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利用超薄硅像素探测器实现皮秒计时
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/62/CERN_LHC_Proton_Source.JPG https://cdn.zmescience.com/wp-content/uploads/2015/05/cern-lhc-aerial.jpg H t tp://sites.uci.edu/energyobserver/files/2012/11/lhc-aerial.jpg
通过紫外线激光照射在介孔硅上形成的微尖峰
微型和纳米结构的表面受到了广泛的关注，因为它们在传感器技术，表面摩擦学以及依从性和能量收集等广泛应用中的潜力。已经研究了几种修改材料表面，例如血浆处理，离子梁溅射，反应性离子蚀刻和激光处理等材料表面[1-3]。在这些方法中，由于其良好的空间分辨率和对不同材料（例如金属，半导体，介电和聚合物）的良好空间分辨率和高可重现性，激光表面处理近年来引起了人们的兴趣[4-6]。从连续波（CW）到超短梁以及从UV到IR的工作波长已经使用了许多类型的激光源[7-8]。由于激光 - 物质相互作用，从纳米到微尺度的各种结构和模式取决于激光参数和材料特性，例如激光诱导的周期性表面结构（LIPS），2D圆形液滴和特定的微型结构，称为Spikes [9-14]。
观察Picsemend Light诱导的聚合物纳米棒中的自旋跃迁
旋转过渡材料对于开发可拍照的设备具有吸引力，但它们的慢速材料转换限制了设备的应用。尺寸降低可以更快地切换，但是纳米级的光诱导动力学仍然鲜为人知。在这里，我们报告了一个飞秒光泵多模式X射线探针研究的聚合物纳米棒。同时使用X射线发射光谱和X射线衍射的结构跟踪自旋过渡顺序参数，我们观察到在〜150个飞秒范围内的低自旋晶格的光接头。高于A〜16％的光接头阈值，在分配给纳米棒中激活分子自旋开关的振动能量重新分布的孵育周期后，向高旋转期发生过渡。高于〜60％的光接头，孵育周期消失，过渡在〜50 picseconds之内完成，此前是弹性纳米棒的膨胀，响应于光启动。这些结果支持基于旋转材料的GHz光学切换应用的可行性。
使用彩色皮秒声学和椭圆偏振光谱法对薄树脂膜进行弹性和热弹性表征
彩色皮秒声学 (CPA) 和光谱椭圆偏振术 (SE) 相结合，测量沉积在 300 毫米晶圆上的聚合物薄膜树脂的弹性和热弹特性。使用 SE 测量膜厚度和折射率。使用 CPA 根据折射率测量声速和厚度。比较两种厚度可以检查两种方法之间的一致性。然后在 19 ◦ 至 180 ◦C 的不同温度下应用相同的组合。随着样品被加热，厚度和声速都会发生变化。通过分别监测这些贡献，可以推导出声速温度系数 (TCV) 和热膨胀系数。该协议适用于目前微电子工业使用的不同薄膜树脂制成的五种工业样品。杨氏模量在不同树脂之间相差高达 20%。每种树脂的 TCV 都很大，并且从一个树脂到另一个树脂的相差高达 57%。
二维涡流运动在FESE0.5TE0.5中的Picsecond轨迹，由Terahertz Second Harmonic Generation
超导体中的量子涡流从几十年来的实际观点和基本观点中都引起了人们的持续关注。强化研究已致力于表征超导体的大电流和高磁场应用的默认电流密度[1,2]和静置频率[3]的行为。涡流也引起了人们的注意，因为它被预测可容纳拓扑超振动器表面的主要构粒粒子[4,5]，并且最近在基于铁的超导体中提出了它的存在[6-13]。还认为涡流参与了最近公认的非跨脑电图超导体的微观机制，该反应表现出非近代电动传输现象[14-19]和非近代关键电流或磁场[20,21]。已经开发了有关机制的广泛理论研究[22-29]。最近，发现源自涡旋运动的非偏射反应出现在准式，特别是terahertz，频率以肮脏的极限超级导体NBN NBN在超高电的注入下。在这里，超电流充当了反转和时间反向的象征破裂领域，从而产生了巨大的第二季型生成（SHG）[30]。在如此高的频率下，涡流的动力学被证明是由单个涡流核心的运动所主导的，无论涡旋 - 涡流相互作用如何。
WSSE单层中的激子和Trions
在这里，𝑡是开始时间，𝜏是步骤𝑗的上升时间。为了使拟合过程更加稳健，我们忽略了实验时间分辨率（IRF FWHM〜145 fs），这是根据子picsecond数据集的拟合确定的。分子阶段的开始和上升时间（光载量分数）𝛾0由于留置状态，分别固定在𝑡0= 0 = 0 = 0 = 0 =141𝑓𝑠，1-2，4-7。这留下了分子和次级自旋转换步骤𝛾0和𝛾1，孵育周期𝑡1和次级自旋转换时间尺度𝜏1作为拟合变量。拟合结果在补充表1中列表。对于以25 mJ/cm 2的激发能力收集的数据，不受限制的拟合导致𝛾0 + 𝛾1> 1，表明在探测范围内完成了完全的纳米棒自旋转换。为了确保𝛾0 + 𝛾1≤1，因此我们固定了1至0.72。对于使用70 MJ/cm 2和100 mJ/cm 2收集的数据，未解决孵育周期，因此我们将𝑡1固定为零，以提高拟合稳定性。我们注意到，我们已经在子picosecond范围内收集了两个独立的数据集，激发通量为100 mJ/cm 2，并且扩展了〜70 PS范围。对于两个数据集，拟合的分子阶梯幅度𝛾0都很好地一致。对于10 mJ/cm 2，
单光子计数和量子技术研究的皮秒精确测量
在量子状图林基中开发的Spad evalkit基于单个光子计数的时角的过程，并以20 picose第二的时间分辨率启用测量。这允许研究基于量子的应用程序，以及用于视野内诊断的新解决方案或医疗技术。照片：Imms。
皮秒雪崩探测器
摘要：皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器，旨在实现带电粒子跟踪，具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后，在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型，该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明，原型机可以正常工作，并且显示雪崩增益，最大电子增益可达 23。雪崩特性研究（经 TCAD 模拟证实）表明，55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
皮秒雪崩探测器
摘要：皮秒雪崩探测器是一种基于 (NP) 漂移 (NP) 增益结构的多结硅像素探测器，旨在实现带电粒子跟踪，具有高空间分辨率和皮秒时间戳功能。它使用传感器体积深处的连续结来放大薄吸收层中电离辐射产生的一次电荷。然后，在较厚的漂移区内移动的二次电荷会引发信号。IHP 微电子公司使用 130 nm SiGe BiCMOS 工艺生产了一个概念验证单片原型，该原型由间距为 100 µ m 的六边形像素矩阵组成。探测站和 55 Fe X 射线源的测量表明，原型机可以正常工作，并且显示雪崩增益，最大电子增益可达 23。雪崩特性研究（经 TCAD 模拟证实）表明，55 Fe 源的 X 射线转换产生的较大初级电荷引起的空间电荷效应限制了有效增益。
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