料研究维度中实现了新的机会。目前,已经在材料和固态设备方面取得了巨大进展,证明了在实现纳米电子设备中的有希望的应用。本评论提供了一个全面的概述,以根据TMTCS调查材料,设备和应用程序的最新技术。首先,已经讨论了TMTC的符号结构,当前的主要合成方法和物理特性。其次,提出了各个领域中TMTC应用的示例,例如光电探测器,储能设备,催化剂和传感器。最后,我们概述了TMTC研究的机会和未来观点,以及基础研究和实际应用中的挑战。
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料,其中 C 和 TM 分别表示硫属原子(例如 Se 或 S)和过渡金属原子(例如 Nb、W 或 Mo)。在过去十年中,TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷,从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能(谷电子学)。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC),[14] 从而导致其他独特特性,例如自旋谷锁定、[15]
金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§,⊥,⊥,lixiang§,⊥,⊥,felipe dequesada˧,£,£,Mathias Augustinǂ,Mathias Augustinǂ,ƪ,金属单核化杂质中的厚度和扭曲角度依赖性层间激素wenkaiZheng§,⊥,⊥,lixiang§,⊥,⊥,felipe dequesada˧,£,£,Mathias Augustinǂ,Mathias Augustinǂ,ƪ,
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料,其中 C 和 TM 分别表示硫属原子(例如 Se 或 S)和过渡金属原子(例如 Nb、W 或 Mo)。在过去十年中,TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷,从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能(谷电子学)。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC),[14] 从而导致其他独特特性,例如自旋谷锁定、[15]
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料,其中 C 和 TM 分别表示硫属原子(例如 Se 或 S)和过渡金属原子(例如 Nb、W 或 Mo)。在过去十年中,TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷,从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能(谷电子学)。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC),[14] 从而导致其他独特特性,例如自旋谷锁定、[15]
过渡金属二硫属化物 [1] (TMDC) 是一类具有 C-TM-C 堆积结构的新兴材料,其中 C 和 TM 分别表示硫属原子(例如 Se 或 S)和过渡金属原子(例如 Nb、W 或 Mo)。在过去十年中,TMDC 单层由于其独特的电子和光学特性而引起了广泛关注 [2–12]。此类准二维材料的六方晶体结构意味着其电子能带结构中存在不等价的 K 谷,从而产生了谷自由度和基于谷的电子功能(谷电子学)。[13] TM 原子提供大的自旋轨道耦合 (SOC),[14] 从而导致其他独特特性,例如自旋谷锁定、[15]
摘要 二维 (2D) 范德华过渡金属磷三硫属化物家族由于其固有的 2D 反铁磁性而重新引起了人们的关注,这证明它们是单层极限下自旋电子学和磁子学中前所未有且高度可调的构建块。在此,受 Janus 过渡金属二硫属化物中表现出的原子取代潜能的启发,我们从第一性原理研究了基于 MnPS 3 和 NiPS 3 的硒化 Janus 单层的晶体、电子和磁性结构。此外,我们计算了磁振子色散并进行实时实空间原子动态模拟,以探索自旋波在 MnPS 3 、NiPS 3 、MnPS 1.5 Se 1.5 和 NiPS 1.5 Se 1.5 中的传播。我们的计算预测磁各向异性将大幅增强,并会出现较大的 Dzyaloshinskii-Moriya 相互作用,这是由于 2D Janus 层中诱导的反演对称性破缺所致。这些结果为开发 Janus 2D 过渡金属磷三硫属化物铺平了道路,并凸显了它们在磁子应用方面的潜力。
电磁诱导的透明度(EIT)是一个连贯的光学过程,在原子培养基中的宽吸收线中提供狭窄的透明峰。EIT的全dielectric跨表面类似物已使纳米光子学场中的新发展获得了较小,更有效的慢灯设备和高度敏感的检测器,而无需量子方法。然而,尽管近红外(N-IR)区域很少报道全磁化元面的EIT响应的动态控制,尽管通过可重新配置的EIT系统将启用更广泛的应用程序。在这项研究中,我们意识到了硫元素(GST)的硫元化物(GST)元素元面,它通过光学地驱动GST培养基中的无定形 - 晶状相变的变化,具有动态调节的EIT响应。只有几十纳米厚,纳米结构的GST膜表现出MIE共振,这些共振通过激光诱导的相变经频谱修饰,在N-IR区域提供了高度相对调制的对比度为80%。此外,在此透明度“窗口”中观察到导致“慢光”行为的极端分散体。此外,N-IR梁的组延迟在相变下可逆开关。测量与数值模拟结果和现象学建模既一致。我们的工作促进了新型紧凑型超快N-IR全息图,过滤和超敏感探测器的发展。
混合离子电容器 (HIC) 是一种快速发展的技术,它结合了电池和 SC 的最佳特性,可在长时间内以高速率产生巨大的能量密度。根据之前的研究,这些 HIC 可以提供 60 到 200 W h kg 1 之间的能量(考虑到活性材料的质量),优于传统的 SC,它们的主要强度在 200 到 20 000 W kg 1 之间,大大高于电池。20,21 与锂(0.0017%)相比,钠(Na,2.6%)和钾(K,2.1%)在地壳中储量丰富,使它们成为促进电池发展的有希望的替代品。22,23 此外,K 和 Na 都属于元素周期表中锂之后的同一组,表现出相似的物理化学性质。因此,对 Na + /K + 存储技术的研究正在获得发展势头,为成功的可再生能源存储系统商业化铺平了道路。 24 K + 存储装置之所以受到关注,是因为它们的工作电压比 Na 离子存储装置高,电解质中的离子电导率也更出色。例如,K/K + 氧化还原对的电位为 2.93 V(相对于标准氢电极 (SHE)),低于 Na/Na +