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使用机器学习预测聚合物的频率相关介电常数
介电常数 (ϵ) 是用于储能电容器、微电子设备和高压绝缘体的聚合物电介质设计的关键参数。然而，灵活地发现具有理想ϵ 的聚合物电介质仍然是一个挑战，特别是对于高能、高温应用而言。为了加速聚合物电介质的发现，我们开发了一种基于机器学习 (ML) 的模型，可以即时准确地预测聚合物的频率相关 ϵ，频率范围跨越 15 个数量级。我们的模型使用一组包含 1210 个不同频率下实验测量的 ϵ 值的数据集、先进的聚合物指纹方案和高斯过程回归算法进行训练。开发的 ML 模型用于预测 60 – 10 15 Hz 频率范围内可合成的 11,000 种候选聚合物的 ϵ，并在整个过程中恢复正确的逆 ϵ 与频率趋势。此外，我们使用 ϵ 和另一个之前研究过的关键设计属性（玻璃化转变温度，T g ）作为筛选标准，提出了五种具有所需 ϵ 和 T g 的代表性聚合物，用于电容器和微电子应用。这项工作展示了使用替代 ML 模型成功快速地发现满足特定应用的单一或多个属性要求的聚合物。
理解 NaPbmSbQm+2 (Q = S, Se, Te) 热电材料中的热激活电荷传输：弱介电屏蔽导致晶粒边界
完整作者列表： Slade, Tyler；西北大学，化学系 Grovogui, Jann；西北大学，材料科学与工程系 Kuo, Jimmy；西北大学，材料科学与工程系 Anand, Shashwat；西北大学，材料科学与工程系 Bailey, Trevor；密歇根大学，物理系 Wood, Max；西北大学，材料科学与工程系 Uher, Ctirad；密歇根大学，物理系 Snyder, G.；西北大学，材料科学与工程系 Dravid, Vinayak；西北大学，材料科学与工程系 Kanatzidis, Mercouri；西北大学，化学系
硅介电层不同钝化参数的电容电压曲线模拟
摘要：表面钝化是一种广泛使用的技术，可减少半导体表面的复合损失。钝化层性能主要可以通过两个参数来表征：固定电荷密度（𝑄ox）和界面陷阱密度（𝐷it），它们可以从电容-电压测量（CV）中提取。在本文中，使用模拟钝化参数开发了高频电容-电压（HF-CV）曲线的模拟，以检查测量结果的可靠性。𝐷it 由两组不同的函数建模：首先，代表不同悬空键类型的高斯函数之和和应变键的指数尾部。其次，采用了由指数尾部和常数值函数之和表示的更简单的 U 形模型。使用基于晶体硅上的二氧化硅（SiO 2 /c-Si）的参考样品的实验测量来验证这些模拟。此外，还提出了一种使用简单 U 形 𝐷 it 模型拟合 HF-CV 曲线的方法。通过比较近似值和实验提取的 𝐷 it 的平均值，发现相对误差小于 0.4%。近似 𝐷 it 的常数函数表示在复合效率最高的中隙能量附近实验提取的 𝐷 it 的平均值。
Si衬底上沉积的HfO2栅极介电体界面陷阱密度和串联电阻的频率依赖性研究：50MeV Li3+离子辐照前后
我们首次报告了 50 MeV Li 3+ 离子辐照对串联电阻和界面态密度的频率依赖性影响的研究，这些影响是由射频溅射制备的 HfO 2 基 MOS 电容器的电容-电压 (C-V) 和电导-电压 (G-V) 特性确定的。样品在室温下用 50 MeV Li 3+ 离子辐照。测得的电容和电导已根据串联电阻进行校正。在辐照之前和之后，在 1 KHz 至 1 MHz 的不同频率下估算了串联电阻。观察到串联电阻在辐照前随频率从 6344.5 降低到 322 欧姆，在辐照后降低到 8954-134 欧姆。界面态密度D it 由辐照前的1.12×10 12 eV 1 cm 2 降至3.67×10 11 eV 1 cm 2
O2等离子体处理对电学和介电常数的影响...
研究了 O 2 等离子体处理对 Ba 0 ： 7 Sr 0 ： 3 TiO 3 (BST) 薄膜电特性和介电特性的影响。将沉积态和退火态的 BST 薄膜暴露于 O 2 等离子体后，BST 薄膜的漏电流密度可以得到改善。通常，在施加 1.5 V 电压下，与未经等离子体处理的样品相比，漏电流密度可以降低 3 个数量级。研究发现，等离子体处理改变了表面形貌。BST 薄膜的电容降低了 10% 至 30%。等离子体处理样品的漏电流密度的改善和介电常数的降低可归因于 BST 薄膜中碳污染的减少。时间相关电介质击穿 (TDDB) 研究表明，所有样品在 1 V 电压偏置下均有超过 10 年的使用寿命。© 2000 Elsevier Science Ltd. 保留所有权利。