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CRISPR/CAS9介导的突变铜转运蛋白ATP7B
Wilson病（WD）是一种基于ATP7B基因突变的单基因肝病，导致肝脏中铜（CU）的功能恶化。多余的Cu积聚在肝脏和大脑等各种器官中。WD患者显示出临床异质性，其范围从急性或慢性肝衰竭到神经系统症状。在大多数患者中用锌或螯合剂（例如D-苯胺胺）的终身治疗可以改善这种疾病的病程，但是在大部分患者中已经观察到了严重的副作用，例如神经系统恶化和肾脏毒性，因此不可避免地是肝移植。替代疗法选择是对ATP7B基因的遗传校正。最近在诊所中使用的新型基因治疗方法CRISPR/CAS9可能代表了合适的治疗机会。在这项研究中，我们首先使用CRISPR/CAS9基因编辑在人类细胞系中启动了人造ATP7B点突变，并通过额外使用单链寡核心DNA核苷酸（SSODN）来纠正该突变，从而模拟了VITRO中A WD点突变的基因校正。通过在唇彩后三天添加0.5 mm的Cu，可实现CRISPR/CAS9介导的ATP7B修复的细胞克隆的高收率（60％）。此外，使用结合了三个阻断突变的SSODN提高了修复效率。经过修复的细胞克隆在暴露于Cu浓度升高后对CU具有高抗性。我们的发现表明CRISPR/CAS9介导的ATP7B点突变的校正是可行的，并且可能有可能转移到诊所。
深入铜焊接使用高功率CW激光器
用24 kW的Trudisk激光器进行了实验，具有1030 nm波长和双核纤维，以及适用于24 kW的扫描仪光纤（此光学的特朗普名称为PFO 33（KF023）（KF023），[Pricking et al（2022）]）。BrightlineWeld技术允许在100 µm内芯和400 µm外芯之间自由拆分功率，从而稳定钥匙孔并最大程度地减少溅射形成[Speker等人（2018）]。在此提出的实验中，使用了70％的核心与环比率，从而产生平滑的焊缝。放大倍率为3.2，内芯的焦点直径为320 µm，而外芯的焦点直径为1285 µm，相对于内芯，雷莱基长度为6 mm。使用此设置，工作场也很大，工作距离也很大，最大程度地减少了溅射对保护玻璃的影响，并且内核的斑点大小是焊接的典型特征。
铜罐密封焊缝无损检测 (NDT) 的可靠性
还进行了使用高灵敏度技术和横截面的附加参考 X 射线检查，以更深入地确认焊接质量，直至微观结构水平。该项目还根据所应用的 NDT 技术的 EN 标准评估物理参数及其评估。特别重要的是了解局部信噪比以及 POD（检测概率）设置的影响。检测概率曲线原则上是根据 MIL 1823 可靠性指南确定的，该指南是为确定美国军方燃气涡轮发动机的完整性而制定的。需要扩展铜摩擦搅拌和电子束焊接中更复杂的不连续情况，这对焊接和 NDT 技术来说都是一个挑战。
高可靠性应用中的精细铜支柱翻转芯片
要跟上对较小天线的需求，其性能提高和成本下降，大多数下一代体系结构都要求更高的IC（集成电路）芯片集成。与传统的包装配置相比，高级芯片包装技术（例如2.5D和3D）提供了更大的芯片兼容性和较低的功耗。鉴于这些优点，不可避免地采用先进包装。在高级包装中，铜支柱互连是一个关键的启用技术，也是下一个逻辑步骤。这项技术提供了多种好处，包括改善电气抗性，改善的电导率和导热性，简化的弱化金属化金属化（UBM）以及更高的I/O（输入/输出）密度。铜支柱允许的细球有助于该技术取代焊撞技术，该技术达到了最低的40微米。更精细的音高允许更高的I/O计数，从而提高性能。
Aotearoa的急性铜和锌水质指南值
急性GVS取决于水的pH，硬度和DOC，因此作为一组方程提供（不同物种保护水平的不同方程式）。对于铜和锌，在较高浓度的DOC和硬度浓度下，GV较高。对于铜，GV在较高的pH下较高。相比之下，对于锌，GV在较高的pH下较低，尽管与
评估美国铜供应链中的风险以提高弹性
摘要：国防高级研究项目局（DARPA）努力改善对国家安全至关重要的技术和运营基础。其弹性供求网络（RSDN）项目中的一个焦点是主动确定关键供应链中的风险以主动实施解决方案。本研究论文将特别解决铜供应链范围内普遍存在的风险因素，因为在国防部的技术和运营能力的背景下，铜被视为关键材料。通过这项研究，在涉及全球铜供应商之间各种外交关系的一系列用例中确定了特定的风险因素，以确定这些结果对国家铜供应的预测影响。这些发现有助于解决DARPA RSDN计划中的焦点，这是对关键供应链中风险的积极识别和缓解。
Cu的铜金属膜的原子层沉积（... 激光能量输入和屏蔽气流对Zn Metal的激光粉床融合期间蒸发烟气的影响 从改善粮食安全的创新中删除政治 现实生活中的自我控制是在偏好决策过程中的顶活动预测的：大脑解码分析 使用可充电海水电池同时存储和海水脱盐：可行性和未来方向
铜金属由于其低电阻率和对电子的高电阻性而高度偏爱微电子的相互作用。[1]微电子设备中最小特征的尺寸计划到2022年达到3 nm限制，[2]设定了越来越严格的需求，以使该技术沉积该设备制造的连续低电阻式CUFILMS。原子层沉积（ALD）是一种基于相互脉冲前体的领先的气相薄膜技术 - 是微电子行业的理想选择，因为它固有地提供了高度的相结合薄膜，而不是复杂的几何形状和高光谱比率结构，并且可以使用高含量比率结构，并且可以覆盖厚度较高。[3] Challenge是为了找到行业，有效和可靠的ALD
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未列出任何成分。· 可能的暴露途径：食入。吸入。眼睛接触。皮肤接触。· 急性效应（急性毒性、刺激性和腐蚀性）：吞咽有害。· 重复剂量毒性：无相关信息。· CMR 效应（致癌性、致突变性和生殖毒性）· 生殖细胞致突变性：根据现有数据，未满足分类标准。· 致癌性：根据现有数据，未满足分类标准。· 生殖毒性：根据现有数据，未满足分类标准。· STOT-单次暴露：根据现有数据，未满足分类标准。· STOT-重复暴露：根据现有数据，未满足分类标准。· 吸入危害：根据现有数据，未满足分类标准。
使用铜线或绝缘线进行引线接合的概述
使用铜线或绝缘线进行引线键合可带来许多优势，但也带来许多新挑战。全球范围内对此进行了深入研究，并得出了许多新发现和解决方案。本文回顾了使用铜线或绝缘线进行先进微电子封装的引线键合的最新进展。本文回顾了最近发表或发布的期刊文章、会议文章和专利。本文简要分析了使用铜线或绝缘线进行引线键合的优势和问题/挑战，例如引线开路和短尾缺陷、针脚/楔形键合的键合性差、铜线氧化以及弱支撑结构上的硬线。本文讨论了使用铜线或绝缘线进行引线键合的多种问题解决方案以及最新发现/发展。通过提供的参考文献，读者可以通过阅读原始文章和专利文件进行更深入的探索。2010 Elsevier Ltd. 保留所有权利。