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Cu的铜金属膜的原子层沉积（... 激光能量输入和屏蔽气流对Zn Metal的激光粉床融合期间蒸发烟气的影响 从改善粮食安全的创新中删除政治 现实生活中的自我控制是在偏好决策过程中的顶活动预测的：大脑解码分析 使用可充电海水电池同时存储和海水脱盐：可行性和未来方向
铜金属由于其低电阻率和对电子的高电阻性而高度偏爱微电子的相互作用。[1]微电子设备中最小特征的尺寸计划到2022年达到3 nm限制，[2]设定了越来越严格的需求，以使该技术沉积该设备制造的连续低电阻式CUFILMS。原子层沉积（ALD）是一种基于相互脉冲前体的领先的气相薄膜技术 - 是微电子行业的理想选择，因为它固有地提供了高度的相结合薄膜，而不是复杂的几何形状和高光谱比率结构，并且可以使用高含量比率结构，并且可以覆盖厚度较高。[3] Challenge是为了找到行业，有效和可靠的ALD
GA – CU模型催化剂的结构演化用于CO2氢化反应 NBP Weyl半薄膜中微不足道表面状态的大型费米 - 能量转移和抑制 Terahertz通过金属双层中的界面偏斜散射旋转到电荷转换 日记牙前线 敏捷和多功能量子通信 富勒烯受体有机太阳能电池 探索性研究 gbe 使用
摘要：我们研究了GA与Cu（001）表面和环境诱导的表面转移的初始阶段，以尝试阐明最近提出的Cu-Ga催化剂的表面化学，该催化剂最近提出了将CO 2氢化为甲醇的CO-GA催化剂。结果表明，GA在真空中沉积时很容易与Cu进行混合。然而，即使是气体环境中的氧气痕迹也会导致GA氧化，并形成二维（“单层”）GA氧化物岛，均匀地覆盖了Cu表面。在高度压力和温度下（0.2 MBAR，700 K），表面形态和GA的氧化状态保留在H 2中以及CO 2 + H 2反应混合物中。结果表明，在反应条件下，GA掺杂的Cu表面暴露了包括GAO X /CU界面位点在内的各种结构，必须考虑阐明反应机制。
ME（Pt、Pd、Ni、Cu）/... 上 CO2 的光催化还原
二氧化碳的光催化还原可以在多种材料上进行，包括无机半导体、碳基半导体、金属配合物、超分子及其衍生物 [3]。光催化过程中的关键步骤是 CO2 分子的初始吸附和活化。吸附在氧空位处进行，在此过程中 CO2 从 Ti3+ 获得电子，形成带负电的物质 [4]。该过程伴随着 CO2 的线性结构转变为高度反应性的弯曲形式 [5]。值得一提的是，CO 2 − 物种的形成可以在没有光催化剂表面照射的情况下发生，但这会显著增加它们的浓度 [ 4 ]。另一个重要步骤是当光照射到光催化剂上时形成电子-空穴对。形成的电子被转移到 TiO 2 表面，在那里被吸附的 CO 2 捕获，从而增强了带负电荷物种的形成。同时，产生的空穴与水分子接触，产生氢离子 (H + ) 和羟基自由基 ( · OH)。CO 2 − 自由基可以进一步转化为 CO
我在CU Medicine的新页面2024/25探索更多
Jessie加入了由CCOUC和GX Foundation组织的Prey Veng，Cambodia的猎物的视力盲目消除计划。该计划为贫困患者提供了免费的白内障手术。在旅途中，杰西进行了健康检查，在医生和护士的指导下，在移动眼神治疗中心学会了诊断白内障并观察到白内障手术。除了临床技能外，杰西还帮助了物流和训练有素的当地志愿者。富有成果的经历最大的收获是，人道主义工作的成功并不仅仅在医疗专业人员的手中，而是在各种背景的所有参与方的一致努力中。
铜基板上锡薄膜中锡晶须生长的动力学
Illés Balázs 1),2) ，Olivér Krammer 1),2) ，Tamás Hurtony 1) ，Karel Dusek 2) ，David Busek 2) ，Agata
导航碳迷宫：锂离子电池有效碳导电网络的路线图
摘要：由于可调的折射率和无定形和晶体材料状态之间的可调折射率和电导率，对神经形态应用，内存计算和光子积分的生动兴趣引起了人们的生动兴趣。尽管如此，缩小常规溅射PCM内存阵列的设备尺寸，限制了PCM技术在大众应用中的实现，例如消费电子等，这是越来越具有挑战性的。在这里，我们报告了亚10 nm cu-ge-te（CGT）纳米颗粒的合成和结构研究，作为低成本和超级PCM设备的合适候选物。我们表明，我们的合成方法可以准确控制CGT胶体的结构，例如组成调节的CGT无定形纳米颗粒以及具有三角形α -Gete和Tetragonal Cu 2 Gete 3 Gete 3阶段的结晶CGT纳米颗粒。原位表征技术，例如高温X射线衍射和X射线吸收光谱，表明Gete中的Cu掺杂可改善纳米粒子的热性能和无定形相位稳定性，除了纳米级效应，还可以增强CGT Nanoparticles的非差异特征。此外，我们证明了CGT纳米颗粒的薄膜制造，并通过光谱椭圆测量表征其光学特性。我们揭示CGT纳米颗粒薄膜表现出负反射率的变化，并且在近IR频谱中具有良好的反射率对比。■简介我们的工作促进了将PCM以纳米颗粒形式使用的可能性，例如电流开关设备，金属镜，反射率显示和相变IR设备。
