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在高熵氧化物Ruddlesden – Popper Cuprate膜中寻找超导性
和SR +2以已知诱导超导性超导性的浓度，ND 2 CUO 4和LA 2 CUO 4。Electron doped (La 0.185 Pr 0.185 Nd 0.185 Sm 0.185 Eu 0.185 Ce 0.075 ) 2 CuO 4 and hole doped (La 0.18 Pr 0.18 Nd 0.18 Sm 0.18 Eu 0.18 Sr 0.1 ) 2 CuO 4 are synthesized and shown to be single crystal, epitaxially strained, and highly uniform.传输测量表明，所有生长的薄膜都在绝缘，而不是掺杂。退火研究表明，可以通过修饰氧气化计量和诱导金属性但没有超导性来调整电阻率。这些结果反过来又连接到扩展的X射线吸收良好的结构结果，表明高熵库层中缺乏超导性可能起源于Cu – O平面内的大变形（σ2>0.015Å2），这是由于A-部位阳离子阳离子尺寸变化引起的，这驱动了载货者本地化的本地化。These findings describe new opportunities for controlling charge- and orbital-mediated functional responses in Ruddlesden – Popper crystal structures, driven by balancing of cation size and charge variances that may be exploited for functionally important behaviors such as superconductivity, antiferromagnetism, and metal-insulator transitions while opening less understood phase spaces hosting doped Mott insulators, strange metals, quantum临界，伪胶囊和有序的电荷密度波。
SRIM模拟氢离子与掺杂稀土元素的氧化铋纳米粒子的相互作用 R. Alhathlool, MH Eisa * 部门
SRIM 模拟氢离子与稀土元素掺杂的氧化铋纳米粒子的相互作用 R. Alhathlool、MH Eisa * 物理系，科学学院，伊玛目穆罕默德伊本沙特伊斯兰大学（IMSIU），利雅得 13318，沙特阿拉伯 近年来，模拟方法受到了各个领域的广泛关注。使用 SRIM 程序将稀土钽酸镥（LuTaO 4 ）掺杂的“氧化铋（Bi 2 O 3 ）薄膜沉积到聚合物基底上。” SRIM 程序用于计算能量在 1.0 MeV 至 20 MeV 之间的 Bi 2 O 3 薄膜的一些物理特性。研究了 LuTaO 4 、Bi 2 O 3 、C 10 H 8 O 4 和 LuTaO 4 / Bi 2 O 3 /C 10 H 8 O 4 样品的“电子和核阻止本领”。这些研究结果表明，稀土掺杂可以改善复合材料的性能。离子束与物质的相互作用会产生各种各样的现象。在 C 10 H 8 O 4 上沉积掺杂 LuTaO 4 的 Bi 2 O 3 薄膜会导致材料“电子和核阻止本领”和范围发生变化。将已发表的数据与获得的结果进行了比较，并提供了计算参数。（2024 年 6 月 1 日收到；2024 年 8 月 1 日接受）关键词：阻止本领、氧化铋、钽酸镥、SRIM、聚合物 1. 简介 阿尔法粒子、氘核和质子对物质有显著影响。短程核力与质子和阿尔法粒子相互作用。随着能量下降，带电粒子会失去速度。在电离和激发过程中，重带电粒子都会失去能量。重带电粒子碰撞时传递的能量较少 [1]。
出版物摘要：Total Journal：118，Wos cuit
surface doped AgVO 3 nanobelt ternary composite with Z-scheme homojunction-heterojunction interface for high prolific photo switching, quantum efficiency and hole mediated photocatalysis, Applied Catalysis Environmental B , 2021, 293, 120224( IF:20.2), Q1 Ranked No.1 in Environmental Engineering Category ) https://doi.org/10.1016/j.apcatb.2021.120224
氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
显着增强了跨N掺杂石墨烯的热电性能：密度功能理论研究