通孔-中间 TSV 晶圆混合键合中 Cu 突起对连接电阻的影响
摘要 本研究研究了铜突起对连接电阻的影响，作为中通孔硅通孔 (TSV) 晶片混合键合的详细数据。在制备了多个具有不同铜突起量的 Cu TSV 晶片和 Cu 电极晶片并通过表面活化键合方法使用超薄 Si 膜进行键合后，通过四端测量评估了键合晶片的连接电阻（即 TSV、Cu 电极和界面电阻之和）。结果表明，Cu 突起量是中通孔 TSV 晶片与超薄 Si 膜混合键合的关键参数，通过调节 Cu 突起可以在不进行热处理的情况下实现 TSV 和 Cu 电极之间的电连接。关键词 中通孔 硅通孔(TSV) 直接Si/Cu研磨 混合键合I.引言 随着摩尔定律的放缓，带有硅通孔(TSV)[1-6]的三维集成电路(3D-IC)已经成为实现高速、超紧凑和高功能电子系统的可行解决方案。3D-IC在某些电子系统中的接受度越来越高。然而，要将3D-IC技术应用于许多电子系统，需要进一步降低TSV形成成本、实现TSV小型化和提高TSV产量。在各种TSV形成工艺中，中通孔Cu-TSV工艺可以有效减小TSV尺寸并提高TSV产量，因为该工艺易于形成(1)小TSV，并且(2)TSV与多层互连之间的电接触。然而，如果晶圆背面露出的TSV高度变化很大，则可能会发生TSV断裂或接触失效。在之前的研究中，我们提出了一种 Cu-TSV 揭示工艺，包括直接 Si/Cu 研磨和残留金属去除 [7-9]（图 1），以克服这一问题。首先，使用新型玻璃化砂轮进行直接 Si/Cu 研磨，并使用高压微射流 (HPMJ) 对砂轮进行原位清洁。由于非弹性
量子计算及其物理数学基础
评分模式：常规布置简短的作业，在下一节课时上交。将会布置一系列用纸笔完成的练习，这些练习将构成三项部分考试的指南。编程练习将以 Python 语言进行。将会有一场期末考试。评分标准将在课程开始时公布。
改进Cu2O光电座光电化学稳定性，phcccccu嫁接
cu 2 o光（光电极）可以产生很高的太阳能到水（STH）效率（≈18％），[6-8]，但它也容易在水溶液中的光接种，显示出非常稳定的稳定性。[9,10]这是因为Cu 2 O的氧化还原电位位于Cu 2 O的带隙内，从而使其可将其减少到Cu或氧化为CUO中，这极大地限制了Cu 2 O光电座在光电子体（PoperelectRocata-Lytic（Pec）（PEC）场中的应用。[11–15]因此，已经大量研究用于改善催化过程中Cu 2 O光阴极的稳定性。例如，可以通过原子层沉积（ALD）技术在其表面上添加缓冲层（ZnO，Ca 2 O 3）和在其表面上的protective层（tiO 2 O 3），可以通过原子层（ALD）技术在电解质溶液中的光（TiO 2 O 3）和弹性层（tio 2）进行有效缓解。[16,17]但是，由于液体过程和昂贵的设备，此方法不适合大规模生产。因此，通过结合G -C 3 N 4，[18-20] NIS，[21] FeOOH，[22,23] Cu 2 S，[24-26]和MOFS [24-26]和MOFS [27,28]，通过多样化的方法（例如，替代涂料，替代涂料）组合来形成连接，还可以提高复合Cu 2 O 2 O光阴极的稳定性。为了进一步提高Cu 2 O光电的光稳定性，需要通过可重复的过程和技术开发一些更有效的保护层材料。据报道，切断光电剥离和电解质溶液之间的反应可以有效抵抗其光腐蚀。此外，明显提高了Cu 2 O[29–31]铜苯乙酰基（pHCCCA）是一种新报道的金属有机聚合物半导体，具有出色的照片/热稳定性，可见光的光反应和高电子孔孔对分离效率。[32–36]最重要的是，它还显示出强的疏水性，静态水接触角为131.2°。[37]通过报道的光热方法，[16]高质量的pH c c c c cu Cu保护层被成功地自组装在Cu 2 O 2 O光（图1）的表面上（图1），有效地抑制了其光腐蚀，通过与电解液和O 2中的O 2分开其光腐蚀。在长期PEC实验后，通过构造的pH phcc cu/cu/cu 2 o光电座获得的稳定光电流密度显示出其出色的光稳定性，这也由稳定的晶体结构，形态和cu的价位证明。