已经使用了第一个原理计算与半古典玻尔兹曼理论相结合的第一原理计算研究了间质氮（N）掺杂石墨烯的热电特性。我们发现，与原始石墨烯以及ZT值相比，N掺杂石墨烯的Seebeck Coeffi Cient是3和5.5倍。在室温下，对于原始石墨烯而言，ZT值为0.81，而N-掺杂石墨烯的ZT值分别上升到0.98和1.00，分别为6.25％和50％的氮掺杂。N掺杂石墨烯的Seebeck系数的增加是由于有效质量带的增加所致，因为化学电势升至最小传导带。我们观察到N掺杂的石墨烯在正能范围内表现出最高的ZT值，表明P型特征。我们的发现表明，N型石墨烯具有热电应用的有希望的潜力，并提供了对掺杂石墨烯材料热电特性的基础物理学的见解。
Kalaiarasi S.，J Adv Sci Res，2020 年； 11 (4): 155-160
1 化学系，APCMahalaxmi 学院，Thoothukudi，泰米尔纳德邦，隶属于 Manonmaniam Sundaranar 大学，Tirunelveli，泰米尔纳德邦，印度 2 化学系，VOChidambaram 学院，Thoothukudi，泰米尔纳德邦，印度 *通讯作者：kalaponpriya@gmail.com 摘要 三氧化钨 (WO 3 ) 已被证明具有可见光光活性，并提供了一种克服光催化剂（如二氧化钛）对紫外光依赖性的方法。在本研究中，通过化学共沉淀法成功制备了镉离子掺杂的 WO 3 纳米粒子。以氯化镉和钨酸钠溶液为前体。通过 UV、XRD、FESEM、EDAX 和 PL 光谱技术表征了 Cd 离子掺杂的 WO 3 纳米粒子的晶体结构和光学特性。 Cd 离子掺杂的 WO 3 纳米粒子的形貌研究揭示了晶体状形貌。能量色散分析证实了 Cd 离子在掺杂的 WO 3 晶格中的存在。从 WO 3 的紫外-可见光谱来看，Cd 离子掺杂的 WO 3 纳米粒子在 310 nm 和 320 nm 处表现出吸收。XRD 光谱显示衍射峰对应于结晶氧化钨的晶面。使用 Debye scherrer 公式，还计算了未掺杂和 Cd 离子掺杂的氧化钨纳米粒子的尺寸。通过 PL 光谱研究了制备的纳米粒子的光学特性。
水热温度处理对 Ca2SiO4:Tb3þ 荧光变化的影响
研究结构缺陷及其对光学材料光学性质的影响是至关重要的，因为在制备用于显示应用的材料时会涉及不同的方法。镧系离子掺杂是一种简单的结构探测策略，它有助于识别结构缺陷。使用 Pechini (C 2 SP) 和水热法 (C 2 SH) 制备纯和铽 (Tb 3 +) 掺杂的 Ca 2 SiO 4 (C 2 S) 粒子。从 SEM 图像中可以看出，Tb 3 + 掺杂的 C 2 SP 粒子比 C 2 SH 粒子更高度聚集。TEM 研究证实，在 180 和 200 C 的高水热温度下制备的 C 2 SH (C 2 S:180H 和 C 2 S:200H) 的粒度减小。 Tb 3 + 掺杂的 C 2 S:180H 和 C 2 S:200H 发生荧光发射猝灭。与 Tb 3 + 掺杂的 C 2 SP、C 2 S:180H 和 C 2 S:200H 相比，在 140 C 下制备的 Tb 3 + 掺杂的 C 2 SH 的发射强度较高。在 X 射线光电子能谱 (XPS) 价带谱中，实验评估了与纯 C 2 SP 和 C 2 S:180H 四面体硅酸盐的上能级价带谱相关的 O2p 轨道的变化。由于硅酸盐单元的扭曲导致对称性降低，从而猝灭了发射，这已由 XPS 价带谱和 Tb 3 + 发射线证实。这项研究表明，与水热法相比，Pechini 法更适合制备 Tb 3 + 掺杂的 C 2 S 荧光粉，特别是在高温下用于固态显示器和闪烁体应用。© 2020 作者。由 Elsevier BV 代表河内越南国立大学提供出版服务。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
639 nm 瓦级声光 Q 开关 Pr:YLF 激光器
高能脉冲可见光激光器在各种应用中都有很高的需求，包括但不限于光学显微镜 [ 1 ]、激光显示器 [ 2 – 4 ]、医疗应用 [ 5 ] 和激光通信 [ 6 ]。此外，高功率、高光束质量的红光激光器可以作为掺杂 Cr 3 和 Ho 3 离子的透明材料的泵浦源，例如 Cr:LiSAF（Cr 3 :LiSrAlF 6 ）[ 7 ] 和 Ho:ZFG（Ho 3 掺杂的氟化锆玻璃）[ 8 ]。早期研究中，产生红光常用的技术是利用非线性光学晶体如KTP（KTiOPO 4 ）、LBO（LiB 3 O 5 ）等，通过Nd 3 掺杂激光晶体产生1.3 μm基频激光[9，10]。该方法已被许多研究者报道，利用Q开关操作调节脉冲宽度，输出功率大多在数百毫瓦范围内。到目前为止，已报道了一些稀土离子掺杂晶体，如Pr 3 、Dy 3 和Sm 3 离子，在红色光谱区产生有效发射[11]。近年来，通过蓝色激光源泵浦Pr 3 掺杂激光材料直接产生红光技术发展迅速，具有结构紧凑、转换效率高、稳定性好等优点。 Pr3掺杂材料由于其大的发射截面和四能级激光系统可见光跃迁，已被证明是直接产生可见激光辐射最有效的解决方案之一[12]。